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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 K!l5coM
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一. 半导体激光器的基本结构 P=G 3:eX
•1.半导体双异质结构 Q#zmf24W
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Pg7Yp2)Oli
•3. 侧模控制(基侧模) d m%8K6|
•4.横模控制 <1M-Ro?5k
•5. 动态单模半导体激光器 Ozf@6\/t
•6. 波长可调谐半导体激光器 Kx JqbLUC
•7.长波长VCSEL的进展 r" ,GC]
•8.微腔激光器和光子晶体 S ByW[JE
•9.半导体激光器材料的选择 y"wShAR
FzC'G57Kl
二.半导体光波导 jWfa;&Ra
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 S|+o-[e8O
•2. 光限制因子和模式增益 FaJ &GOM,
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 5l*&>C[(i
•4. 半导体激光器镜面反射系数 nzeX[*
•5. DFB激光器的藕合模理论 jRV/A!4
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 SasJic2M
•7. 等效折射率近似 *-p}z@8
•8. 数值模拟 :*\P n!r
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三.半导体中的光跃迁和增益 h 9W^[ 6
•1. 费米分布函数及跃迁速率 !g2+w$YVa
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 P7~ >mm+
•3.简约态密度及增益谱 #>+ HlT
•4.模式的自发辐射速率 cYt!n5w~W
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 `PH{syz
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 pyvS wD5t
•7.增益谱峰值的近似表达式 cExS7~*
Th%Sjgs n
四. 速率方程和动态效应 a:6m7U)P#5
•1．单模速率方程及基本物理量 P";'jVcR
•2．稳态输出 U/NoP4~{
•3. 共振频率和3dB带宽 Ph> %7M%
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ^gnZ+`3
•5. 开启延迟时间 V~ 5jfcd
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Q'0d~6n&{
•7. 自发辐射引起的噪声 ~$?ZK]YOrx
•8. 相对强度噪声 }pu27F )&
•9. 模式线宽 @MCg%Afw
•10. 多模速率方程 `W*U 4?M
'."ed%=MC
五.半导体激光器的基本工艺和特性 z' >_Mc6
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 kPLxEwl
3.激光器寿命 <e</m)j
4.激光器阈值电流的温度特性 pIX`MlBdF
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