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  • 中科院院士:中国光刻技术与国外差距15-20年!

    作者:佚名 来源:快科技 时间:2019-09-17 16:08 阅读:292 [投稿]
    我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展,但是总体来说,国内的光刻技术与国外技术差距依然有15到20年,是整个集成电路中差距最大的环节。

    国内发展半导体产业的决心已经无需多言,目前国内最薄弱的领域还是芯片制造,而在这方面我们又缺少尖端的半导体生产设备,尤其是光刻技术,这是半导体芯片生产中的核心工艺。

    在2019中国集成电路设计大会上,中科院微电子所的院士刘明也谈到了国内集成电路方面的一些技术基础,尤其是光刻方面,指出了在光刻技术方面的进展与不足。 

    根据刘明院士所说,我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展,但是总体来说,国内的光刻技术与国外技术差距依然有15到20年,是整个集成电路中差距最大的环节。 

     

    此前我们报道过,目前荷兰ASML公司的EUV光刻机已经可以制造7nm及以下工艺,但是国内的光刻机只能做到90nm工艺级别,多数是用在低端生产线上,或者是面板生产线上,28nm及以下的工艺依然需要进口ASML的光刻机才能解决。

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