垂直集成氮化镓结构有助Micro LED发展

美国罗彻斯特理工学院（Rochester Institute of Technology）的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓 LED 结构，有助于提高 Micro LED 显示器的效率。

罗彻斯特理工学院的马修（Matthew Hartensveld）和张敬（音译，Jing Zhang）在 IEEE Electron Device Letter 期刊上发表了一项研究，描述了他们将纳米线氮化镓场效电晶体（field-effect transistors，简称“FETs”）和氮化铟镓 LED 集成在一起的方法。在这个有创意的新结构中，电晶体被放置在 LED 下面以实现控制和调光。

图片来源：罗彻斯特理工学院Hartensveld和Zhang

据悉，研究员通过结合电晶体和 LED，创造出一个紧凑的结构，且制造过程简易。在改善Micro LED 显示器发展方面，这个新设计的结构是一个性价比更高的选择。

研究表明，新结构中，一个区域可放置更多的 LED，因此，像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸变小，像素密度变大，这对于发展 Micro LED 显示器有很大的帮助。

但是，目前垂直设计的局限性在于关闭 LED 需要一个负电压，对此，研究者正在努力改进中。