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  • 北大在光子芯片技术方面取得重要进展

    作者:佚名 来源:北京大学 时间:2020-04-23 22:14 阅读:1261 [投稿]
    在线发表拓扑保护下单向辐射导模共振态重要研究进展,为光子器件拓展了可期应用前景。

    此时,维持对称性破缺,通过调控参数将一侧表面的成对半整数拓扑荷重新合并成整数拓扑荷,形成不依赖镜面仅朝一个表面辐射能量的UGR态。


    通过操控拓扑荷演化,实现单向导模共振态(图片来自北京大学)

    联合课题组利用自主发展的倾斜刻蚀工艺制备样品,实验上观测到非对称辐射比高达27.7dB;这就意味着超过99.8%的光子能量朝一侧定向辐射,较传统设计提高了1~2个数量级,从而有力证明了单向辐射导模共振态的有效性和优越性。


    该技术有望显著降低片上光端口的插入损耗,大幅推动高密度光互连和光子芯片技术的发展。

    近年来,在国家自然科学基金、教育部纳光电子前沿科学中心等支持下,彭超与其合作者已相继在《科学》杂志发表非厄米系统费米弧观测、实空间非阿贝尔规范场的合成和观测,在《自然》杂志发表拓扑保护下散射鲁棒的超高品质因子导模共振态等一系列融合拓扑物理学和非厄米物理学的重要研究成果,在为实现辐射光场调控开辟新方向的同时,也为集成光子芯片、光相控阵雷达、低功耗激光器等光子器件拓展了可期的应用前景。

    论文链接:https://www.nature.com/articles/s41586-020-2181-4

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