[求助]IBS镀制的TA2O5折射率过高的原因 [复制链接]

我用99.9%的TA靶材，离子溅射镀制的TA2O5薄膜折射率为2.18（波长633处），明显高于理论值，请问有哪些可能的原因呢？

[s:5niu d"6&AJ5a  
ad:&$  

这种退火后会对光谱影响，要看你的产品能否接受。 j& <i&  
如果这种解释有点道理（因为化合物来不及迁移而带来的致密度大于体材料），那么降低沉积速率的话，致密度将更接近体材料，产品退火前后将更一致。 C
@bm  

morningtech:如果测量和反演没大的问题，可考虑致密度大于100%。 LI6hEcM=  
离子溅射，伴随反应过程，氧钻入膜层反应，化合物来不及迁移，可能会带来致密度比体材料还大。 IW%|G  
这点可以通过高温退火（烘烤）来观察。退火后，会测量到折射率下降，可伴随厚度增加。
膜林科技，专业的光学真空镀膜膜厚控制系统 .. (2019-08-13 10:55)  jvV9eA:zl  

+ke1Cn'[  
我烘烤后的光谱会红移5nm左右，应该不算高吧？

morningtech:如果测量和反演没大的问题，可考虑致密度大于100%。 7lo|dg80  
离子溅射，伴随反应过程，氧钻入膜层反应，化合物来不及迁移，可能会带来致密度比体材料还大。 7'-j%!#w  
这点可以通过高温退火（烘烤）来观察。退火后，会测量到折射率下降，可伴随厚度增加。
膜林科技，专业的光学真空镀膜膜厚控制系统 .. (2019-08-13 10:55)  wM_ 6{  

tL+OCLF;  
这到是有可能，我是双离子源，辅助离子源用的氧气，束流较大，很可能就像你说的，氧钻入膜层内来不及迁移。

如果测量和反演没大的问题，可考虑致密度大于100%。 AC.A'|"]i  
离子溅射，伴随反应过程，氧钻入膜层反应，化合物来不及迁移，可能会带来致密度比体材料还大。 =U. b% uC  
这点可以通过高温退火（烘烤）来观察。退火后，会测量到折射率下降，可伴随厚度增加。 Zh/Uu6  
0gn@h/F2%  
膜林科技，专业的光学真空镀膜膜厚控制系统生产研制商。
((rv]f{  
膜林晶控仪，值得信赖。呵呵呵。

椭偏仪测出来也有误差,TA2O5料不象ti3o5,建议你可以从新找一台非常好的透过仪从新测量石英基底和镀膜后的石英 透过率,如果是MAC尽量在9个极值左右.当然只是我个人平时得出的结论,并不一定适合你遇到的情况,通常不会比软件里膜料折射率高,我遇到高的主要是以前是SIO2堆密度做不上去,受潮后折射率变高.

knight627:如果测透过来计算光学常数,无论TFC还是MAC用透过或者反射计算参数的前提是  透过仪和反射仪相当的精准,如果不精准不如用膜料库自身,特别是目前用透过率计算,国产透过议也就能测测产品,计算参数还是算了,透过仪如果精度差(这个精度相对误差非常小才行),折射率有可能高有 .. (2019-08-13 09:42)  ["3d
f>!f  

=z:U~D  
我用woollam椭偏仪测得的折射率也是2.16，跟光谱拟合的2.18接近，应该是可信的。主要就是请教折射率偏高的原因和改良措施有哪些。

tcyt333:用透射光谱拟合反算的。 (2019-08-09 17:03)  =|y|P80w  

?^3B3qqh9  
如果测透过来计算光学常数,无论TFC还是MAC用透过或者反射计算参数的前提是  透过仪和反射仪相当的精准,如果不精准不如用膜料库自身,特别是目前用透过率计算,国产透过议也就能测测产品,计算参数还是算了,透过仪如果精度差(这个精度相对误差非常小才行),折射率有可能高有可能低,然后影响你整个带宽.

yzhuang:膜料的折射率都是一个参数一个结果，只要你测量或者计算得准确就行，哪来什么理论值？ (2019-07-31 11:03)  Qrz*Lvle h  

]1Qi=2'  
我这是把块料的折射率当作理论值，好像是2.06吧。