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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 8\qCj.>S
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一. 半导体激光器的基本结构 c8k6(#\
•1.半导体双异质结构 cCo07R
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "TBQNWZ
•3. 侧模控制(基侧模) 33#7U+~]@
•4.横模控制 6e$sA (a=i
•5. 动态单模半导体激光器 uPv;y!Lsa@
•6. 波长可调谐半导体激光器 5XSxQG@k^z
•7.长波长VCSEL的进展 37:b D
•8.微腔激光器和光子晶体 U / 1[~429
•9.半导体激光器材料的选择 %nDPM? aO
H6%!v1 u
二.半导体光波导 z:ru68
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 `}k&HRn
•2. 光限制因子和模式增益 q
G :jnl
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ^*cMry
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Q.pEUDq/
•5. DFB激光器的藕合模理论 P`Hd*xh".j
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Z30z<d,j
•7. 等效折射率近似 l6&v}M
•8. 数值模拟 ?l\gh1{C
WTV3p,;6a
三.半导体中的光跃迁和增益 _ e:5XQ
•1. 费米分布函数及跃迁速率 <FcPxZ
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9I`Mm}v@
•3.简约态密度及增益谱 s3MMICRT.
•4.模式的自发辐射速率 E]u'MX
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 O]Ry3j
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 jM3 Y|}+
•7.增益谱峰值的近似表达式 !
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四. 速率方程和动态效应 )5GdvqA
•1．单模速率方程及基本物理量 I |< +'G
•2．稳态输出 7U{b+=,wK
•3. 共振频率和3dB带宽 E1l\~%A
•4. 载流子输运效应对带宽影响 #czyr@
•5. 开启延迟时间 UALg!M#
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 fncwe ' ;?
•7. 自发辐射引起的噪声 T}w*K[z
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•8. 相对强度噪声 @Q$ /eL
•9. 模式线宽 8aZey_Hw;+
•10. 多模速率方程 BuEQ^[Ex
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 |oBdr yi
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Zeme`/aBb
3.激光器寿命 skR, M=F~
4.激光器阈值电流的温度特性 ZHiICh|et%
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