讯技光电SimuLase(TM)半导体建模软件
SimuLase™是第一款允许用户在最新半导体中建模的软件工具,这是一个潜能全微观主体模型,允许确定/预测必要的电光特性,如增益/吸收折射率,自发辐射(发光图像),由于辐射导致的载波损耗和Auger损耗等,删除fir-parameter后可以达到前所有未有的精度。 $a
/jfpV op!ft/Yyb 基于微观计算属性的工具也可以计算宏观特性,例如横向和纵向场光模式,反射和光传输谱,表面-PL光谱等,通过修改无损耗材料PL参数,考虑其腔效应,阈值电流或V(E)CSEL结构操作特性。Simulase也允许将实验结果与和理论值进行简单的比较,潜能微观主体模型的突破性特点已在大量的同行评议期刊中有证明。 Evjvaa^ 5a8[0&hA 2 [attachment=52871] pTzwyj!SD p~v
rr 5 [attachment=52872] SynL%Y9)|, A(Tqf.,G SimuLase™提供: VIIBw ?WVp,vP 正确的基本输入,在开启任何可信赖设备时,需要设定其初始输入点,这个数据可以很容易地导入到其他商业软件工具中,作进一步调研; /-C`*P=:u 易操作的GUI,可以确定很多结构的基本特性,而不需要任何实验反馈; Z~X \Z. .(
)rby 实验验证模型,在过去的二十年间,实验证实的模型已经在同行评审期刊上发布了五十多篇文章; ZnrsJ1f: .8.4!6~@ 即便您不是微观行业的专家,也可以充分利用这个工具的优势。SimuLase™在自动设计结构时,可以显示所有参数,并充分利用微观模型的fit-parameter优势,允许更改计算参数或使用简化的模型。 `Zdeq.R] G`;YB SimuLase™工具: 3bWYRW ~ShoU
m[ SimuLase_Designer™ DJWm7 t st7\k]J\ SimuLase_Analyzer™是SimuLase的用户界面(GUI),允许显示和分析SimuLase建立结构的增益分布数据,或从NLCSTR中购买作为咨询协议的一部分。 wP|Amn+; {pWb*~!k SimuLase™允许: ^<$$h b-/8R|Mem 在不关闭任何信息的情况下,自己设置GainDatabases; A'zXbp:% 2`Dqu"TWh 用集成的SimuLase_Analyzer™分析数据; 7O.?I#
76 i(Xz3L#( 以前所未有的精度和易用性设计、分析和优化设备; `/e
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Q 你可以在这里下载一个免费的SimuLase™试用版以及它的使用手册或快速入门指南。 d O})#50f q.}M^iDe SimuLase™对下列材料组是有现成的: 6@rebe!&= /r8'stRzv AlInGaAsP,包括: GaAs, AlAs, InAs, GaP, AlP, InP, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, InxGa1-xP, GaAsxP1-x, InAsxP1-x, AlxGa1-xP, InxGa1-xAsyP1-y, AlxGa1-xAsyP1-y, In1-x(AlyGa1-y)xP `] fud{ eb#yCDIC (x, y在0.0和1.0之间). w=;Jj7}L vC
[uEx: AlInGaNAs, (dillute Nitride) 包括:GaAs, AlAs, InAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, GaNzAs1-z, InxGa1-xNzAs1-z -J6G=+s/ On`T
pz/ (x, y在0.0 和 1.0之间,z 在0.0和0.2之间). .="/n8B M+|J;caX 即将推出: JmP[ 9" 0[
BPmO6 AlInGaN. sC}p_'L :lfUVa{HN 所有的版本包含金属层(现在是Ti, Cr和Au)和介电层 (目前是Si3N4, Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2,和Y2O3). 其它金属和膜层在索取时可以纳入进来(不需要额外费用)。你可以订购SimuLase™之前提到的材料组以外的材料或自定义的混合物。
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