中科院上海技术物理所低维红外光电探测器研究进展获关注

德国Wiley在Materials Views China杂志以“当传统铁电材料遇见新型二维材料：光电探测的新思路”为题报道了上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室王建禄、胡伟达等研究人员发表在Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015)（影响因子17.49）杂志上的二维半导体光电探测器研究工作（http://www.materialsviewschina.com/2015/10/as-tradition-meet-new-two-dimension-ferroelectric-materials-materials-electro-optical-detection-of-new-ideas/）。 

报道认为，这种利用铁电极化局域场操控二维材料光电特性新方法，为推进二维材料在光电子器件及电子器件等领域的应用提供了新思路。利用铁电聚合物P(VDF-TrFE)材料极强的铁电极化场，实现了对少层MoS2的完全耗尽。在光电特性表征中，他们发现这种超强局域场可使得MoS2原子晶格重新排布，禁带宽度变小。基于该结构，他们报道了MoS2材料在短波红外光电响应，研制出了高性能的可见-红外光电探测器件。

此外，该工作还被X-MOL化学资讯网站以“铁电局域场调控下的新型二维材料光电探测器”为题进行了报道（http://www.x-mol.com/news/1467）。报道指出: “中国科学院上海技术物理研究所研究人员王建禄副研究员、胡伟达研究员利用铁电材料极化作用不仅实现了对MoS2沟道中本征载流子的完全耗尽，且在铁电材料极化产生的超强局域电场作用下，可使MoS2禁带宽度变小（拓宽探测波长）。铁电材料调控下的MoS2光电探测器件探测率可达2.2×1012 Jones，探测范围从可见-近红外拓展至可见-短波红外(1550 nm)，对可见光的响应率高达2570 A/W，且具有低功耗、响应速度快、高可靠性等特点。该项工作攻克了二维材料在光电探测领域诸多难点，为二维材料在光电子器件以及电子器件领域的开发和应用提供了崭新思路及方法。”。 

同时，该工作被Advanced Materials编辑部评选为该期的期刊封面。