| cyqdesign |
2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 $ &Ntdn
黄永箴 zMf .
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ?B"k9+%5ej
集成光电子国家重点实验室 $ 6ev K~
5QjM,"`mp
一. 半导体激光器的基本结构 #~(VOcRI
1.半导体双异质结构 B 8Cic\2
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) O#g'4 S
3. 侧模控制(基侧模) oK5"RW
4.横模控制 6{ ql.2
Fa
5. 动态单模半导体激光器 \L"Vx9xT
6. 波长可调谐半导体激光器 x9 s 7:F
7.长波长VCSEL的进展 G' 5p /:
8.微腔激光器和光子晶体 ?9E shw2
9.半导体激光器材料的选择 I0
78[3b
h2SVDKj
二.半导体光波导 _bi]Bpxf
1. 平板波导的模式，TE和TM模 \<}4D\qz
2. 光限制因子和模式增益 zF9SZ#{a
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 f.%mp$~T
4. 半导体激光器镜面反射系数 6fozc2h@x%
5. DFB激光器的藕合模理论 -_ bn GY%,
6. DFB半导体激光器的一维模拟 gkJL=,
7. 等效折射率近似 ZH:-.2*cj
8. 数值模拟 Li jisE
#E?T E
三.半导体中的光跃迁和增益 )AxgKBW
1. 费米分布函数及跃迁速率 !\
IgTt,
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 csceu+ IA
3.简约态密度及增益谱 HH-A\#6J
4.模式的自发辐射速率 G234UjN%
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b'!t\m
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 _.9):i2<SF
7.增益谱峰值的近似表达式 Ry@QJn I<
[z2XK4\e1T
四. 速率方程和动态效应 g[Z$\A?ZbZ
1．单模速率方程及基本物理量 ;"}y VV/4
2．稳态输出 \{ Q d
3. 共振频率和3dB带宽 %V,2,NCd
4. 载流子输运效应对带宽影响 S_E-H.d"
5. 开启延迟时间 e;+6U"Jx*
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 L\cd =&b`
7. 自发辐射引起的噪声 [g bYIwL.
8. 相对强度噪声 toq/G,N Q
9. 模式线宽 81gcM?
10. 多模速率方程 k`l={f8C
e wo]-BQS
五.半导体激光器的基本工艺和特性 VH.m H<
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 a'T8U1
3.激光器寿命 JHxy_<p/
4.激光器阈值电流的温度特性 J** -q(>
WrA!'I
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
|
|