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    [技术]Techwiz LCD:LCOS模拟 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2024-02-06
    LCOS像素尺寸直接减小到理论要求的尺寸会明显导致像素尺寸和LC层厚度的比例过小,使得LCOS中相邻像素之间电场相互干扰产生边缘场效应。 cPcV[6)5K9  
    ,#T3OA!c**  
    任务描述 ".%LBs~$  
    ib_Gy77Os  
    使用Techwiz LCD 3D模拟的LCOS结构如下(考虑了PBS): /09=Tyy/\  
    <k](s  
    Lf#G?]@  
         j6vZ{Fx;w  
    模拟条件: (J&Xo.<Z-  
    LC >!1f`  
    -. K11 : 16.7[pN], K22 : 7.3[pN], K33 : 18.1[pN] }i&dZTBGW  
    -. 螺距 : Infinite N o(f0g.  
    -. 旋转粘度[mPa] : 186 w<Cmzkf  
    -. 平行介电常数 : 3.6 \bic.0-  
    -. 垂直介电常数 : 7.1 x\.i `ukx  
    -. Ne : 1.5578, No : 1.4548 ]$*{<  
    配向 _}@n_E  
    预倾角:90°,95°,80° nq f<NH3i  
    方位角:45° eC?/l*gF 3  
    盒厚 1gm/{w6O  
    2.67um s;s-6%p  
    <IyLLQ+v  
    仿真结果 ^-GX&ODa  
    x{>Y$t]  
    预倾角80° q7&yb.<KD.  
    6 ]PM!6  
    U;{,lS2l  
    ^70.g?(f[  
    预倾角80° 电压3V :{:?D\%6  
    )O@^H   
    =9 M|o0aY  
       IS2Ij  
    预倾角80° 电压6V ;b?+:L  
    W}k?gg=  
    8EG8!,\I  
       v* ~%x  
    预倾角 85° a^c ,=X3  
    o+-Ge J  
    UD<^r]'x  
    o|qeh<2=x  
    预倾角85° 电压3V #)mkD4  
    1mn$Rh&dO  
    V\K m% vP  
       92aDHECo  
    预倾角85° 电压6V RA/ =w&  
    Z#Zzi5<  
    y'!p>/%v  
       /-{O\7-D  
    预倾角90° tw4am.o1]  
    [wio/wc  
    A,lw-(.z4Z  
    k]$E8[.t  
    预倾角90° 电压3V OpbT63@L  
    *KjVPs  
    0|s$vqc  
       x|v[Dxf]  
    预倾角90° 电压6V nhP~jJn  
    B`Or#G3ph  
     
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