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2006-09-12 14:09 |
半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享
半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 (BJs6":BFe
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一. 半导体激光器的基本结构 mtHw! *
•1.半导体双异质结构 k: c)|2
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) +VTMa9d
•3. 侧模控制(基侧模) x1TB
(^aX
•4.横模控制 %=GnGgu
•5. 动态单模半导体激光器 P[D ^*}
•6. 波长可调谐半导体激光器 L"AZ,|wIk
•7.长波长VCSEL的进展 O)W1.]GMbf
•8.微腔激光器和光子晶体 65g\WB+/
•9.半导体激光器材料的选择 32dR`qb
'H97D-86/
二.半导体光波导 v\& Wb_;A
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 iEnDS@7
•2. 光限制因子和模式增益 ZMoN
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 RHeql*`
•4. 半导体激光器镜面反射系数 iFpJ /L
•5. DFB激光器的藕合模理论 #p Ld ';
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 A[^fG_l4
•7. 等效折射率近似 ]Z6==+mCP
•8. 数值模拟 qauk,t
Qn6'E
三.半导体中的光跃迁和增益 {p-&8-
•1. 费米分布函数及跃迁速率 1r' skmxq
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9+_SG/@
•3.简约态密度及增益谱 cl/}PmYIZ
•4.模式的自发辐射速率 cba ~
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 =*_ T;;E
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 @F U9!
•7.增益谱峰值的近似表达式 7&-B6Y 4
{d|e @`" T
四. 速率方程和动态效应 2Sz?r d,0f
•1．单模速率方程及基本物理量 kLtm_
•2．稳态输出 OXAr..
•3. 共振频率和3dB带宽 +`'=K ;{U
•4. 载流子输运效应对带宽影响 OTwIR<_B+
•5. 开启延迟时间 z3> ldT
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 W:VRLT>w>
•7. 自发辐射引起的噪声 X+dLk(jI`u
•8. 相对强度噪声 V 'alzw7#
•9. 模式线宽 dX^ ^
@7
•10. 多模速率方程 +J [<zxh\
JiH^N!
五.半导体激光器的基本工艺和特性 0[E}[{t`
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 !79eF)
3.激光器寿命 ! W2dMD/
4.激光器阈值电流的温度特性 FglW|Hwy
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