@3?dI@i( 在本
教程项目中，我们计算了带有掺杂二氧化硅芯的圆柱形
光纤的基本传播模式。
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WG&WPV/p NV\{$*j(|J f Q f5% O7f"8|=HX I\= &v^] 磁芯具有相对介电常数ϵcore=2.113和直径dcore=8.2μm。包层具有相对介电常数ϵcladding=2.1025和直径dcladding=80μm。我们假定磁场的切向分量在外边界上消失。我们想在1.5附近找到两个本征模，这是我们对有效折射率的最初猜测。基本示例propagation Mode中给出了输入文件所需参数的详细描述。 $N4i)>&T2
fTi5Ej*/?) 下图显示了两个计算本征模的电场的z分量(对数尺度下)。两者都属于相同的有效折射率，属于双重简并。特征值存储在文件eigenvalues.jcm中。 o4YF,c+>q 
"l(<<Ha/
wf~n> e^e [tJp^?6 * 之后弯曲单模光纤教程会说明如何计算弯曲单模光纤的基本传播模式。
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