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xunjigd 2017-06-21 11:22

OptiBPM入门指南(2)

11.1 定义材料要定义材料,请执行以下步骤。 Ui?t@.  
步骤 执行 B623B HwS  
1) 从“文件”菜单中,选择“新建”。出现“初始属性”对话框(参见图2) t$Qav>D  
`^_.E:f  
[attachment=77678]
图2.初始属性对话框 N|7._AR2  
使用“初始属性”对话框指定基本参数。 这些参数可以稍后在会话框中进行更改,因为希望这些参数较少地改变,因此在项目创建开始时对其进行设置。 例如,预期诸如折射率之类的属性在设计会话中将比设计中的其他属性(例如系统几何形状)更少地改变。 轮廓是用来确定横向平面中波导几何形状的规格。通道波导包含多层结构,光纤具有圆形横截面,扩散波导具有渐变折射率指数。 这些定义在设计会话中比几何体布局更改地更少。 hTg%T#m  
c&'T By  
2) 单击“轮廓”和“材料”。将出现“轮廓设计器”窗口(参见图3)。 VK$+Nm)  
[=LQ,e$r7  
[attachment=77679]
图3.轮廓设计器窗口  \f  
OptiBPM Designer1是我们正在使用的项目的临时名称。 保存项目时,可以给它一个更有意义的名称。 { 0Leua  
gVZ~OcB!W  
3) 在OptiBPM_Designer1的目录下,在“材料”文件夹下,右键单击“电介质”文件夹。 *7-uQKp  
出现一个右键菜单。 W}T+8+RU  
vLkZC  
4) 选择新建。 j\Q_NevV  
出现Dielectric1对话框(参见图4)。 xY_/CR[,  
DoImWNLo  
[attachment=77680]
图4.介质对话框
\ u5%+GA-:  
5) 键入以下信息: -ud!j  
名称:Core Dk[[f<H_{  
折射率(Re :):1.46 a&y%|Gs^f  
6) 单击各向异性选项卡并键入折射率Re的实部: 1.46 RJd55+h  
7) 要保存材料,请单击“存储”。 F;MFw2G  
名称Core出现在目录中的Dielectric文件夹和对话框标题栏中。 JsiJ=zo<  
注意:您可以打开对话框,或关闭对话框以防止“轮廓设计器”窗口变得混乱。 ?rr%uXQjH  
*!.'1J:YJ(  
折射率有两种定义,因为在2D计算中,折射率通常不是物理指标,而是有效的指标。 2D标签是保存有效折射率的地方; 当有效折射率放置在2D选项卡中时,仅在执行2D模拟时才使用。 3D BPM和模式解算器将使用其他选项卡中的定义。 Pb[wysy  
8) 单击各向异性选项卡 nwV\ [E  
在项目中的某个时刻,可能会使用其他BPM模拟器,可以接受各向异性材料。 各向异性材料的特征在于介电常数张量(见图5)。 材料Core可以在这种环境中使用(尽管它本身不是各向异性的),因此默认情况下,OptiBPM会自动设置适当的对角线介电常数张量,即主对角线中的n2。 如果需要指定各向异性材料,请取消选中默认复选框并输入相应的常数(参见图5)。 N^`F_R1Z  
iL5+Uf)E3  
[attachment=77681]
图5.3D各向异性标签
Ng;E]2"  
9) 重复步骤3)至6),并键入以下信息(参见图6) v)X1R/z5xw  
名字:Clad =_v_#;h&  
折射率(Re :):1.44 ) 8LCmvQ  
10) 要保存信息,请单击“存储”。 KeXQ'.x5O  
Clad出现在目录和对话框标题栏中的Dielectric文件夹中。 eR5swy&  
!xa,[$w(^  
[attachment=77682]
图6 包层定义 SJ+.i u/  
11.2 定义2D和3D通道轮廓 Zx`hutCv  
要提供2D和3D轮廓的定义,请执行以下步骤。 ZM4q@O)/  
步骤 操作 <K 4zH<y  
1) 在OptiBPM_Designer1下的“Profiles”文件夹下的目录下,右键单击“Channel”文件夹。 r$.ek\D5  
出现一个右键菜单。 oOJN?97!k  
2) 选择新建。 SD JAk&Z}R  
出现“通道”对话框。 BU])@~$  
注意:要确保您可以查看所有场,请最大化ChannelPro对话框。 {mueP6Gz@J  
3) 输入轮廓文件名称:BuriedWg [n66ZY#U]  
4) 提供2D配置轮廓定义: }{ 9E~"_[  
• 在2D轮廓定义下,在“材料”组合框列表中,单击新定义的材质“Core”。 / <y-pFTg  
通过选择Core,如果2D模拟器被调用,与配置文件名称BuriedWg相关联的波导内的任何点将具有Core的2D规范中定义的折射率。 ZEHz/Y%  
wRUpQ~=B2  
[attachment=77683]
图7 2D轮廓定义 $7PFos%@  
通道轮廓文件由外延方向的层和这些在3D轮廓面板中被定义层组成。 i mJ{wF  
5) 要指定3D轮廓定义: mqtl0P0  
a. 在3D轮廓定义下,键入以下信息: [Ma&=2h  
层名称:Channel1(通道1) ^$yr-p%-  
宽度:1.0 }R.cqk\qa^  
厚度:2 \ Fc"Q@.u  
偏移量:0 J}<k`af  
b. 在材料清单中,选择Core。 | F: ?  
c. 单击添加。 Xt9?7J#\T  
您输入的信息显示在3D配置文件定义窗口中。 VJJw"4DJ  
6) 要保存通道轮廓文件,请单击“存储”。 '<8ewU  
BuriedWg出现在目录中的Channel文件夹中,在Profile Designer标题栏和设计底部的选项卡上(参见图8)。 A^o  
[attachment=77684]
图8 定义通道轮廓
7) 要返回OptiBPM布局设计器窗口,请最小化“轮廓设计器”窗口。 Vk>aU3\c  
出现OptiBPM GUI和初始属性对话框。 o),i2  
~@L$}Eu  
11.3定义布局设置 >#c]rk:  
要定义布局设置,请执行以下步骤: ,?i#NN5p  
步骤 操作 ^9"|tWf6O  
1) 在“初始属性”对话框中,单击“默认波导”标签。 v,1.n{!;  
2) 键入以下值: (~/D*<A  
宽度:4.0 8M:;9a8fh  
注意:所有波导将使用该值作为默认宽度。 ?u 9) GJO[  
3) 在轮廓列表中,单击新定义的BuriedWg(参见图9)。 nQg6 j Zf  
注意:可以随时更改默认的或者相关联的任意单个波导(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“默认波导”)。 js7J#b7  
9k2HP]8=[{  
[attachment=77685]
图9初始属性对话框 - 默认波导选项卡 d) G7U$z~  
要在平面视图中指定分析区域的大小: o_os;  
4) 单击“晶圆尺寸”选项卡。 R}Z"Y xx  
键入以下值(参见图10)。 A-.jv  
长度:800 )Q(tryiSi  
宽度:40 Z]oa+W+  
0B1*N_.L@  
[attachment=77686]
图10初始属性对话框 - “晶圆尺寸”选项卡
指定任意点的材料并不包含波导内部(对于2D计算): ^|as]x!sv  
5) 单击“2D晶圆属性”选项卡 ToDN^qE+  
6) 在晶圆折射率中,在“材质”列表中,单击“包层”。 hGD7/qTN  
}=7tGqfw  
在3D计算的情况下,需要提供更多的信息,因为通常用于基底的材料与用于包层的材料不同。 另外,需要规定层的厚度。 在这种情况下,我们在掩埋波导中以相同的材料来定义基底和包层。 注意,这不是基底或包层的实际厚度。 相反,这些数字指定计算窗口的边界。 基底的理想厚度将是足够大以容纳被分析的波导模式,但又不能太厚以避免网格的精度受损。 在实际工作中,随着波导设计经验的增加,这些尺寸将需要在后期进行优化。 但是,可以稍后更改这些尺寸(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“晶圆属性”)。 ;c<:"ad(  
要指定与任何不在任何波导内的点相关联的材料进行3D计算: 3(6i6 vV  
7) 单击“3D晶片属性”选项卡。  {EZ ;  
8) 在“包层”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:17。 [*8w v^  
9) 在“基底”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:15 )#i]exZ  
CI$F#j  
[attachment=77687]
图11初始属性对话框 - “3D晶圆属性”选项卡
10) 要将设置应用于布局,请单击“确定”。 A^%z;( 0p  
将显示项目布局窗口。 %=\h=\wt  
注意:最大化项目布局窗口并调整放大倍率(+ - 按钮),使布局在屏幕上显示为适当的大小。 T" 8>6a@}E  
将项目保存为GettingStarted.bpd,以恢复目前已完成。 如果要保留记录此项目中间步骤的文件,请使用SaveAs功能。 保存文件后,轮廓设计器中树的名称为“GettingStarted”,保存的名称将替换临时名称“OptiBPMDesigner 1”(见图7)。 同样,如果您在OptiBPM中打开其他项目,则将在轮廓设计器中创建与新打开的项目名称相同的新分支。 <hQ@]2w$  
&l{yEWA}g  
...... b"x;i\Z0%  
Xp._B4g  
未完待续
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