半导体材料及芯片的历史

半导体材料及芯片的历史 ol>=tk 8}  
　　第一代：以硅材料为代表的第一代半导体材料目前仍然是最主要的半导体器件材料。但是硅材料带隙(禁带)较窄和击穿电场较低等物理属性的特点限制了其在光电子领域和高频高功率器件方面的应用。 _E-GHj>k z  
　　第二代：20世纪90年代以来，随着无线通信的飞速发展和以光纤通信为基础的信息高速公路与互联网的兴起，以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。目前GaAs几乎垄断了手机制造中的功放器件市场。 <t2?Oii;  
　　第三代：第三代半导体材料的兴起以GaN(氮化镓)材料P型掺杂的突破为起点，以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器研制成功为标志的。 -2XIF}.Hu