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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Ol
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一. 半导体激光器的基本结构 sTxgU !_
•1.半导体双异质结构 *)(S}D\94
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) _UA|0 a!-
•3. 侧模控制(基侧模) EzeU-!|W
•4.横模控制 Z[9t?ePL
•5. 动态单模半导体激光器 h"y~!NWn
•6. 波长可调谐半导体激光器 A>v e|us$
•7.长波长VCSEL的进展 ]$,3vYBf
•8.微腔激光器和光子晶体 *Fg)`M3g
•9.半导体激光器材料的选择 WM;5/;bB
a&Z,~Vp
二.半导体光波导 '~9w<dSB!r
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 <])]1r8
•2. 光限制因子和模式增益 8 :;]t t
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 .0rTk$B
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Sy/ Z}H
•5. DFB激光器的藕合模理论 JvsL]yRT
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 mKqXB\<
•7. 等效折射率近似 Zq~Rkx
•8. 数值模拟 O I0N(V
R/xT.EQ(N
三.半导体中的光跃迁和增益 ~:
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•1. 费米分布函数及跃迁速率 8OMMV,QF
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 >WA'/Sl<A<
•3.简约态密度及增益谱 m5o$Dus+?'
•4.模式的自发辐射速率 >"+ ho
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 @ uz(h'~
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 gq]@*C
•7.增益谱峰值的近似表达式 |[0Ijm2
Cw"[$E'J
四. 速率方程和动态效应 i6f42]Jy
•1．单模速率方程及基本物理量 0 @um
•2．稳态输出 1% C EUE
•3. 共振频率和3dB带宽 Ifokg~X~G
•4. 载流子输运效应对带宽影响 2q(gWhcj
•5. 开启延迟时间 lGt:.p{NG
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 B]NcY&A
•7. 自发辐射引起的噪声 UpPl-jeT
•8. 相对强度噪声 jz~#K;3=,
•9. 模式线宽 A i"MJ6)
•10. 多模速率方程 P+ Gz'
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 nLOK 1@,4
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 &8pGq./lr=
3.激光器寿命 E+ |K3EJ
4.激光器阈值电流的温度特性 eso-{W,D
M~7Cb>%<
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