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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 f0MHh5
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一. 半导体激光器的基本结构 @i6D&e=
•1.半导体双异质结构 V..m2nQj
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Kax85)9u
•3. 侧模控制(基侧模) -L1{0{Z
•4.横模控制 rs 7R5 F
•5. 动态单模半导体激光器 \T<?=A
•6. 波长可调谐半导体激光器 .VTHZvyn
•7.长波长VCSEL的进展 y;sr# -L
•8.微腔激光器和光子晶体 _g$6vx&
•9.半导体激光器材料的选择 o )Ob }j
6dq5f?w]
二.半导体光波导 "sL# )<%
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 [A[vR7&S
•2. 光限制因子和模式增益 j.AAY ?L
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 L!-T`R8'c
•4. 半导体激光器镜面反射系数 "m/0>UU0
•5. DFB激光器的藕合模理论 d&.)Dw
•6. DFB半导体激光器的一维模拟
CW, Kw
•7. 等效折射率近似 M0"xDvQ
•8. 数值模拟 Tw-gM-m;
#L BZ%%v
三.半导体中的光跃迁和增益 3mr9}P9;
•1. 费米分布函数及跃迁速率 hbx G
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 '.d el7s
•3.简约态密度及增益谱 8 :Z3Q
•4.模式的自发辐射速率 WAkKbqJV
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 :;)K>g,b
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 RUSBJsMB
•7.增益谱峰值的近似表达式 8[2^`g
;`s/|v
四. 速率方程和动态效应 [ V/*{Z
•1．单模速率方程及基本物理量 hZc$`V=R
•2．稳态输出 vY }/CBmg
•3. 共振频率和3dB带宽 ~ hYG%
•4. 载流子输运效应对带宽影响 U1J?o #(
•5. 开启延迟时间 G#3 O^,m
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 W}a&L
•7. 自发辐射引起的噪声 BEifUgCh
•8. 相对强度噪声 N\<M4 fn
•9. 模式线宽 NC@OmSR\0
•10. 多模速率方程 G|IO~o0+
*,@dt+H! y
五.半导体激光器的基本工艺和特性
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1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 !W .ooy5(
3.激光器寿命 ^Shz[=fd
4.激光器阈值电流的温度特性 ] "{K5s7
Z?CmD ;W
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