我国研发出新型电力电子芯片

    由江苏宏微科技有限公司自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片顺利通过有关专家组鉴定。专家组一致认为，该公司自主研制的非穿通型（NPT）IGBT芯片和FRED芯片，主要性能指标均达到国际先进水平，其中1200V IGBT主要性能指标超过了国际同类产品的先进水平。标志着我国新型电力半导体器件从此走上了产业化道路，开始追赶并逐渐超越世界领先水平的新里程。

    IGBT和FRED器件是电力电子装置和系统中的CPU，被国际电力电子行业公认为电力电子技术第三次革命最具代表性的器件。新型电力电子技术是改造传统工业、促进新型高新技术产业发展的关键技术之一，可广泛应用于风力发电系统、太阳能电源、航空、航天等多个领域。

    近年来，我国电力电子器件的市场一直保持快速增长的势头。2011年预计市场销售收入总额将突破1680亿元，年均增长率将达到20.1%。在分立器件中，大功率高频新型电力半导体器件IGBT、VDMOS 和FRED是增长最快的器件，年增长速率将达到25%左右。