IBM正尝试利用石墨烯超越7nm制程

早在4年前，IBM投入了30亿美元用来研发纳米电子器件，最近IBM的研究人员首次实现了在石墨烯表面以97%的准确性在特定的石墨烯基底上沉积如量子点、碳纳米管、层状纳米材料等。采用了纳米材料经典的自上而下和自下而上的混合工艺， Y> Wu  
P*Tx14xe4  

图片:9172cfe893116d7.png

Gkv{~?95  
?Wt$6{)  

图片:d2d1dd37f1dd0c3.png

3UQ;X**F  
[[Y
0  

图片:c8b11b08bfe915d.png

-!L"'
)  
70mpSD3  

图片:blank.gif

m[@Vf9  
6]pX>Xho  

图片:92df2f58f4110d4.png

1YJC{bO  
z2hc.29t  
1、在碳化硅基底上生长石墨烯，再揭下放在硅/氧化硅晶片上； @%
lBrM  
2、刻蚀石墨烯，产生层积位点，没被刻蚀的石墨烯充当下一步的电极； |7pR)KH3  
3、在交流电场中使溶液里的纳米材料被附在石墨烯层积位点附近； (N=5.7"T  
4、除去石墨烯层积电极。 &o97u4xi  
这种方法的最大好处在于能够以纳米级分辨率层积各种纳米材料，石墨烯电极使得层积的纳米材料有很好的取向和密度。 Kmv+1T0,  
在石墨烯上层积纳米材料不失为一种跨越摩尔定律的好方法。 "