中科院研发者回应5纳米光刻技术突破ASML垄断
今年7月,在中国科学院官网上发布了一则研究进展,中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》(Nano Letters)上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》(5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography)的研究论文,介绍了该团队研发的新型5 纳米超高精度激光光刻加工方法。 该论文发表在《纳米快报》(Nano Letters)。图截自官网ACS官网 消息一经发出,外界一片沸腾,一些媒体称此技术可以“突破ASML的垄断”、“中国芯取得重大进展”,“中国不需要EUV光刻机就能制作出5纳米制程的芯片”。 该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前告诉《财经》记者,这是一个误读,这一技术与极紫外光刻技术是两回事。 极紫外光刻技术解决的主要是光源波长的问题,极紫外光刻技术(Extreme Ultra-violet,简称:EUV),是以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。 集成电路线宽是指由特定工艺决定的所能光刻的最小尺寸,也就是我们通常说的“28纳米”、“40纳米”。 这个尺寸主要由光源波长和数值孔径决定,掩模上电路版图的大小也能影响光刻的尺寸。目前主流的28纳米、40纳米、65纳米线宽制程采用的都是浸润式微影技术(波长为134纳米)。但到了5纳米这样的先进制程,由于波长限制,浸润式微影技术无法满足更精细的制程需要,这是极紫外光刻机诞生的背景。 而中科院研发的5纳米超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模,这是集成电路光刻制造中不可缺少的一个部分,也是限制最小线宽的瓶颈之一。目前,国内制作的掩模版主要是中低端的,装备材料和技术大多来自国外。 刘前对《财经》记者说,如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造,则有望提高我国掩模版的制造水平,对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的。这一技术在知识产权上是完全自主的,成本可能比现在的还低,具有产业化的前景。 |