NEC开发出新型硅发光二极管,可将光信号高速转换为电信号

　　NEC开发成功了可将光信号高速转换为电信号的硅发光二极管，并在“国际纳米综合展·技术会议（nano tech 2005）”上展出。通过采用硅材料生产，不仅可以减小光通信系统的体积、实现低成本，而且将来还有望在LSI内部的光布线中使用。  f/pr  
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　　一般情况下，硅发光二极管与InP（磷化铟）等制成的化合物半导体相比，光吸收率及载流子迁移率较低，因此很难提高灵敏度。而此次通过在传感器上部设置银制天线、利用称为表面等离子体谐振（Surface Plasmon Resonance）现象生成了很强的近场光，从而解决了这一问题。另外，通过大幅减小元件体积，降低了寄生电阻和寄生电容，从而实现了可与20GHz化合物半导体媲美的高速特性。这样，便实现了比原来的硅二极管快1位数以上的应答速度，今后通过改进元件构造，理论上还可实现100GHz以上的超高速信号传输。