本文试图通过比较各自的标准,找出两者的不同之处,以便为LED 测试方法标准的最终定稿提供一些参考。 DV[FZ
VZ =:`)
1.CIE 和ICE 对同一事件的不同表述 D~U RY_[A
`j 9\]50Z>
1.1.1、发光(辐射) 效能的定义 }! R*Q`m
@"1Z;.S8V
首先,必须修正对这个术语的误解,发光(辐射)效率(efficiency) 用在此文中是不妥的,因为效率是指无量纲的物理量,而此处是有量纲的。所以,正确的叫法是“发光(辐射) 效能(efficacy) ”。 u' Q82l&Y
,\c V,$
发光(辐射) 效能的定义: #D|%r-:"
o3GkTn O
CIE 定义:LED 发出的光通量(辐射通量) 与耗费电功率之比。 19c_=$mV
IEC 定义:LED 发出的光通量(辐射通量) 与耗费正向电流之比。 UnP<` z#
评论:CIE 的发光效能要测3 个物理量:总光通量,正向电流,正向电压(或内阻) 。而IEC 只需测量两个物理量:总光通量、正向电流。它没有选择正向电压是很明智的,因正向电压会随管芯温度的升高而下降。作者认为,IEC 的定义是不够严谨的。因为即使对于同一批次的管芯和封装,管芯的内阻及端电压存在微小差异,所以仅适用于对发光(辐射) 效能允许有一定变动范围的情况。这样测试时间将缩短,因只需测量两个物理量。 K/ &`
#ojuSS3
1.1.2、发光强度的测量距离 +,AzxP
_y
1K< }
CIE规定了发光强度的测量距离有两种:远场(条件A) 为316mm ,对应的立体角为01001Sr；近场(条件B) 为100mm ,对应的立体角为0101Sr :两者之间可以相互转换,远场测量结果乘以10 就得到近场测量结果。 }^$1<GT
; UM(y@
IEC规定的测量距离仅为近场(条件B) ,立体角< 0101Sr ; (为什么不写等于0101Sr ?) 。 s }OL)rW=}
a$Y{ut0t(
对测量距离,CIE 明确规定从LED 的外壳顶端到光探测器的灵敏面。而IEC 规定得比较模糊。 W=w]`'
qsbV)c
评论:表面看起来,远场测量比近场测量有时候不确定度要小,因为在此条件下对测量距离、电流和杂散光的要求可相对低一些。但同时,LED 安装倾角的影响却相对增大,这可是一个大误差源。一般而论,远场条件可适用强照明及封装产品,而近场条件 iLN UydiS
适用于弱照明和芯片、指示灯和背光源等。故均有存在的必要性。其次,CIE 在逻辑上不够严谨。 1[u{y{9 q
(d D7"zQ
首先,它用很大篇幅说明了LED 不是点光源,故距离平方反比定律不成立,发光强度这个概念也不适用。另外在实践上,它实际上是测量LED 在光电探测器灵敏面上的照度,然后乘以距离的平方而得到发光强度。 PnInsf%;
M j6,VD9L
这样,曾经被否定的距离平方反比定律实际上仍用到了。 -]Su+/3(,
JGTsVa2
1.1.3、测量的外部条件 {wj%WSQj/y
}2"W0ZdWD
CIE 明确规定测量的环境温度为25 ℃,但没提及大气条件。 SZ9 DT
IEC 则在笼统地提到环境温度的同时,也强调了适宜的大气条件。 A%HIfSzQBS
评论:根据作者长期对硅光电二极管深入研究的经验,LED 参数与大气条件诸如大气压、湿度、洁净度等有关是肯定的,只是尚未做这方面的实验来予以证实。 AWx@Z7\z"g
W 02 z}"#
2.IEC 提及却被CIE 遗漏的内容 /j}Tv.'d
K sE$^ `
2.1.1、CIE 没有提到LED 辐射强度的测量,这实际上是一个非常重要的物理量IEC 则用较大篇幅提到这一点。 v;9(FLtL
;-@: }/
其一,指出辐射强度的测量定位应是机械轴方向(法向辐射强度)； Z |Rc54Ct
n8=D zv0
其二,提到要用无光谱选择性的探测器如热电偶堆等热电探测器作为标准探测器； jll: Rh(b
W&R67ff|
其三,提到要用近场测量。 Ky,upU
<I
tS_/z
辐射强度对红外发光二极管( IRED) 尤其重要。 jOrfI-&.G
l&U$L N$*e
2.1.2、CIE 没有提到脉冲测量 w43b=7
[f6BA|
既然市场上有“闪光LED”,闪光频率约为113～512Hz ,所以必须有相应的测量方法。IEC 规定,对闪光LED 的测量,光探测器的上升时间应该足够小,而且应该能读取脉冲的峰值。IEC 规定,为了测量峰值波长的带宽,单色LED的波长分辨率和带宽应能够调节,以便测量有足够的精度。辐射计的光谱响应进行校正,不妨假定峰值波长为100 % ,以便作归一化处理。IEC 指出,若单色仪的透射因子和辐射计的灵敏度在所测量的波长范围内不是常数,则要对测量值做相应的修正。
