简介:
@InJ_9E 5EhE`k4 本文的目的是介绍FRED的
材料性质方面一些高级的设定,这些设定共分成以下几个部份。
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双折射晶体和
偏振光
干涉 ^
图5. 光源相干性设置
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图6. 光源偏振设置
图7. 光源位置和旋转
4(sttd_ <[5#c*A 在几何
结构文件夹(geomertry)下右击,选择新建
透镜(lens)。如下如设置半径10,厚度2,双面曲率为0,在原点处,并且把方解石材料的套用在该透镜上。如下图所示。
4g'}h`kh 图8. 新建方解石平板
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oS|f0 =VCQ* 在几何结构文件夹下(geometry)下右击,新建基本元件(create element primitive),平面(plane),半长宽分别是10单位,旋转 -45度,向z轴负方向平移5个单位。把偏振镀膜套用在偏振片上。
w=$'Lt! nr<.YeJ 图9. 新建偏振片
uf?b%:A UhA_1A'B 同样步骤建立接收面,半长宽分别12,位置在(0,0,10)处。
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xQa+ 图10. 接收面
%OFj $$~a=q,P[ 设立分析面,并且套用在接收面上。这里分析面对尺寸设置为可以自动匹配到数据范围。
2@5A&b 图11. 分析面 nO}$ 76*'0
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C7l 到这里设置已经完毕,整个系统看起来像下图的样子,也可以到 Edit/Edit View Multiple Surfaces 下查看各个表面的材料,镀膜,光线控制等性质。
hJ4S3b 图12. 整体系统 )?9\$^I
图13. 各个表面性质
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/8qB~J* y\z*p&I 现在定性讨论一下干涉的效果。因为光源与偏振片的偏振方向垂直,所以只有偏振方向改变的光线能够通过。光线通过单轴晶体时,分为o光(ordinary)和e光(extraordinary),其中o光电场分量与主平面(光线与光轴组成的平面)垂直,e光电场分量与主平面平行,在晶体内o光和e光的速度一般会不同(与光轴和光线方向有关),即等效折射率不同,所以两种光分开一个很小的角度,而且传播同样距离会有一个相位差。由于o光e光偏振角度不同,并不能直接相干,但是两种光投影在偏振片上的分量是满足相干条件的。两种光的相位差是随着倾斜角度变化的,所以随着倾角的变化会出现明暗交替的环。
>OTl2F}4 ! 对于同一个倾角的光线,不同方位角的光线投影在单轴晶体上的的o光和e光分量大小不同,这些o光和e光投影在偏振片上分量也随着方位角而变化,所以可以设想同一环上的光强也会随着方位角而周期性变化。实际上,会在相干环上出现一个暗的十字刷。
E7gL~4I 下面追迹光线并且查看能量分布,如下图所示。
tUrNp~ve, 这里改变了绘图样式和颜色级别,可以通过右击图表,选择change color level 来设置。
1zR/HT 图14. 光线追迹效果 @Z"?^2
Bf+^O)Ns^ 在 Analysis/Polarization Spot Diagram (Ctrl+Shift+L) 里查看分析面上的光线偏振情况,应该都是方向为-45度的线偏光,如下图所示。也可以将接收面移动到偏振片之前,将接受面沿z轴的偏移量从10 单位长度调整到3,查看一下这里光线的偏振情况。可以看到o光和e光在同一倾斜角,不同方位角时分量会不同。
mMslWe 图15. 分析面上光线的偏振情况 Djyp3uUA/
图16. 偏振片前光线的偏振情况 0hb/`[Q
*H?t;,\ 下面考虑将偏振片旋转一定角度后干涉结果会如何变化,如下图,将偏振片绕z轴旋转 -80度。
]p}#NPe5 图17. 将偏振片旋转一定角度 rF'<r~Lw
图18. 旋转偏振片后的干涉情况 c0SX]4}
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%/X2 l 偏振干涉的干涉图样是千变万化的,现在调整光轴方向倾斜一个小的角度,观察会出现什么结果。
:` ;(p{ 晶体的光轴或者渐变折射率材料(GRIN)的方向可以在 Tools -> edit/view GRIN/Birefrigent Material position/orientation (查看调整渐变折射率材料/双折射材料位置方向)中调整,分别选者材料和元件,调整位置或角度,如下图所示。
"TUPYFK9 图19. 调整双轴晶体晶轴方向 dUZ$wbV%h
图20. 光轴沿线x轴旋转3度后的干涉图样
+{'lZa 从上图可以看出,倾斜光轴只是相当于平移了干涉图样。