兰州大学研究团队在光学模式与偏振复用器领域取得新发现
在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜，通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导，解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题，并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。
 器件的静态测试结果显示，在覆盖C波段的宽波长范围内，模式复用/解复用器的插入损耗低于1.46 dB，模间串扰低于-13.03 dB，偏振旋转分束器的插入损耗低于1.49 dB，偏振消光比大于17.75 dB，如图3、图4所示。进一步地，研究人员还对器件进行了40 Gbps数据传输实验，得到的眼图清晰张开，误码率测试展示了较低的功率损失，证明所制备的器件具有良好的数据处理能力。  图3.从模式复用/解复用器的不同信道（(a)-(d)依次为TE0-TE3）输入信号时，不同输出端口测量的传输光谱。  图4.从偏振旋转分束器的不同信道（(a)、(b)依次为TE0、TM0）输入信号时，不同输出端口测量的传输光谱。 相关链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202100529 |
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