光学手册（上、下册，李景镇）	近代光学系统设计概论	Zemax光学设计从入门到精通(中文版)	现代光学基础（第2版钟锡华）
讯技光电:VirtualLab Fusion独家供应商	微小光学与微透镜阵列	光学设计与光学元件	计算光学带来的成像革命

发帖回复

3536阅读
8回复

[论文]408nm InGa N/ Ga N LED的材料生长及器件光学特性 [复制链接]

上一主题下一主题

离线flashcat

论坛版主

发帖: 378

光币: 8985

光券: 0

只看楼主倒序阅读楼主发表于: 2008-06-22

408nm InGa N/ Ga N LED 的材料生长及器件光学特性

摘要: 通过提高InGaN 量子阱结构的生长温度,降低量子阱In 组分的掺入效率,提高InGaN/ GaN 量子阱结构生长质量,缩短L ED 输出波长等手段,实现了紫光L ED 高效率输出. 采用高分辨率X 射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/ GaN 多量子阱的结构和光学特性. 封装后的300μm ×300μm L ED 器件在20mA 的注入电流下输出功率为512mW ,输出波长为408nm.

关键词: 量子阱; GaN ; L ED