一. 引言 5 #uO'<2$
全球性的能源短缺和环境污染在经济高速发展的中国表现得尤为突出，节能和环保是中国实现社会经济可持续发展所急需解决的问题。 每年照明电能消耗约占全部电能消耗的12%~15%，作为能源消耗的大户，必须尽快寻找可以替代传统光源的新一代节能环保光源。LED以其较之于传统照明光源所没有的优势，诸如较低的功率需求、较好的驱动特性、较快的响应速度、较高的抗震能力、较长的使用寿命、绿色环保以及不断快速提高的发光效率等，成为目前世界上最有可能替代传统光源的新一代光源。虽然半导体照明事业才刚刚起步，照明用LED还有很多问题要解决，但是，随着化合物半导体技术的迅猛突破和封装技术的不断提高，LED在照明领域的应用开始形成并逐步扩大，半导体LED固态光源替代传统照明光源已是大势所趋。 A@ VaaX
半导体照明产业链由衬底制备、外延生长、芯片制造、LED封装和照明应用等环节组成。LED封装处在产业链的中下游，担负着承前启后、上下沟通的重任，既要将上游提供的芯片之性能发挥到极致，又要配合下游照明应用的需要封装出最合适的产品，还要充当产业链中信息沟通和反馈的角色。封装技术对LED性能的好坏、可靠性的高低，起着至关重要的作用。LED要作为光源进入照明领域，必须比传统光源有更高的发光效率、更好的光学特性、更长的使用寿命和更低的光通量成本，传统LED的封装技术是很难达到这些要求的。照明用LED的封装有别于传统LED，必须采用更高更新的封装技术和可靠性控制手段，才能制造出符合照明应用要求的LED光源，使其顺利进入照明领域。 ZgF/;8!~V-
本文通过分析各种照明用LED封装技术的优劣和影响LED可靠性的因素，指出提高LED可靠性的途径，并探究可行的半导体照明LED封装的技术解决方案。 w~-X>~ }
,f<B}O
二. LED封装概述 { %7<"
2.1 LED封装的一般工艺流程 l{EU_|q
LED是当一定电流通过时能发出一定颜色光的一种小型半导体器件。LED的核心是芯片，LED的基本光电特性主要取决于芯片；同时，封装对LED的最终性能也起着至关重要的作用。LED封装就是将芯片与电极引线、管座和透镜等组件通过一定的工艺技术结合在一起，使之成为可直接使用的发光器件的过程。LED封装的一般工艺流程如下： A'g,:8Ou
w6 U
@t W
荧光粉烘烤 OOLe[P3J3
透镜安装/ " L_-}BK
灌胶成型 p lku-O;]
胶体烘烤 tp+=0k2i
半切 HDj$"pS
初测 WZ"W]Jyy{
二切 j`9Nwa
测试分档 kI M
C~Z
检验包装 r<_2qICgP
荧光粉涂布 D B8s
焊线 4<Kgmy
固晶烘烤 E\! n49
固晶 kH2oK:lN
2FT-}w 0;
图 1.LED封装一般工艺流程（以白光LED为例） 6 +ANAk
)P a*+ew7
基于照明领域对光源的要求，照明用LED的封装技术必须有新的变革和发展，其封装工艺流程有别于传统概念的LED。 n_; S2KM
2.2 LED封装的发展过程 4?]ZV_BD
随着芯片性能、发光颜色、外形尺寸和安装方式的不断更新进步，以及应用需求的不断增加，LED的封装技术也在不断推陈出新。图2显示的是LED封装形式的演变和技术进步的过程。 \_>?V5(
最早封装的LED 9l l|JeNi
直插式LED u_Zm1*'?B
食人鱼LED dJE`9$jN
功率形LED @ RX`> r{_
通用照明LED J ";=d4Sd
`vX4! @Tw
图2. LED封装形式的进程 cu Mc*i$w!
2.3 LED的封装形式 4tn jXP8
常规小功率LED的封装形式主要有：直插式DIP LED、表面贴装式SMD LED、食人鱼Piranha LED和PCB集成化封装。功率型LED是未来半导体照明的核心， LED的功率化封装是本文研究的主要内容。 :p$EiR
目前功率型LED主要有以下封装形式： TK %< a/
三. 功率型LED封装的关键技术 id4]|jb
3.1 照明领域对半导体LED光源的要求 F,.Q| .nN
传统LED的光通量与白炽灯和荧光灯等通用光源相比，距离甚远。LED要进入照明领域，首要任务是将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。由于LED芯片输入功率的不断提高，对功率型LED的封装技术提出了更高的要求。针对照明领域对光源的要求，照明用功率型LED的封装面临着以下挑战： Wx k ; g
① 更高的发光效率； x
Ty7lfSe
② 更高的单灯光通量； N1s.3`
③ 更好的光学特性（光指向性、色温、显色性等）； #'iPDRYy
④ 更大的输入功率； c.-cpFk^L&
⑤ 更高的可靠性(更低的失效率、更长的寿命等)； oB}K[3uB:t
⑥ 更低的光通量成本。 '2xcce#
这些挑战的要求在美国半导体照明发展蓝图中已充分体现（详见表1）。我们可以通过改善LED封装的关键技术，来逐步使之实现。 >F|qb*Tm7
技术指标 照明用LED2002 照明用 &/D OO ^
LED 2007 照明用 o oDdV
>
LED 2012 照明用 8.-S$^hj~6
LED 2020 白炽灯 荧光灯 &58 {
发光效率(lm/W) 25 75 150 200 16 85 rFO_fIJn o
寿命(khr) 20 >20 >100 >100 1 10 ;x16shH
光通量(lm/lamp) 25 200 1,000 1,500 1,200 3,400 K+-z Y[3
输入功率 (W/lamp) 1 2.7 6.7 7.5 75 40 {70 Ou}*
每千流明成本 ($/klm) 200 20 <5 <2 0.4 1.5 h-,?a_
单灯成本 ($/lamp) 5 4 <5 <3 0.5 5 ' DeW<Sa~
显色指数 (CRI) 75 80 >80 >80 95 75 WN1Jm:5YV
可渗透的
" Ac~2<V
照明市场 低光通量 <oZ(n g@X
要求领域 白炽灯 i.F8
市场 荧光灯 MyqiBGTb
市场 所有照明领域 q>P[n z%
IY 0 3"
表 1：美国半导体照明发展蓝图（OIDA 2002.11） {sl~2#,}b1
3.2 提高LED的发光效率 i<bxc
3.2.1 提高发光效率的途径 Pwg/Vhfh
LED的发光效率是由芯片的发光效率和封装结构的出光效率共同决定的。提高LED发光效率的主要途径有： ,Q+\h> I
①提高芯片的发光效率； p!QR3k.9s
②将芯片发出的光有效地萃取出来； sl% #u9r=
③将萃取出来的光高效地导出LED管体外； X;(oz]tr$
④提高荧光粉的激发效率（对白光而言）； Yu1Q cFuy
⑤降低LED的热阻。 '%);%y@v
3.2.2 芯片的选择 Xn PJ C'
LED的发光效率主要决定于芯片的发光效率。随着芯片制造技术的不断进步，芯片的发光效率在迅速提高。目前发光效率高的芯片主要有： HP公司的TS类芯片、CREE公司的XB类芯片、WB（wafer bonding）类芯片、ITO类芯片、表面粗化芯片和倒装焊类芯片等等。我们可以根据不同的应用需求和LED封装结构特点，选择合适的高发光效率的芯片进行封装。 t( wZiK}
3.2.3 出光通道的设计与材料选择 7
T mK
芯片选定之后，要提高LED的发光效率，能否将芯片发出的光高效地萃取和导出，就显得非常关键了。 A0UV+ -PP
3.2.3.1光的萃取 sD2*x T
当光线由一种介质进入另一种介质时，入射光一部分被折射，另一部分被反射。若光线由光密介质（折射率n1）射向光疏介质（折射率n2），当入射角（i1） 大于全反射临界角（ic）时，折射光线消失，光线全部被反射，如图21所示。ic=Sin-1n2/n1, n2 ＜ n1，若n2与n1的数值相差越大，则全反射临界角（ic）越小，光线越容易发生全反射现象。 |$Qp0vOA}
图21.光线在不同介质界面的折射和反射 ZRX^^y N
由于芯片的有源层（即发光层）的折射率较高（GaN n=2.4,GaP n=3.3），如果出光通道与芯片表面接合的物质的折射率与之相差较大（如环氧树脂为n=1.5），则会导致芯片表面的全反射临界角较小，芯片发出的光只有一部分能通过界面逸出被有效利用，相当一部分的光因全反射而被困在芯片内部，造成萃光效率偏低，直接影响LED的发光效率。为了提高萃光效率，在选择与芯片表面接合的物质时，必须考虑其折射率要与芯片表面材料的折射率尽可能相匹配。采用高折射率的柔性硅胶作与芯片表面接合的材料，既可以提高萃光效率，又可以使芯片和键合引线得到良好的应力保护。 87+.pM|t%
GaN类倒装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4）→蓝宝石（n=1.8）→环氧树脂（n=1.5）→空气（n=1）；GaN类正装芯片封装的LED的出光通道折射率变化为：有源层（n=2.4）→环氧树脂（n=1.5）→空气（n=1）。采用倒装芯片封装的LED的出光通道折射率匹配比正装芯片要好，出光效率更高。 {uEu >D$8
3.2.3.2光的导出 8 NxUx+]
（1）设计良好的出光通道，使光能够高效地导出到LED管体外： (I>HWRH
①反射腔体的设计； $1b]xQ
②透镜的设计； FoQ?U=er
③出光通道中各种不同材料的接合界面设计和折射率的匹配； )CFk `57U
④尽可能减少出光通道中不必要的光吸收和泄漏现象。 3Hy%SN(
（2）出光通道材料的选择： u"* J[M~
①高的透光率； 'w'Dwqhmr
②匹配良好的折射率；
v*smI7aH
③抗UV、防黄变特性； K?$ 9N}+
④高的温度耐受能力和良好的应力特性。 -e &$,R>;
3.2.4 荧光粉的使用 U.Pa7tn
/4(Z`e;0
就白光LED而言，荧光粉的使用是否合理，对其发光效率影响较大。首先要选用与芯片波长相匹配的高受激转换效率的荧光粉；其次是选用合适的载体胶调配荧光粉，并使其以良好的涂布方式均匀而有效地覆盖在芯片的表面及四周，以达到最佳的激发效果。传统上将荧光胶全部注满反射杯的做法，不但涂布均匀性得不到保障，而且会在反射腔体中形成荧光粉的漫射分布，造成不必要的光泄漏损失，既影响光色的品质，又会使LED光效降低。如图22、23所示。 D7EXqo
3L?WTS6(u
图22.荧光粉传统涂布方式 图23.荧光粉薄膜式涂布方式 ^8b~ZX
3.2.5 热阻的降低 M\9 at\$
LED自身的发热使芯片的结温升高，导致芯片发光效率的下降。功率型 LED必须要有良好的散热结构，使LED内部的热量能尽快尽量地被导出和消散，以降低芯片的结温，提高其发光效率。 G~JC gi
芯片结温（TJ）与环境温度（TA）、热阻（RthJA）和输入功率（PD）的关系是： Dp%5$wF)8
TJ=TA+RthJAPD L -`(!j
在输入功率PD一定的情况下，热阻RthJA的大小对结温的高低有很大的影响，也就是说，热阻的高低是LED散热结构好坏的标志。采用优良的散热技术（将在本文4.3.1中详述）降低封装结构的热阻，将使LED发光效率的提高得到有效的保障。 Ewa[Y=+tx
3.3 改善LED的光学特性 .L~f Fns/
3.3.1 光强的空间分布 +dDJes!]
与传统光源相比，LED发出的光有较强的指向性，如果控制得当，可以提高整体的照明效率，使照明效果更佳。如何根据照明应用的需要，调控LED的光强空间分布呢？我们可以通过以下步骤来实现。 0Ddn@!J*
①清楚了解芯片发光的分布特点； Lr K9F^c
②根据芯片发光的分布特点和LED最终光强分布的要求设计出光通道： x&QNP
l 反射腔体的设计； &uv>'S#%
l 透镜的设计； U p_>y>x
l 光线在出光通道中折射和漫射的考虑； }*xC:A%aS
l 出光通道各部分的几何尺寸的设计和配合。 V#p G; ,
③选择合适的出光通道材料和加工工艺。 I[tAT[ <
3.3.2 光色的均匀性 ( K^YD K
3.3.2.1 LED白光生成的技术路线
*K]>}
目前最常用的LED白光生成的技术路线有如下三条： c ,Qw;
① 蓝色芯片+黄色荧光粉（YAG/TAG）_白光； zG& WWc`K
② RGB三基色芯片混色_白光，或BY双芯片互补混色_白光； ['/;'NhdlY
③ UV芯片+RGB荧光粉_白光。 e@='Q H
其中第三条技术路线还未达到实用阶段。第二条技术路线由于不同颜色芯片的光衰速度不同、芯片的光电参数匹配有一定困难和驱动电路较为复杂等原因，只局限于在一些特殊场合里应用。第一条技术路线的工艺方法相对简单，效率较高，具有实用性，普遍被白光LED产业化生产所采用。 Rh!L'? C
第一条技术路线的工艺方法，是将荧光粉与载体胶混合后涂布到芯片上。在操作过程中，由于载体胶的粘度是动态参数、荧光粉比重大于载体胶而容易产生沉淀，以及涂布设备精度等因素的影响，荧光粉的涂布量和均匀性的控制有难度，导致白光颜色的不均匀。 Wpiv1GZ%c8
3.3.2.2改善光色均匀性的方法 ? y+\v'3v
① 出光通道的设计； U;x9 9Go:
② 荧光粉粒度大小的合理选择； p*A^0DN'Fn
③ 载体胶粘度特性的把握； $I?=.:<+
④ 改进荧光胶调配的工艺方法，防止操作过程中荧光粉在载体胶内产生沉降； k/$Ja;
⑤ 采用高精度的荧光粉涂布设备，并改良荧光胶涂布的方法和形式（如图23所示）。 Rh wt <
3.3.3 色温与显色性 43UJ#rF
色温点是在黑体辐射轨迹上的，如果光源的色坐标（x,y）不在黑体辐射轨迹上，那光源的色温只能用相关色温来表示（如图24）。光源的色坐标越靠近黑体辐射轨迹，其光色越接近传统光源，其显色性也越好。传统光源通常是用色温来描述其光色的，对白光LED而言，最准确的光色描述应该用色坐标值（x,y）来表示。 4U}.Skzq
图24. 相关色温线图 '?&B5C
白光LED色温的调控主要是通过蓝色芯片波长的选定、荧光粉受激波长的匹配和荧光粉涂布量、均匀性的控制来实现的。基于第一条LED白光生成技术路线的机理和荧光粉的特性，早期传统的白光LED在高色温区域（>5500K）里，色温的调控比较容易实现，显色性也较好（Ra>80）。而在照明应用通常要求的低色温区域（2700K～5500K）,传统白光LED的色温调控较难，显色性也不佳（Ra<80），与照明光源的要求有一定的差距。即使可以生成低色温的白光，其色坐标也偏离黑体辐射轨迹较远（通常是在轨迹上方），使其光色不正，显色性差。要解决这一问题，关键是荧光粉的改良。我们可以通过添加红色荧光粉，使LED发出的白光的色坐标尽量靠近黑体辐射轨迹，从而改善其光色和显色性。目前改善白光LED在低色温区的显色性的主要方法有： s4\SX,
① 尽量选用短波长的蓝色芯片（λD<460nm）； , \.YJD>z
② 分析白光LED发光谱线的缺陷，选用含有可以弥补这些缺陷的物质的合适的荧光粉； U)&H.^@r$
③ 改善荧光粉的涂布技术，保证荧光粉得到充分而均匀的激发； nEjo,
④ 采用其它具有显色性优势的白光生成技术路线。 MAsWds`bpB
3.4 提高LED的单灯光通量和输入功率 HV]~=Bw2I
目前LED的单灯光通量偏小，独立应用于照明有较大的局限；其输入功率也偏小，需要较多的外围应用电路配合。LED要进入照明领域，必须提高LED的单灯光通量和输入功率。 7AZ5%o
①在输入功率一定的前提下，提高LED的发光效率是获取更大单灯光通量的最直接的途径； k@'?"CP\Xq
②采用大面积芯片封装LED，加大工作电流，可以获得较高的单灯光通量和输入功率； F?yh23&_4
③采用多芯片高密度集成化封装功率型LED，是目前获得高单灯光通量和高输入功率的最常用方法。 =Bcux8wA#6
在以上途径中，散热技术是关键。提高LED的散热能力，降低热阻，是提高LED的单灯光通量和输入功率得以实现的根本保障。 34&u]4=L)
3.5 改善LED的可靠性 $bF`PGR_
在实际应用中，人们普遍关注的LED可靠性问题主要有：死灯、光衰、色移、闪烁和寿命等等，本文将在第四点详细讨论。 ` 4s#5g
3.6 降低LED的成本 (.jO:#eE%
价格高是半导体LED进入照明领域的最终瓶颈。就封装技术而言，LED要降低成本，必须解决以下问题： X =S}WKu
①成熟可行的技术路线； Qs#9X=6e@
②简单可靠、易于产业化生产的工艺方法； *so6]+)cU
③通用化的产品设计； RW| UQY#
④高的产品性能和可靠性； (hD X4;4
⑤高的成品率。 *~\;&G29Y
r9p?@P\:[
四．LED的可靠性 hr/xp QW
4.1 概述 $6 Q2)^LJ
LED要进入照明领域，其可靠性是人们关注的一大焦点。较之传统的LED，照明LED的输入功率更大，应用环境和条件更加恶劣和严苛，这对LED封装的可靠性提出了更高的要求。我们必须仔细研究LED的失效现象，分析其失效机理，找出影响LED可靠性的关键因素，从而采取相应的可靠性技术，解决LED的可靠性问题。 \? 5[R R
4.2 LED的失效分析 `Z;B^Y0
4.2.1 基本概念 $G^H7|PzdC
（1）可靠性:元器件在规定的条件和时间内，完成规定功能的能力。 f_z2#,g
（2）失效:元器件执行规定的功能的能力的终止。 "GIg| 3
元器件可靠性的高低（可靠度）可以通过其失效现象出现的频次（失效率）来描述。 s5_ 1}KKCs
（3）LED的失效类别： *YiD B?Si
①严重失效：关键的光电参数改变至LED不能点亮的程度。 J.CZR[XF#
②参数失效：关键光电参数由初始值改变至超过规定的程度。 >o=axZNa
4.2.2 LED的主要失效现象如下表所列： RP ScP
序号 失 效 现 象 失效类别 $w2[5|^ S
1 开路式短路 严重失效 X:zyzEhS
2 在正常测试条件下光输出中止 严重失效 y$;zTH_6j
3 闪烁 严重失效
YV2pERl
4 不正常光衰（寿命变短） 参数失效 qB` 0^V
5 色移 参数失效 h:US]ZC^Z
6 光指向性变坏 参数失效 qZyt>SAx
7 电参数（VF或IR）变坏 参数失效 <+mO$0h"r
8 结构受损 严重/参数失效 1 *eWvYo1
Z;dw n~Tw
表 2 MRxo |A{
我们可以通过分析LED的失效模式，找出造成以上这些失效现象的原因。 52q!zx E
4.2.3 LED的失效模式 !Cv<>_N).
（1）芯片失效：指芯片本身失效或其他原因造成芯片失效，从而引发LED失效。 Nt,]00S\w
（2）封装失效：指封装设计或生产工艺不当而引发LED失效。 /M{)k_V
（3）热过应力失效：指由于发生周期性热量变化或LED内部温度超过最大额定值而引发LED失效。 xr1I 8 5kM
（4）电过应力失效：指由于承受了超过额定的电参数条件或过高的瞬态电流而引发LED失效。 37za^n? SG
（5）装配失效：指实际使用过程中由于装配不当而引发LED失效。 v~W6yjp
在以上五种失效模式当中，任何一种模式起作用，都会引发LED不同程度的失效，同时可能连带引发其他模式起作用，从而加剧LED的失效。元器件的可靠性由固有可靠性和应用可靠性两部份组成：固有可靠性是指出厂前的设计制造过程中决定的元器件本身具有的可靠性特性；应用可靠性是指元器件交付使用后，由于电路的工作条件、环境条件、人为因素等引发的可靠性问题的特性。芯片失效和封装失效两种模式属于固有可靠性范畴，热过应力失效、电过应力失效和装配失效更多的属于应用可靠性范畴。对LED封装业界而言，一方面要努力提高LED的固有可靠性，以最大限度地消除来自于应用端的不利因素对LED可靠性的影响；另一方面还要悉心指导应用端用好LED，以提高LED的应用可靠性。 fu7[8R" {
4.2.4 影响LED可靠性的主要因素 ":ws~Zep
LED在实际使用过程中，芯片不良会导致LED直接失效。环境温度的变化和LED发热在封装结构中产生的机械应力会破坏芯片、金线和电极引脚之间的连接，造成裂痕、机械性脱落或金线断裂，导致LED失效。热过应力产生的高温还会导致芯片发光效率降低，光衰加快、色移等严重后果，是LED可靠性中需重点关注的问题。电过应力产生的冲击有可能直接损坏芯片，或造成金线熔断等现象，致使LED失效。
:jN;l
由此可见，影响LED可靠性的因素主要有：芯片的可靠性、机械应力、热应力和电应力等。要提高LED的可靠性，就必须采取相应的可靠性技术，使LED的封装结构尽可能消除或减少这些因素的影响，或提高抵御这些因素影响的能力。
M\$<g
4.3 改善LED可靠性的关键技术
# 8-P
4.3.1 散热技术 })yb
在LED芯片耗散的能量当中，只有小部分（<15%）转化成光，绝大部分（>85%）变成热。如果不及时将芯片的发热导出并消散，大量的热量将积聚在LED内部，芯片的结温将严重升高，发光效率将急剧下降，可靠性（如寿命、色移等）将变坏。同时高温高热将使LED封装结构内部产生机械应力，可能引发一系列的可靠性问题。所以，解决散热问题是改善LED可靠性的重中之重。下面以L公司的Lxx封装 S型产品为例，分析LED热量消耗的路径，找出散热技术的关键点。 aV92.Z_Ku
4.3.1.1 LED的散热路径 @% 5F^Vbd
与传统LED不同，Lxx封装S型产品的散热设计的特点是将电流通道和主散热通道分离。LED芯片有源层（发光区）产生的热量，通过以下三条路径消散： 7u&H*e7
① 芯片→荧光粉胶层→灌封硅胶→透镜/管体→环境 F0o18k_"
② 芯片→金线→电极引脚/管体→环境 YRT}fd>R&
③ 芯片→固晶胶→热沉→粘合胶→铝板→环境 (vYf?+Kb
其中第1、2条路径消散的热量有限，大部分的热量是通过第3条路径消散的，它是LED散热的主要路径。 "p_[A
4.3.1.2散热通道分析 5Dh&ez`oR'
（1）好的散热通道应该具备以下条件： qkyX *_}
① 通道尽可能短，环节尽可能少； k+>p!1
② 通道材料具有较高的热传导能力，即热传导系数较高；
_ jM6ej<
③ 通道物质的热传导能力连续匹配，避免在通道中形成散热瓶颈； a} I z
④ 与环境接触的材料热消散速度快。 "M VN /Gl
（2）在第1条散热路径中，荧光粉胶层对散热的影响最大，故在满足光学特性的前提下，应尽量选择导热率高的载体胶，并尽可能将荧光粉胶层减薄。在选择灌封胶、透镜和管体材料的时候，除了考虑其光学特性、应力变化特性（热膨胀系数的匹配）外，应更多的考虑其导散热能力。 H"Em|LX^
（3）第2条散热路径实际上也是LED的电流通道，故除了考虑通道的电流承受能力外，应更多地考虑材料的导热能力。采用大线径的金线和高导热的引脚材料是不错的选择。 )="g?E 3
（4）在主散热通道中，除了考虑选择导热良好的材料外，还应考虑其装配工艺技术实现的可能性。目前蓝宝石衬底的InGaN芯片主要有正装和倒装（flip chip）两种形式。倒装芯片的散热效果要优于正装芯片。 >+W?!9[p:2
表3是Lxx封装S型产品主散热通道各种材料的导热能力对比（参图18所示）。 &opH\wa
名称 芯片 9"l%tq_
有源层 倒装 n*]x02:LjZ
焊球 衬底 固晶胶 热沉 粘合胶 散热板 hJtghG6v
材料 InGaN PbSn Si 银胶 Cu 导热胶 Al ~m"M#1,ln3
导热系数（W/mK） 170 50 146 1.5～25 401 0.5～2.0 237 hc~#l #
?\ i,JJO
表 3.主散热通道材料的导热能力分析 ;:K?7w fXn
从上表可以看出，虽然Lxx封装S型产品大功率LED整体的散热能力良好，Rth<15K/W，但其主散热通道仍存在瓶颈，还有改善的空间。 )-7( Hv1
①倒装焊球采用的是PbSn材料，导热率为50 W/ mK，熔点较低（<170℃）,在装配焊接过程中容易因高温使焊球变形，造成短路或开路，使LED失效，既不便于实际应用操作，又存在环保问题（含铅Pb）。目前倒装芯片的焊球普遍改用金材料，既可提高导热能力（导热系数为317 W/mK），又可解决温度适应性问题。 Ub-k<]yZ
②Lxx封装采用的固晶胶是银胶。银胶的导热系数不高，只有1.5～25 W/ mK，是散热通道中的一大瓶颈。如果采用银胶固晶，则需在实际生产工艺操作中，在保证晶片与热沉的粘合力足够的前提下，尽量减薄银胶的厚度，以便热量能迅速通过。 m$e@<~To
在衬底背镀AuSn或AgSn等合金材料，用共晶的方法将芯片接合到热沉上，效果要比用银胶固晶好得多。AuSn和AgSn的导热系数分别为58 W/ mK和50 W/ mK，导热能力明显高于银胶，且因为衬底与热沉之间形成了良好的合金层，故其固晶粘合力大大增加，提高了LED的可靠性。共晶固晶方法在大功率晶体管和IC封装中已是成熟的技术，移植到LED封装中不会存在太大的困难。 U1@ P/
③Lxx封装的热沉与散热铝片之间是用导热胶粘合的。由于导热胶的导热系数不高（只有0.5～2.0 W/ mK），如果粘合不良（如存在接合气隙或胶层太厚等），接合界面的热阻将大幅增加，从而形成散热通道上的另一瓶颈。 ^SES')x
改用铜片做散热板，或采用金属焊接方法（如共晶、锡膏焊等），可以将热沉牢固可靠地接合到散热片上，提高散热效果。 =?Q Qb>
4.3.2 静电防护技术 ~o \ ]K
由于GaN是宽禁带材料，电阻率较高，该类芯片在生产过程中因静电产生的感生电荷不易消失，累积到相当的程度，可以产生很高的静电电压。当超过材料的承受能力时，会发生击穿现象并放电。蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面，间距很小；对于InGaN/AlGaN/GaN双异质结，InGaN有源层仅几十纳米，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿，使器件失效。GaN基LED和传统的LED相比，抗静电能力差是其明显的弱点。 r' }k`A 5>
在产业化生产中，静电的防范是否得当，直接影响到LED的成品率、可靠性和经济效益。静电的防护技术有如下几种： Szob_IEq,
① 对生产、使用场所从人体、工作台、地面、空间、生产设备及产品运输、堆放等方面实施全方位的防静电措施，如安装连接独立的防静电地线，铺设防静电地板，人员穿戴防静电服装、手套、手环、鞋帽，用防静电容器和工具存放和运输产品，产品用防静电材料包装，以及合理使用离子风扇、静电检测仪器等。 jq]\oY8y
② 在芯片衬底上附带起静电保护作用的齐纳二极管。 u=?P*Y/|W
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4.3.3 封装材料与机械应力的防范 L``mF(R^
传统的LED是用环氧树脂封装的。当温度升高到环氧树脂玻璃转换温度Tg时，环氧树脂由刚性的、类似玻璃的固体材料转换成有弹性的材料。Tg点位于热膨胀系数（CTE）剧烈变化区域的正中间（见图27）。如果温度超过了Tg点，环氧树脂的CTE将会发生很大变化，膨胀和收缩的加剧而产生的机械应力将导致金线（或铝线）键合点位移增大，金线（或铝线）过早疲劳和损坏，造成LED开路和突然失效。另外，环氧树脂热阻高，抗紫外老化性能差，既不利于导热，又容易产生胶体黄变，降低光效。 vsk M;
图 27. 环氧树脂热膨胀系数随温度变化曲线 B?>#cpW j
在大功率LED封装结构内部填充透明度高的、低应力的柔性硅胶，在硅胶承受的温度范围内（一般为-40~120℃），胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路，也不会出现黄变现象。透镜材料的选择也需要考虑同样的问题。 7 5c r!+
4.3.4筛选技术 Ymh2qGcj]8
从典型失效率曲线（图28）可以看到，元器件在早期失效阶段（产品使用的初期）失效率较高，随工作时间的延长而迅速下降。造成早期失效的原因大多是属生产型缺陷，由产品本身存在的缺陷所致。虽然可以通过可靠性设计、加强生产过程的质量控制可减少这一时期的失效，但是进行合理的老化和筛选，尽可能在产品交付使用前把早期失效的器件淘汰掉仍然是十分必要的。 2LK* Cv[
图 28. 典型失效率曲线 | kRx[UL
照明LED是在大电流驱动下工作的，这就对其提出更高的可靠性要求。传统LED的老化筛选方式不太适合照明用功率型LED，在产业化生产中，有必要针对照明LED的要求，采用热老化、负载老化、环境试验等相关技术进行工艺筛选，剔除早期失效品，以保证产品的可靠性。 ny;)+v?mN\
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五. 功率型 LED封装技术方案的分析对比 \~m%4kzG8J
5.1 现有功率型 LED典型封装方案的比较(见表4) o3`gx
表4列出了现有功率型 LED典型封装方案的结构、性能、可靠性及其他方面的对比。从对比结果我们可以看出，结构简单、成本低的功率型 LED其性能和可靠性不佳，而性能和可靠性好的LED其成本就比较高。如何生产出发光效率高、可靠性好而又价格便宜的照明LED，是我们要努力探索和解决的问题。 *xX0]{49q
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表4. 现有功率型 LED典型封装方案的比较 F_
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封装 J*kzJ{vwy*
方案 封装 OTbjZ(
结构 结构特点 散热结构 发光 "MKsSty
效率 光学 AZm)$@e)
性能 热阻 寿命 可靠性 工艺 `E%d $
难度 批量 o ML
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生产 外观 MhXm-<4
感觉 适用性 成本 A&|(%
图3 GAe_Z( T
图4 图5 ① 与传统直插式LED结构一样； +R jD\6bJb
② 引脚改为铜材； ; bu;t#
③ 管体是环氧树脂，内应力大，易黄变。 ① 热、电通道合一； k{$"-3ed
② 引脚散热能力不足，散热效果差； j;c ^pLUP
③ 不便于二次散热。 低 中 高 短 低 小 易 中 差 低 o lW`.3f
图6 图7 ① 仿食人鱼封装结构； >@\?\!Go
② 管体是环氧树脂，内应力大，易黄变。 ① 热、电通道分离； 1+[|pX T}
② 热沉小，且大部分被环氧树脂包裹； 0hr)tYW,G
③ 散热能力一般。 较高 中 较高 较短 低 较小 较易 良 较差 较低 dEl3?~
图8 图10 ① 芯片用固晶胶直接安装在散热铝片上； LWR &(p.%
② 透镜外加，牢固 度不足。 ① 热、电通道分离； '
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② 固晶介面接合不可靠，热阻较高； 04LVa|Y@U
③ 散热能力一般。 较低 中 较高 短 低 较大 难 中 较差 较低 s%re>)=|
图11 s~'C 'B?
图12 —— ① 芯片直接安装在散热片上； 7o%|R2mL}
② 光学设计配合困难； ;-w PXXR
③ 外形特别，适用性差。 ① 热、电通道分离； ymJw{&^am
② 可用共晶方式固晶； Ho*R LVI0U
③ 散热能力较强。 较低 差 较低 较长 较高 较大 较难 差 差 较低 !c' ;L'
图13 图15 ① 仿SMD结构封装； tWy<9 TF
② 有较大的反射腔体； @Pg@ltUd
③ 内部用柔性硅胶灌封。 ① 热、电通道分离； JH OBg{Wg
② 热沉较小，需二次散热； Nv#, s_hG
③ 散热能力强。 高 良 较低 长 高 大 易 优 较强 高 {dH<Un(4Z
图17 图18 ① 塑料框架式封装，透镜外加； ]qT r4`.
② 内部用柔性硅胶灌封。 ① 热、电通道分离； , X +(wp
② 热沉较小，需二次散热； xVo)!83+Q
③ 散热能力强。 高 优 低 长 高 大 较易 优 强 高 W- B[_
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5.2 一种新的功率型 LED 封装技术方案 HBYpjxh
由于照明用功率型 LED的输入功率高，发热量大，封装的管子如果不加装良好的散热片进行二次散热，是不可能单独正常使用的。既然芯片的热量要经过一条多环节的散热通道才能到达散热片上（如图18所示），何不将散热通道缩到最短，将芯片直接固定在散热片上进行封装呢？基于这一思路，一种新的功率型 LED封装技术方案——金层夹层线路板上覆晶（Flip Chip On MCPCB）被提出来了，结构如图29所示。 Jm^jz
图29. MCPCB覆晶式功率型 LED Z1}zf( JU
5.2.1 方案说明 A MiFs gBj
（1）MCPCB 的制备： |1 6v4 R
① 在一块平整度和光洁度良好的铜或铝散热基板上，敷镀一层适当厚度的纳米级高导热陶瓷粉末，作为MCPCB的绝缘层； F#R\Ot,hv
② 在基板的正面，用镀膜的方法沉镀一层铜箔，作夹层线路布线之用； ph+tk5k
③ 根据芯片覆晶图形和实际应用需求，在铜箔上刻蚀出覆晶功能区、引线电路和引线接口； \d`Sz
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④ 在覆晶的功能和引线接口上沉镀一定厚度的金（Au），以满足覆晶工艺和引线外接的需要； a#j^g u$m
⑤ 在覆晶功能区和引线接口以外的区域涂上油墨保护层。至此，覆晶用MCPCB 制备完毕。 lt"*y.%@b
（2）用倒装焊接技术将芯片固定在MCPCB覆晶功能区上。 Q";eyYdOL
（3）在MCPCB上加上合适的透镜，并注入柔性灌封硅胶，这种新型的功率型 LED 便封装完成。 `cRB!w=KHV
5.2.2 方案优点 DN_C7\CoA
（1）结构本身散热性能优异，便于二次散热操作，可靠性大大改善。 S}I=i>QB
（2）出光直接发光效率提高。 (NlEb'~+
（3）省却焊线工序，固晶焊线一次完成，工艺简单、流程缩短，容易形成大规模生产。 +`[Sv%v&L
（4）操作灵活，适应性强，既可以单管分立封装，又可以大尺寸模块集成化封装，可以适应不同的照明应用要求。 >gl <$LQ?X
（5）方便满足照明应用的光学设计的不同需求。根据应用的需要，MCPCB上可以加各种形状的透镜，也可以完全不加透镜；要产生白光时，荧光粉可以直接涂布在芯片表面，也可以像普通荧光灯一样，将荧光粉喷涂在灯具透光板上，在透光板上激发出白光。 S, >n'r[
（6）省却很多一般功率型 LED封装所需的材料和繁复的工艺，封装成本下降。 y=`(`|YW}`
5.2.3 工艺可行性 (pg9cM]NA
（1） 倒装焊覆晶的设备现成，技术成熟，只需在实际生产中想办法提高良品率； CT`X~y10
（2）MCPCB 的制备有现成的技术，进一步发展和成熟便可行。 cW%O-
5.2.4 存在问题 h0pr"]sO;$
（1） MCPCB 制备技术有待进一步发展和成熟； e 4LNnJU\|
（2） 倒装焊工序良品率有待提高； !d )i6W?
（3）来自各方面的机械应力可能导致倒装焊金球与芯片或MCPCB分离，造成LED失效； %05a>Rf&
（4） 倒装焊设备价格较高，投资成本较大。 YtQWArX,
5.2.5 方案对半导体照明产业的意义 J8'zvH&I
照明领域对半导体LED光源的总体要求是高发光效率、高可靠性和低成本，从方案的优点描述我们可以看到，它基本上能够满足这些要求。虽然方案刚刚被提出，实施操作可能存在困难，其可行性还存有疑问，对传统的LED封装业可能产生较大的冲击，但对半导体照明产业而言，它不失为一条极为值得探索的技术路线，其意义是重大而深远的。 +.uk#K0o
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六．结语 K>6p5*&
上述是本人在LED封装领域从事技术工作多年的一些经验总结和心得体会，以及本人对半导体照明LED封装技术和可靠性的初步认知。
