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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 XB;7!8|
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一. 半导体激光器的基本结构 @ p 9i
•1.半导体双异质结构 &.)^
%Tp\z
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) kr ^P6}'
•3. 侧模控制(基侧模) Y!aSs3c
•4.横模控制 ;>U2|>5V
•5. 动态单模半导体激光器 G/y5H;<9M
•6. 波长可调谐半导体激光器 !]A
•7.长波长VCSEL的进展 &)#
ihK_
•8.微腔激光器和光子晶体 jodIv=C
•9.半导体激光器材料的选择 k{R>
IEL%!RFG
二.半导体光波导 <6%?OJhp
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 L Tm2G4+]
•2. 光限制因子和模式增益 :_`F{rDB
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 p}}R -D&K
•4. 半导体激光器镜面反射系数 yM6pd U]i
•5. DFB激光器的藕合模理论 B {n,t}z
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 TNT4<5Ol 6
•7. 等效折射率近似 1sy[ @Q2b
•8. 数值模拟 nSDMOyj+
1 fp?
三.半导体中的光跃迁和增益 //up5R_nx
•1. 费米分布函数及跃迁速率 :I.mGH!^
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Co9^OF-k
•3.简约态密度及增益谱 T=
8 0,
•4.模式的自发辐射速率 @o].He@L<j
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ol\Utq,
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 2lZ
Q)
•7.增益谱峰值的近似表达式 *P[ hy
`$Y.Y5mGtJ
四. 速率方程和动态效应 2"v6
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•1．单模速率方程及基本物理量 v4!V r I
•2．稳态输出 6$hQ 35
•3. 共振频率和3dB带宽 L8@f-Kk
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ^ x ]r`b
•5. 开启延迟时间 !NK1MU?T)
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 >%_ \;svZG
•7. 自发辐射引起的噪声 \{_q.;}
•8. 相对强度噪声 7uqzm
•9. 模式线宽 x`eo"5.$
•10. 多模速率方程 +q<jAW A
Y sC>i`n9
五.半导体激光器的基本工艺和特性 /aCc17>2V{
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 #Qw0&kM7I
3.激光器寿命 ^ 'MT0j
4.激光器阈值电流的温度特性 @(w@e\Bq
+%z> H"J.
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