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newopto 2014-11-13 15:07

新势力光电供应压力传感器芯片

新势力光电供应压力传感器芯片，采用高级电阻传感技术（STARe, Sensor Technology for AdvancedResistors），特点：稳定性高、适用于恶劣环境，该系列压力传感器芯片应用：腐蚀性、流动性、油性环境下的高精密压力传感测量，包括：汽车制造、工业、医疗、大型家电。 ctHQZ#.[(  
|A,.mOT  
+w(6#R8u5  
Type		 nC !NZ  
Pressure		 9{ge U9&Z  
Min		 o<p4r}*AVJ  
Typ		 1c @S[y  
Max		 RTvOaZ  
Unit
*2N0r2t&  
The Pressure sensor chips are based onthe STARe (Sensor Technology for Advanced Resistors)
zt9A-% \R  
Standard Line STARe, Piezoresistive chipsfor pressure measurements of 1 to 30 bar
J =8Y D"1  
SL21K-100k-A/GXX		 :-U& _%#w  
100 kPa		 #@w/S:KbJt  
40		 qhG2j;  
70		 Z_dL@\#|  
130		 =`>ei  
mV@5V
G;#xcld  
SL21K-250k-A/GXX		 z79oj\&[  
250 kPa		 D3,)H%5.y  
60		 Het>G{  
100		 6C"zBJcGc  
140
,Xn %0]  
SL21K-500k-A/GXX		 ollVg/z  
500 kPa		 [>_zV.X  
60		 _qk&W_u  
100		 Gg GjBt  
140
5+Tx01 )  
SL21K-01M0-A/GXX		 6&6dd_K(  
1.0 MPa		 +t*I{X(  
60		 *' es(]W  
100		 dT&u}o3X  
140
"Xwsu8~  
SL21K-03M0-A/GXX		 ToKG;Ff4b  
3.0 MPa		 e2tru_#  
60		 1ljcbD)T;  
100		 )+Z.J]$O-  
140
@c"s6h&  
Industrial Line STARe, Piezoresistivechips for pressure measurements of 100 mbar to 400 bar
ME!P{ _/  
IL20L-10k0-GXX		 ">h$(WCK  
10 kPa		 fuCt9Kjo<  
30		 k#~oagW_Gw  
60		 "X!1^)W -8  
120		 a{}#t}  
mV@5V
i4WHjeo\  
IL20L-35k0-A/GXX		 9vW]HOK  
35 kPa		 ;o;ak.dTt  
40		 #u+qV!4  
100		 }M"])B I  
160
iqB%sIP  
IL20M-03M0-A/GXX		 [4bE"u  
3.0 MPa		 = \oW {?  
60		   < /5  
100		 iFcSz  
140
/[/{m]  
IL20M-100k-A/GXX		 ]B~ (yh  
100 kPa		 -bSM]86  
60		 \Nf#{  
100		  5 b,|6  
140
z%JN|5  
IL20M-250k-A/GXX		 pXBh^  
250 kPa		 L *|P'  
60		 r4X\/  
100		 _(~ E8g  
140
=b1 y*?  
IL20M-500k-A/GXX		 `)KGajB  
500 kPa		 ?|}qT05  
60		 (]&B' 1b  
100		 3,*A VcQA  
140
#D?w,<_8,  
IL20M-01M0-A/GXX		 QuI!`/N)z  
1.0 MPa		 rFm?Bu  
60		 p0l.f`B  
100		 SfrM|o  
140
3fZoF`<a  
IL20M-10M0-A/GXX		 ` l'QAIo  
10.0 MPa		 O7.eq524  
200		 ''!j:49  
250		 >zw@!1{1  
300
kVt/Hhd9  
IL20M-40M0-AXX		 QGGBI Ku   
40.0 MPa		 dNqj|Vu  
230		 63$`KG3  
290		 i&%dwqp  
350
>XRf= :3  
High Stability Line STARe, Piezoresistivechips for pressure measurements of 60 mbar to 400 bar
cG@W o8+  
HS20V-06k0-A/G/D05		 28+{  
6 kPa		 -*ZQ=nomN  
60		 -{z[.v.p  
100		 z^4+U n  
140		 t.O~RE  
mV@5V
P%vouC0W  
HS20V-10k0-A/G/D05		  z.2UZ%:  
10 kPa		 .A6pPRy e  
60		 Ik A~+6UY  
100		 Q[H4l({E  
140
E(1G!uu<  
HS20L-35k0-A/G/DXX		 =eDC{/K  
35 kPa		 Ic&YiATj  
60		 U%#Vz-r  
100		 j b'M  
140
M\JAB ;A  
HS20L-100k-A/G/DXX		 jJ2{g> P0P  
100 kPa		 Qn-nO_JL  
60		 j!;E>`g  
100		 Kg /,  
140
$`vXI%|.  
HS20M-250k-A/G/DXX		  _PwPLSg  
250 kPa		 "^ dMCS@  
60		 B(eiRr3  
100		 =0;njL(7;  
140
-sDl[  
HS20M-500k-A/G/DXX		 Dd, &a  
500 kPa		  zNn  
60		 auY?Cj'"fs  
100		 =W"T=p*j  
140
eE\T,u5:  
HS20M-01M0-A/G/DXX		 d5{RIM|  
1.0 MPa		 u'T>Y1I  
60		 '*&V7:  
100		 heb{i5el  
140
dEX67rUj;  
HS20M-03M0-A/G/XX		 mOyNl -f  
3.0 MPa		 pMAFZfte!x  
60		 ]a*26AbU+  
100		 Pe11a zJ  
140
(5hUoDr!  
HS20M-10M0-A/GXX		 "s`#` '  
10.0 MPa		 or7l} X  
200		 c@j3L23B  
250		 LJ z6)kz  
300
w-@6qMJ  
HS20M-20M0-A08		 ir|L@Jj,  
20.0 MPa		 lX 50JJwk  
60		 IkGM~3e  
100		 4>B=k  
140
"N}MhcdS  
HS20M-40M0-A08		 b`;&o^7gMO  
40.0 MPa		 Dv^M/z2&[  
60		 e%9zY{ABR%  
100		 +lf`Dd3  
140
&*Kk> 4  
Harsh Environmental Line, Piezoresistivechips for pressure measurements of 2 bar to 16 bar
O[|X=ZwR:l  
HE11C-200K-AXX		 iUqD>OV  
200 kPa		 T7Ju7_q}  
60		 :#N]s  
100		 4O{,oN~7  
140		 d@Wze[M?0  
mV@5V
&v:[+zw  
HE11C-400K-AXX		 :C&6M79k  
400 kPa		 yio8BcXH54  
60		 ezm*9Jc~p  
100		 c;#gvE  
140
A9GSeW<  
HE11C-800K-AXX		 Jr(Z Ym'  
800 kPa		 <e@4;Z(h04  
60		 I%z,s{9p  
100		 $KoGh_h   
140
nH+wU;M  
HE11C-01M6-AXX		 [BEQ ~A_I  
1.6 MPa		 cCG!X%9  
60		 lxR]Bh+  
100		 WZviC_  
140
:"K9(XKKU  
pqohLA  
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