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2009-07-14 15:42 |
半导体激光器的设计和工艺下载
半导体激光器的设计和工艺 (Qw >P42J 黄永箴 IRLAsb3 中国科学院半导体所,光电子研发中心 0XljFQ 集成光电子国家重点实验室 y z3=# Foj|1zJS_ 一. 半导体激光器的基本结构 Y A+R!t:F{ 1.半导体双异质结构
*pO`sC> 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) <bJ|WS| 3. 侧模控制(基侧模) nIOSP:'> 4.横模控制 S^1ZsD. 5. 动态单模半导体激光器 [#aJ- Uu 6. 波长可调谐半导体激光器 nCV7(ldmH 7.长波长VCSEL的进展 uYO$gRem 8.微腔激光器和光子晶体 @@3NSKA 9.半导体激光器材料的选择 [fwk[qFa `}ZtK574 二.半导体光波导 4<<eqxI$| 1. 平板波导的模式,TE和TM模 |pknaz 2. 光限制因子和模式增益 wg
k[_i 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 C5KUIOg 4. 半导体激光器镜面反射系数 \0i0#Dt9 5. DFB激光器的藕合模理论 N:KM8PZ&~ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 WOgkv(5KN 7. 等效折射率近似 Lf.Ia*R: 8. 数值模拟 1"t9x. F1}d@^K
7d 三.半导体中的光跃迁和增益 iig4JP'h 1. 费米分布函数及跃迁速率 ]w*` } 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 RHd no C 3.简约态密度及增益谱 "J&WH~8+N 4.模式的自发辐射速率 T#e|{ZCbq 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 lQgavP W! 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 .i;?8? 7.增益谱峰值的近似表达式 ]"O*& y9T5 四. 速率方程和动态效应 Nw,|4S 1.单模速率方程及基本物理量 4j,6t|T 2.稳态输出 $PlMyLu7jc 3. 共振频率和3dB带宽 dBM{]@bZ 4. 载流子输运效应对带宽影响 ]l=CiG4!M 5. 开启延迟时间 ]:n9MFv 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 .|P
:n' 7. 自发辐射引起的噪声 J`; 9Z 8. 相对强度噪声 qm9=Ga5 9. 模式线宽 EpT^r8I 10. 多模速率方程 &\ad.O/Q 3C;;z 五.半导体激光器的基本工艺和特性 :Ez*<;pF' 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 6\UIp#X 3.激光器寿命 ww+,GnV 4.激光器阈值电流的温度特性 ^P.U_2& N3)n** 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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