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xunjigd 2017-06-21 11:22

OptiBPM入门指南(2)

11.1 定义材料要定义材料,请执行以下步骤。 A^SgI-y|  
步骤 执行 d2L&Z_}  
1) 从“文件”菜单中,选择“新建”。出现“初始属性”对话框(参见图2) )fAUum  
'dc#F3  
[attachment=77678]
图2.初始属性对话框 u_Z+;{]Pj  
使用“初始属性”对话框指定基本参数。 这些参数可以稍后在会话框中进行更改,因为希望这些参数较少地改变,因此在项目创建开始时对其进行设置。 例如,预期诸如折射率之类的属性在设计会话中将比设计中的其他属性(例如系统几何形状)更少地改变。 轮廓是用来确定横向平面中波导几何形状的规格。通道波导包含多层结构,光纤具有圆形横截面,扩散波导具有渐变折射率指数。 这些定义在设计会话中比几何体布局更改地更少。 1G`Pmh@  
~)M~EX&pK  
2) 单击“轮廓”和“材料”。将出现“轮廓设计器”窗口(参见图3)。 O^rDHFj,  
u)Whr@m  
[attachment=77679]
图3.轮廓设计器窗口 WTiD[u  
OptiBPM Designer1是我们正在使用的项目的临时名称。 保存项目时,可以给它一个更有意义的名称。 KqP#6^ _  
5#z1bu  
3) 在OptiBPM_Designer1的目录下,在“材料”文件夹下,右键单击“电介质”文件夹。 9: lFo=  
出现一个右键菜单。 ?Q;=v~-Q  
+ >!;i6|  
4) 选择新建。 Vi|#@tC'  
出现Dielectric1对话框(参见图4)。 3PF_H$`oJ  
qmP].sA  
[attachment=77680]
图4.介质对话框
b7ZSPXV  
5) 键入以下信息: ?gXp*>Kg[  
名称:Core PQE =D0  
折射率(Re :):1.46 /g.U&oI]D  
6) 单击各向异性选项卡并键入折射率Re的实部: 1.46 o5)<$P43  
7) 要保存材料,请单击“存储”。 b\5F]r  
名称Core出现在目录中的Dielectric文件夹和对话框标题栏中。 yWf`rF{  
注意:您可以打开对话框,或关闭对话框以防止“轮廓设计器”窗口变得混乱。 y>ktcuML  
bW:!5"_{H  
折射率有两种定义,因为在2D计算中,折射率通常不是物理指标,而是有效的指标。 2D标签是保存有效折射率的地方; 当有效折射率放置在2D选项卡中时,仅在执行2D模拟时才使用。 3D BPM和模式解算器将使用其他选项卡中的定义。 y<.5xq5_3  
8) 单击各向异性选项卡 !p/goqT~dY  
在项目中的某个时刻,可能会使用其他BPM模拟器,可以接受各向异性材料。 各向异性材料的特征在于介电常数张量(见图5)。 材料Core可以在这种环境中使用(尽管它本身不是各向异性的),因此默认情况下,OptiBPM会自动设置适当的对角线介电常数张量,即主对角线中的n2。 如果需要指定各向异性材料,请取消选中默认复选框并输入相应的常数(参见图5)。 Zb#u0Tq  
@PIp* [7oC  
[attachment=77681]
图5.3D各向异性标签
NX&_p!_V  
9) 重复步骤3)至6),并键入以下信息(参见图6) wdoR%b{M  
名字:Clad EhBKj |y  
折射率(Re :):1.44 .A|@?p[  
10) 要保存信息,请单击“存储”。 YchH~m|  
Clad出现在目录和对话框标题栏中的Dielectric文件夹中。 $Y gue5{c  
DW3G  
[attachment=77682]
图6 包层定义 -ze J#B)C  
11.2 定义2D和3D通道轮廓 0IWf!Sk ]  
要提供2D和3D轮廓的定义,请执行以下步骤。 bN=P*hdf  
步骤 操作 OcO3v'&  
1) 在OptiBPM_Designer1下的“Profiles”文件夹下的目录下,右键单击“Channel”文件夹。 o;R I*I  
出现一个右键菜单。 Y\hBd$lQ~  
2) 选择新建。 .ccp  
出现“通道”对话框。 \^1E4C\":  
注意:要确保您可以查看所有场,请最大化ChannelPro对话框。 lr$zHI7_`  
3) 输入轮廓文件名称:BuriedWg /<BI46B\  
4) 提供2D配置轮廓定义: OB}Ib]  
• 在2D轮廓定义下,在“材料”组合框列表中,单击新定义的材质“Core”。 8JUwf  
通过选择Core,如果2D模拟器被调用,与配置文件名称BuriedWg相关联的波导内的任何点将具有Core的2D规范中定义的折射率。 .o}v#W+st  
@[v~y"tE}  
[attachment=77683]
图7 2D轮廓定义 %xt^698&X  
通道轮廓文件由外延方向的层和这些在3D轮廓面板中被定义层组成。 #Rr%:\*  
5) 要指定3D轮廓定义: k|f4Cf,  
a. 在3D轮廓定义下,键入以下信息: CTA 3*Gn  
层名称:Channel1(通道1) x$(f7?s] 1  
宽度:1.0 E<*xx#p  
厚度:2 Vf1^4 t  
偏移量:0 Q=dy<kg']  
b. 在材料清单中,选择Core。 J|rq*XD}q  
c. 单击添加。 Z$? #  
您输入的信息显示在3D配置文件定义窗口中。 v(%*b,^  
6) 要保存通道轮廓文件,请单击“存储”。 Jfl!#UAD|n  
BuriedWg出现在目录中的Channel文件夹中,在Profile Designer标题栏和设计底部的选项卡上(参见图8)。 II=79$n`G  
[attachment=77684]
图8 定义通道轮廓
7) 要返回OptiBPM布局设计器窗口,请最小化“轮廓设计器”窗口。 '}#9)}x!  
出现OptiBPM GUI和初始属性对话框。 t.C5+^+%  
9(<@O%YU  
11.3定义布局设置 J4U1t2@)9  
要定义布局设置,请执行以下步骤: M rb)  
步骤 操作 ku M$UYTTX  
1) 在“初始属性”对话框中,单击“默认波导”标签。 o[D9I hs  
2) 键入以下值: _GPl gp:  
宽度:4.0 T&7qC=E#5  
注意:所有波导将使用该值作为默认宽度。 8Xs8A.  
3) 在轮廓列表中,单击新定义的BuriedWg(参见图9)。 | VDV<g5h  
注意:可以随时更改默认的或者相关联的任意单个波导(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“默认波导”)。 Y\'}a+:@Ph  
*}W_+qo"  
[attachment=77685]
图9初始属性对话框 - 默认波导选项卡 X#;bh78&-  
要在平面视图中指定分析区域的大小: "5$B>S(Q  
4) 单击“晶圆尺寸”选项卡。 Ny)X+2Ae  
键入以下值(参见图10)。 Z;)%%V%o  
长度:800 &PtJ$0%q  
宽度:40 ~4cC/"q$X  
R0-j5&^jju  
[attachment=77686]
图10初始属性对话框 - “晶圆尺寸”选项卡
指定任意点的材料并不包含波导内部(对于2D计算): y1L,0 ]  
5) 单击“2D晶圆属性”选项卡 ENY+^7  
6) 在晶圆折射率中,在“材质”列表中,单击“包层”。 -d:Jta!}{  
"U"Z 3 *  
在3D计算的情况下,需要提供更多的信息,因为通常用于基底的材料与用于包层的材料不同。 另外,需要规定层的厚度。 在这种情况下,我们在掩埋波导中以相同的材料来定义基底和包层。 注意,这不是基底或包层的实际厚度。 相反,这些数字指定计算窗口的边界。 基底的理想厚度将是足够大以容纳被分析的波导模式,但又不能太厚以避免网格的精度受损。 在实际工作中,随着波导设计经验的增加,这些尺寸将需要在后期进行优化。 但是,可以稍后更改这些尺寸(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“晶圆属性”)。 uWE^hz"  
要指定与任何不在任何波导内的点相关联的材料进行3D计算: _v]MsT-q  
7) 单击“3D晶片属性”选项卡。 x ]ot 2  
8) 在“包层”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:17。 ;i:d+!3XwC  
9) 在“基底”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:15 Aq7osU1B  
ufT`"i  
[attachment=77687]
图11初始属性对话框 - “3D晶圆属性”选项卡
10) 要将设置应用于布局,请单击“确定”。 X!g#T9kG  
将显示项目布局窗口。 qJUK_6|3  
注意:最大化项目布局窗口并调整放大倍率(+ - 按钮),使布局在屏幕上显示为适当的大小。 ` sU/&  P  
将项目保存为GettingStarted.bpd,以恢复目前已完成。 如果要保留记录此项目中间步骤的文件,请使用SaveAs功能。 保存文件后,轮廓设计器中树的名称为“GettingStarted”,保存的名称将替换临时名称“OptiBPMDesigner 1”(见图7)。 同样,如果您在OptiBPM中打开其他项目,则将在轮廓设计器中创建与新打开的项目名称相同的新分支。 S>1Iky|  
K@hw.Xq"  
...... S|+o-[e8O  
jEJT-*I1+  
未完待续
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