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  • 硅衬底氮化镓基LED材料及大功率芯片技术

    作者:佚名 来源:江西日报 时间:2013-01-11 11:37 阅读:953 [投稿]
    《硅衬底氮化镓基LED材料及大功率芯片技术》项目被评为信息产业重大技术发明,将被纳入《电子信息产业发展基金项目指南》
      在工信部刚刚公布的2012年第十二届信息产业重大技术发明评选结果中,晶能光电(江西)有限公司《硅衬底氮化镓基LED材料及大功率芯片技术》项目被评为信息产业重大技术发明,将被纳入《电子信息产业发展基金项目指南》,享受国家电子信息产业发展基金项目资金扶持。

      据悉,晶能光电经过技术攻关,用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作衬底制造发光二极管材料及器件,在外延材料方面走出了与日本、美国并行的全球LED芯片第三条技术路线。晶能光电成为全球唯一具有“硅衬底发光二极管”自主知识产权的LED生产企业,改变了日美等发达国家垄断LED核心技术的局面。

      信息产业重大技术发明评选活动从2001年开始,2012年共评出7个项目。
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