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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Jg=!GU/::
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一. 半导体激光器的基本结构 q,)V0Ffe[|
•1.半导体双异质结构 7d%x 7!E
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) k/{WlLN
•3. 侧模控制(基侧模) f#:3 TJV
•4.横模控制 Y}R$RDRL
•5. 动态单模半导体激光器 R&Nl!QTJj
•6. 波长可调谐半导体激光器 [5L?#Y
•7.长波长VCSEL的进展 J$yq#LBbR@
•8.微腔激光器和光子晶体 f:+/= MW
•9.半导体激光器材料的选择 ;dUKFdKH}
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二.半导体光波导 { DP9^hg
•1. 平板波导的模式，TE和TM模
,= =_u
•2. 光限制因子和模式增益 HJ ]v-
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 rwXpB<@l@
•4. 半导体激光器镜面反射系数 N\__a~'0p
•5. DFB激光器的藕合模理论 34!.5^T
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Wcq R; Nm
•7. 等效折射率近似 QG?!XWz
•8. 数值模拟 -(?/95 Y
/gF)msUF
三.半导体中的光跃迁和增益 o%~fJx:]y
•1. 费米分布函数及跃迁速率 #d$z W4ur2
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 {I a1H
•3.简约态密度及增益谱 G(wK (P0j
•4.模式的自发辐射速率 EF:ec9 .
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ;iX~3[]
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 {7m2vv? Z
•7.增益谱峰值的近似表达式 +
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B1|nT?}J(
四. 速率方程和动态效应 Vv+nq_
•1．单模速率方程及基本物理量 3?V' O6
•2．稳态输出 c>D~MCNxg
•3. 共振频率和3dB带宽 K_L7a>Fr
•4. 载流子输运效应对带宽影响 lfM vNv
•5. 开启延迟时间 =nCA=-Jv
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 05ClPT\BCr
•7. 自发辐射引起的噪声
n(N u
•8. 相对强度噪声 |MGT8C&^!
•9. 模式线宽 ]2f-oz*hU
•10. 多模速率方程 QEqYqAGzu|
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 3LfF {ED@
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 r~T!$Tb
3.激光器寿命 ":+d7xR ?o
4.激光器阈值电流的温度特性 xwsl$Rj
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