随着超大规模集成技术的发展,cmos图像传感器显示出强劲的发展趋势。cmos图像传感器可在单芯片内集成时序和控制电路、a/d转换、信号处理等功能。本文简单介绍了cmos图像传感器的背景,分析了cmos图像传感器和 ccd 图像传感器的优缺点,综述了目前cmos图像传感器的研究进展。 SqQB>;/p
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一、前言 K<(RVh
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自 60 年代末期美国贝尔实验室开发出固态成像器件和一维ccd 模型器件以来,ccd在图像传感、信号处理、数字存储等方面发展迅速。随着ccd器件的广泛应用,其缺点逐渐显露出来。为此,人们又开发了另外几种固态图像传感器,其中最有发展潜力的是采用标准cmos制造工艺制造的cmos图像传感器。| h'+ swPh
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实际上早在70 年代初,国外就已经开发出cmos 图像传感器,但成像质量不如ccd,因而一直无法与之相抗衡。90年代初期,随着超大规模集成技术的飞速发展,cmos 图像传感器可在单芯片内集成a/d转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储等功能,大大减小了系统复杂性,降低了成本,因而显示出强劲的发展势头。此外,它还具有低功耗、单电源、低工作电压(3v~5v)、成品率高,可对局部像元随机访问等突出优点。因此,cmos图像传感器重新成为研究、开发的热点,发展极其迅猛,目前已占据低、中分辨领域。现在,cmos图像传感器的一些参数性能指标已达到或超过 @ So"(^
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二、ccd 与 cmos 的比较 \;<Y/sg
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1、成像过程 EQ -\tWY
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ccd 和 cmos 使用相同的光敏材料,因而受光后产生电子的基本原理相同,但是读取过程不同:ccd 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移,整个电路非常复杂,读出速率慢;cmos 则以类似 dram的方式读出信号,电路简单,读出速率高。 y-mmc}B>N
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2、集成度 ;d4_l:9p
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采用特殊技术的ccd读出电路比较复杂,很难将a/d转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储功能集成到一块芯片上,一般需要 3~8 个芯片组合实现,同时还需要一个多通道非标准供电电压。借助于大规模集成制造工艺,cmos图像传感器能非常容易地把上述功能集成到单一芯片上,多数cmos图像传感器同时具有模拟和数字输出信号。 &V$R@~x
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3、电源、功耗和体积 |rQ;|+.
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ccd 需多种电源供电,功耗较大,体积也比较大。cmos 只需一个单电源(3v~5 v)供电,其功耗相当于 ccd 的1/10,高度集成cmos 芯片可以做的相当小。 .xx9tP}Xy
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4、性能指标 v)06`G
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