退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响摘要：采用射频磁控溅射技术在 SiO2 / Si 上淀积高 c轴取向的 ZnO 薄膜 ,在氧气和氩气的混合气氛、 不同温度(400～900 ℃)下进行快速热退火处理。利用 X2射线衍射(XRD) 、 原子力显微镜(AFM) 、 扫描电镜( SEM)和透射电镜( TEM)对薄膜结构、 形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明 , ZnO 薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大 ,衍射峰强度增强 ,峰位随之偏移; SEM 分析显示薄膜呈柱状生长 ,表现出较好的 c轴取向性; TEM分析表明 ZnO 与下电极 Pt 是呈共格生长 ,晶格匹配很好。 vP2QAGk <
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关键词：快速热退火; ZnO 薄膜; c轴取向; 透射电镜( TEM)
