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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 ,sy/rV 黄永箴 MXu+I,y* 中国科学院半导体所,光电子研发中心 k-t,y|N
集成光电子国家重点实验室 ]"7El;2z -qr:c9\px 一. 半导体激光器的基本结构 's%ct}y\J 1.半导体双异质结构 :W1tIB 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !Dhfr{ 3. 侧模控制(基侧模) ;_;H(%uY 4.横模控制 ~"hAb2 5. 动态单模半导体激光器 & t @ 6. 波长可调谐半导体激光器 J>&dWKM3 7.长波长VCSEL的进展 u]++&~i 8.微腔激光器和光子晶体 +&@l{x(, 9.半导体激光器材料的选择 yp7,^l aO;Q%]VL' 二.半导体光波导 `;8u9Ff 1. 平板波导的模式,TE和TM模 Y7IlqC`i 2. 光限制因子和模式增益 vb4G_X0S 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4$#ia
F 4. 半导体激光器镜面反射系数 kK_>*iCMo 5. DFB激光器的藕合模理论 5juCeG+Z 6. DFB半导体激光器的一维模拟 vzT6G/ 7. 等效折射率近似 A&@jA5Jb 8. 数值模拟 {Rh+]=7
19.!$; 三.半导体中的光跃迁和增益 v\L Ip 1. 费米分布函数及跃迁速率 IcNI uv 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ,_7tRkn 3.简约态密度及增益谱 I.n{ "=$B@ 4.模式的自发辐射速率 j^R~ Lt4 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ^SelqX 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 .<|4PG 7.增益谱峰值的近似表达式 N"Nd $4 PT5ni6 四. 速率方程和动态效应 (]#
JpQ 1.单模速率方程及基本物理量 nD{;4$xP` 2.稳态输出 W,eKQV<j 3. 共振频率和3dB带宽 bKbpI>;[ 4. 载流子输运效应对带宽影响 gB'Ah -@,P 5. 开启延迟时间 MLDg).5 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 4pHPf<6 7. 自发辐射引起的噪声 &-.eu 8. 相对强度噪声 3t}o0Ai9 9. 模式线宽 1x5CsmS 10. 多模速率方程 Ik2szXh[J h4xf%vA(; 五.半导体激光器的基本工艺和特性 TuhL: 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ;`Ch2b1+ 3.激光器寿命 Q\th8/ / 4.激光器阈值电流的温度特性 DT~y^h %)@(Tye - 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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