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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 <~uzHg%Y
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一. 半导体激光器的基本结构 ]~ ]TZb
•1.半导体双异质结构 9e`} ;DE
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 'Grej8
•3. 侧模控制(基侧模) zqj|$YNC
•4.横模控制 Jf2JGTcm
•5. 动态单模半导体激光器 3\Xk)a_
•6. 波长可调谐半导体激光器 (.N n|lY<i
•7.长波长VCSEL的进展 h<?Px"& J
•8.微腔激光器和光子晶体 1;~s NSTo
•9.半导体激光器材料的选择 Fy5:|C N
^ulgZ2BQ|
二.半导体光波导 Pxf>=kY
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 @Pc7$ qD %
•2. 光限制因子和模式增益 !:\0}w$-
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ef*Z;HI0
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ;v]C8 }L^
•5. DFB激光器的藕合模理论 m<j ;f
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 SVVE b6 &
•7. 等效折射率近似 ?a, #p
•8. 数值模拟 &V
axv$v}
!)oQ9,N
三.半导体中的光跃迁和增益 rE p\ld
•1. 费米分布函数及跃迁速率 [H\0
'
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9 D.wW
•3.简约态密度及增益谱 yH:p*|% :
•4.模式的自发辐射速率 _ }47U7s8
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2|?U%YrHWs
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 On
O_7'4 t
•7.增益谱峰值的近似表达式 +vJ}'uR3P
&zgliT!If
四. 速率方程和动态效应 lmcgOTT):
•1．单模速率方程及基本物理量 ='.b/]! _
•2．稳态输出 +(x(Ybl#
•3. 共振频率和3dB带宽 yq x!{8=V
•4. 载流子输运效应对带宽影响 E2}X[EoBF
•5. 开启延迟时间 yD \Kn{
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 }#.O Jub
•7. 自发辐射引起的噪声
M3UC 9t9]
•8. 相对强度噪声 XC<'m{^(m
•9. 模式线宽 ;C =d(
pY
•10. 多模速率方程 yT<"?S>D
7>zUT0SS
五.半导体激光器的基本工艺和特性 m~=VUhPd
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 'S}3 lsIE
3.激光器寿命 N4qBCBr(
4.激光器阈值电流的温度特性 %Qj$@.*:
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