随着光子集成电路(PIC)在量子光学、光通信等领域的广泛应用,光子芯片内部的损耗和增益成为影响系统性能的重要参数。长期以来,光子芯片的损耗和增益只能在整体层面进行测量,无法精确诊断各个组件或接口的损耗来源。针对这一痛点,美国弗吉尼亚大学团队提出了一种无损测量方案,无需拆解电路,通过比较从芯片左右端面泵浦时非线性效应所需功率的差异,即可分离左右端面损耗,并进一步解析片上单个器件的未知损耗或增益,实现对每个组件的精准量化。这项工作为复杂PIC的快速定位、良率提升与系统级优化提供了更清晰的路径。成果以“Universal loss and gain characterization inside photonic integrated circuits”为题发表于Nature Photonics上。 H\8i9RI
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测量原理:用“非线性阈值”当尺子 X-Xf6&U