| cyqdesign |
2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 }\ DQxHG
黄永箴 fZ g*@RR
中国科学院半导体所，光电子研发中心 JN KZ' 9
集成光电子国家重点实验室 0RSa{iS*A
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一. 半导体激光器的基本结构 #=.h:_9
1.半导体双异质结构 0~1 P&Qs<
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) N JtB ;
3. 侧模控制(基侧模) &s <
4.横模控制 >aWJ +
5. 动态单模半导体激光器 ? s ewU9*
6. 波长可调谐半导体激光器 d<3" $%C
7.长波长VCSEL的进展 \%Smp2K
8.微腔激光器和光子晶体 ^c7L !F
9.半导体激光器材料的选择 6kuSkd$.
er#=xqUY
二.半导体光波导 (_08? cN
1. 平板波导的模式，TE和TM模 +{w& ksk
2. 光限制因子和模式增益 aBC[(}Pb]
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4QV d{
4. 半导体激光器镜面反射系数 N R[mzJv
5. DFB激光器的藕合模理论 LG MFv
6. DFB半导体激光器的一维模拟 t3XMQ']
7. 等效折射率近似 ;hZ@C!S :
8. 数值模拟 -oo= IUk
*sG<w%%
三.半导体中的光跃迁和增益 4yM8W\je
1. 费米分布函数及跃迁速率 '~cEdGD9H
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 UiEB?X]-l'
3.简约态密度及增益谱 XHg %X
4.模式的自发辐射速率 #"M Pe4
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 t;1NzI$^
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Mww]l[1'EL
7.增益谱峰值的近似表达式 ,{50zx2
)-{Qa\6(%
四. 速率方程和动态效应 !jW32$YTR
1．单模速率方程及基本物理量 s? E: ]
2．稳态输出 ?f`-&c;
3. 共振频率和3dB带宽 wm8x1+P
4. 载流子输运效应对带宽影响 <<1oc{i
5. 开启延迟时间 ;hvXFU
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 31C]TdJ
7. 自发辐射引起的噪声 {EUH #':
8. 相对强度噪声 :qp"Ao{M
9. 模式线宽 &F}+U#H
10. 多模速率方程 A!kyga6F5
|Q; o 538
五.半导体激光器的基本工艺和特性 I@ k8^
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 jb2:O,+ !
3.激光器寿命 c" 7pf
T
4.激光器阈值电流的温度特性 `Vi:r9|P
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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