双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)

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Dual Beam FIB(双束聚焦离子束) R*S9[fqC[  
双束聚焦离子束是一种多用途的分析技术，可以用于样品定位切割并将隐藏在各种基底材料中的缺陷揭露出来。最常见的用途之一就是制备TEM样品。双束FIB可以通过切断/连接芯片线路来进行芯片线路修改。

优势	局限
4\?z^^   - 横截面缺陷 (% N=7?   - TEM快速样品制备 {Sl#z}@s   - 线路修改 ,$4f#)   - 借助EDX配件进行元素定量分析	%X|fp{C   - 晶片尺寸需要小于150mm Hsdcv~Xr;l   - 瀑布效应有时会给分析造成不便

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L型横截面分析 m/E$0tf  
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锡须生长机理分析