我国科研团队实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器
二维层状原子晶体材料的物理性能(如带隙等)随厚度减小而变化,在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件,引发学界广泛关注,近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外,半导体二维原子晶体材料(如过渡金属硫属化合物、II-VI族、Ⅲ-VI族层状半导体等)是光电探测器沟道材料的优良候选者。然而,由于在大栅极电压下存在较大的暗电流,光开关比和光响应率小是基于这些二维原子晶体材料的光电探测器存在的问题。硒化铟(InSe)作为一种典型的二维层状Ⅲ-VI族半导体材料,具有优异的电学性能(载流子迁移率~104 cm2 V-1s-1)和适中且可调的直接带隙,光谱响应覆盖了从近红外到紫外的范围,在光电器件中表现出潜力。因此,如何优化器件结构并充分发挥其在光电探测器领域的作用,成为科研人员重点关注的关键问题。 |