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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 o{s4.LKK
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一. 半导体激光器的基本结构 .H* ? '*
•1.半导体双异质结构 ua6*zop
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) s >[vT?
•3. 侧模控制(基侧模) N^nDWK
•4.横模控制 Q*TQ*J7".X
•5. 动态单模半导体激光器 #d7)$ub
•6. 波长可调谐半导体激光器 Dg ?Ho2i h
•7.长波长VCSEL的进展 O&gy(
•8.微腔激光器和光子晶体 (7
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•9.半导体激光器材料的选择 <"j"h=tm}
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二.半导体光波导 r zc 3 k~@
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 ?w|\ 7T.?
•2. 光限制因子和模式增益 ]G$!/vXP
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 "N=&4<]I5
•4. 半导体激光器镜面反射系数 . pNq-T
•5. DFB激光器的藕合模理论 'Gm!Jblo@
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 (RI>aDG RH
•7. 等效折射率近似 ]xVL11p
•8. 数值模拟 AmrJ_YP/t~
{/,+ _E/
三.半导体中的光跃迁和增益 n^I|}u\
•1. 费米分布函数及跃迁速率 b W` )CWd
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 E(L^hZMc
•3.简约态密度及增益谱 fitK2d
•4.模式的自发辐射速率 =r@ie>* U
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 'p{Y{
$Q
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ir1RA mt%
•7.增益谱峰值的近似表达式 |<5J
)gm \e?^
四. 速率方程和动态效应 LXOF{FG
•1．单模速率方程及基本物理量 YpbdScz
•2．稳态输出 ~>wq;T:=
•3. 共振频率和3dB带宽 Vo58Nz:%
•4. 载流子输运效应对带宽影响 4'u|L&ow
•5. 开启延迟时间 wMR[*I/
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 `;8u9Ff
•7. 自发辐射引起的噪声 v6,
o/3Ex
•8. 相对强度噪声 LVz%$Cq,0
•9. 模式线宽 gP"Mu#/D
•10. 多模速率方程 S7\jR%p b
=V4_DJ(&
五.半导体激光器的基本工艺和特性 P St|!GST
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 9 /^Bj
3.激光器寿命 Q'V,?#
4.激光器阈值电流的温度特性 ( Nve5
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