在本示例中,
模拟了衰减相移掩模。 该掩模将线/空间图案
成像到光刻胶中。 掩模的单元格如下图所示:
myWa>Mvb =q*j". <
'$be+Z32 #mc GT\tQ 掩模的基板被具有两个开口的吸收
材料所覆盖。在其中一个开口的下方,位于相移区域。
j1P#({z[ ^Hv4t 由于这个例子是所谓的一维掩模(线/空间模式),在xy平面中有一个2D仿真域。在源
文件中设置3DTo2D = yes标签,以执行用户自定义传入方向的自动转换。启用此标记后,就可以描述传入区域,就好像光轴与Z轴重合一样。这允许统一设置2D和3D的掩模模拟项目。由于
光线从基板下方进入,光线的传输方向为+Z方向。
!\1Pu| +C9l7 q 相位分布如下图所示:
" [K>faV l0{R`G,
#j${R={ JXF@b-c 相移区域的影响清晰可见,导致开口上方
光束的180度相位差。同时光场的S和P分量也显示出相位差:
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