激光测距专用雪崩光电二极管(APD)
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U.F65KaKF 激光测距专用雪崩光电二极管(APD)雪崩光电二极管供 供雪崩光电二极管(APD) 暗电流小频谱响应范围在440nm至1,100nm之间
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[K MX0B$yc$ 光电探测器是将光信号转变为电信号的器件。在半导体光电探测器中，入射光子激发出的光生载流子在外加偏压下进入外电路后，形成可测量的光电流。PIN光电二极管即使在最大的响应度下,一个光子最多也只能产生一对电子-空穴对,是一种无内部增益的器件。为了获得更大的响应度,可以采用雪崩光电二极管(APD)。APD对光电流的放大作用基于电离碰撞效应,在一定的条件下,被加速的电子和空穴获得足够的能量,能够与晶格碰撞产生一对新的电子-空穴对,这种过程是一种连锁反应,从而由光吸收产生的一对电子-空穴对可以产生大量的电子-空穴对而形成较大的二次光电流。因此APD具有较高的响应度和内部增益，这种内部增益提高了器件的信噪比。APD将主要应用于长距离或接收光功率受到其它限制而较小的光纤通信系统。目前很多光器件专家对APD的前景十分看好
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_D4}[` 雪崩光电二极管（APD）单光子探测器
R*0F) M E G.C2]Fi ~QcKW<bz ^e,RM_. (Qm;]?/ 雪崩光电二极管不同于光电倍增管，它是一种建立在内光电效应基础上的光电器件。雪崩光电二极管具有内部增益和放大的作用，一个光子可以产生10~100对光生电子空穴对，从而能够在器件内部产生很大的增益。雪崩光电二极度管工作在反向偏压下，反向偏压越高，耗尽层当中的电场强度也就越大。当耗尽层中的电场强度达到一定程度时（材料不同，电场大小也不一样，如：Si-APD为105V/cm），耗尽层中的光生电子空穴对就会被电场加速，而获得巨大的动能，它们与晶格发生碰撞，就会产生新的二次电离的光生电子空穴对，新的电子空穴对又会在电场的作用下获得足够的动能，再一次与晶格碰撞又产生更多的光生电子空穴对，如此下去，形成了所谓的“雪崩”倍增，使信号电流放大。
-*M:O F"Zh P.B'Gh#^ 低噪声、快响应、高灵敏度、高带宽、低造价，主要用于雪崩光电二极管单光子探测器，激光探测、测距、激光测距机、激光经纬仪 警戒雷达。
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MS& 雪崩光电二极管不同于光电倍增管，它是一种建立在内光电效应基础上的光电器件。雪崩光电二极管具有内部增益和放大的作用，一个光子可以产生10~100对光生电子空穴对，从而能够在器件内部产生很大的增益。雪崩光电二极度管工作在反向偏压下，反向偏压越高，耗尽层当中的电场强度也就越大。当耗尽层中的电场强度达到一定程度时（材料不同，电场大小也不一样，如：Si-APD为105V/cm），耗尽层中的光生电子空穴对就会被电场加速，而获得巨大的动能，它们与晶格发生碰撞，就会产生新的二次电离的光生电子空穴对，新的电子空穴对又会在电场的作用下获得足够的动能，再一次与晶格碰撞又产生更多的光生电子空穴对，如此下去，形成了所谓的“雪崩”倍增，使信号电流放大。
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雪崩光电二极管不同于光电倍增管，它是一种建立在内光电效应基础上的光电器件。雪崩光电二极管具有内部增益和放大的作用，一个光子可以产生10~100对光生电子空穴对，从而能够在器件内部产生很大的增益。雪崩光电二极度管工作在反向偏压下，反向偏压越高，耗尽层当中的电场强度也就越大。当耗尽层中的电场强度达到一定程度时（材料不同，电场大小也不一样，如：Si-APD为105V/cm），耗尽层中的光生电子空穴对就会被电场加速，而获得巨大的动能，它们与晶格发生碰撞，就会产生新的二次电离的光生电子空穴对，新的电子空穴对又会在电场的作用下获得足够的动能，再一次与晶格碰撞又产生更多的光生电子空穴对，如此下去，形成了所谓的“雪崩”倍增，使信号电流放大。
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