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教程565(1.0) J;"nm3[.q 7j95"mI 1.模拟任务 y,1S&k 8}J(c=4Gk 本教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。 y#nSk%"t" 设计包括两个步骤: ~|qXtds$ - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。 =X<)5IS3 - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。 M Yu?&}%^ 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。 I(y`)$} [I_BCf
{\F2*P 照明光束参数 @V7;TJk @b8X%0B7 vB]3Xb3a 波长:632.8nm CARq^xI- 激光光束直径(1/e2):700um ,%.:g65% Kl!DKeF 理想输出场参数 &~42T}GTWG \}n !yYh( pEJ#ad 直径:1° :R{x]sv 分辨率:≤0.03° es{cn=\s 效率:>70% 8x`Kl( 杂散光:<20% ]kzv8# 54;l*}8Hl <[esA9.]t 2.设计相位函数 <tGI]@Nwk /
O|Td'Z WFQ*s4 R( ?hP<@L6K 相位的设计请参考会话编辑器 nmTm(?yE Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。 G%y>:$rw[O 设计没有离散相位级的phase-only传输。 .Gjr`6R ;*n_N!v 3.计算GRIN扩散器 4o)(d=q GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。 .ou!g&xu 最大折射率调制为△n=+0.05。 1y_fQ+\2A 最大层厚度如下: TB;3` ce 7Yr*ZB 4.计算折射率调制 t$ACQ*O
f%`*ba"v 从IFTA优化文档中显示优化的传输 /h1dm, wpAw/-/ 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。 `%KpTh bS_y_9K :|*Gnu 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。 c,+L + |G|* }wa}hIqx 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。 V:nMo2'hb +,ZUTG
muK'h` 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。 61ON ]}UeuF\ H9oXZSm Z%, \+tRe 数据阵列可用于存储折射率调制。 i}v}K'` 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。 u|]mcZ,ZW 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。 (M+,wW[6 1(#*'xR 5.X/Y采样介质 krEH`f 1 2%z3/i {[YqGv=fF GRIN扩散器层将由双界面元件模拟。 yv6Zo0s<J 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。 tdMP,0u 元件厚度对应于层厚度12.656μm。 s0~05{ 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。 _mIa8K; Fi?U)T+%+ sw 3:HNG= M~d+HE 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。 kR`6s 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。 |o; j0 应该选择像素化折射率调制。
L@g Q L D[>XwL J_y<0zF** 优化的GRIN介质是周期性结构。 P%<aGb4 只优化和指定一个单周期。 *_2O*{V 介质必须切换到周期模式。周期是 c5T~0 'n 1.20764μm×1.20764μm。 <wd4^Vr!2 PsF- 9&_ 6.通过GRIN介质传播 Ti9:'I
C{d8~6 Zh@4_Z9n! %~~z9 6( 通过折射率调制层传播的传播模型: l1+w2rd1 - 薄元近似 ~I/>i& |