超紫外线(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻技术被认为是未来取代深紫外线(Deep Ultraviolet，DUV)且满足摩尔定律的22纳米及以下世代最可行的候选技术。由于
激光发的等离子体(Laser Produced Plasma，LPP)技术较易达到高功率超紫外线
光源之需求，且具有较高的超紫外线发射效率和收集效率，是量产用超紫外线光源
系统的最佳选择。超紫外线光源系统未来技术研发蓝图提供了一份符合大规模生产的超紫外线光源系统的详细进程表和针对22纳米及以下一代制程的技术要求。
bT6sb#"W Benjamin Szu-Min Lin, Cymer Southeast Asia Ltd.; David Brandt, Nigel Farrar, Cymer Inc.
*0_yT$ 超紫外线光刻技术是被列在国际
半导体技术蓝图(International Techonology Roadmap for Semiconductor，ITRS)中作为193纳米浸润式光刻技术之后可以在2013年满足出32纳米及以下世代最有前景的技术。然而，针对某些储存组件量产时程，如NAND型闪存，
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