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本课程演示了受激拉曼散射对短孤子脉冲的影响。 2geC3v% 0o 布局及其全局参数如图1和图2所示。 pdu <us{4% 图1.光路布局 Z}f_\d' 图2.全局参数设置 ~(S4/d5 图3.脉冲生成器设置 znRhQ+8;! 非线性色散光纤组件的参数如图4所示。该布局模拟了高阶孤子脉冲的传播。 5Yr$dNe 脉冲宽度(FWHM)为450.62fs,对应的T0值为T0≈(TFWHM/1.763)=255.6fs。 m$g^On 1i2w<VG1 图4.非线性光纤设置 )T_#X! 设置完成后运行程序,可以看到输出脉冲形状和频谱如图5所示。 1=.?KAXR ,:{+
H 图5.初始脉冲 z$b!J$A1 输出脉冲形状和频谱如图6所示。可以看出,受激拉曼散射对高阶孤子的影响是将其分解。 ]vErF=[U, u&bU !ZI 图6.输出脉冲 'h=2_%l@Y 此外,通过比较输入和输出脉冲频谱,可以清楚地看到孤子自频移现象。 8m0sEV> 归一化频移: B:.rp.1 ]^<~[QK_C
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