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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ob 3Z
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一. 半导体激光器的基本结构 | Y42ZOK0
•1.半导体双异质结构 d,0Yi
u.p
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) rBUdHd9
•3. 侧模控制(基侧模) Axtf,x+lH
•4.横模控制 hc4W|Ofj
•5. 动态单模半导体激光器 |K%nVcR=
•6. 波长可调谐半导体激光器 ]\Tcy [5
•7.长波长VCSEL的进展 1]l m0bfs
•8.微腔激光器和光子晶体 XCTee
•9.半导体激光器材料的选择 |Skxa\MI
&%/kPF~<
二.半导体光波导 (8*& 42W
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 , :!dq onn
•2. 光限制因子和模式增益 N>$Nw<wV
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 +R_w- NI
•4. 半导体激光器镜面反射系数 oU.LYz_
•5. DFB激光器的藕合模理论 I}a iy.l
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 f9Hm2wV
•7. 等效折射率近似 6k=ink-/
•8. 数值模拟 p ^U:O&U(
k 8 ;
三.半导体中的光跃迁和增益 )D: I@`*
•1. 费米分布函数及跃迁速率 mt+IB4`
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 6BJPQdqSl
•3.简约态密度及增益谱 7O)U(<70
•4.模式的自发辐射速率 Jz!8Xg%a
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 JWa9[Dj
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Z5 uetS^
•7.增益谱峰值的近似表达式 76\ir<1up
8- ?.Q"D7%
四. 速率方程和动态效应 wPn#>\/L
•1．单模速率方程及基本物理量 |8$x
•2．稳态输出 aIv>X@U}
•3. 共振频率和3dB带宽 T
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•4. 载流子输运效应对带宽影响 6BihZ|H04
•5. 开启延迟时间 Xz'pZ*Hr$v
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 4dXuy>Km
•7. 自发辐射引起的噪声
`5:Wv b>|
•8. 相对强度噪声 '*5I5'[ X,
•9. 模式线宽 u6A ReL 'f
•10. 多模速率方程 O;9'0-F ?
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ?q(7avS9
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 [<Wo7G1s
3.激光器寿命 iw\RQ
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4.激光器阈值电流的温度特性 coHzbD~#H
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