讯技光电SimuLase(TM)半导体建模软件
SimuLase™是第一款允许用户在最新半导体中建模的软件工具,这是一个潜能全微观主体模型,允许确定/预测必要的电光特性,如增益/吸收折射率,自发辐射(发光图像),由于辐射导致的载波损耗和Auger损耗等,删除fir-parameter后可以达到前所有未有的精度。 :,~]R,tJQ 3{/Y&/\"'^ 基于微观计算属性的工具也可以计算宏观特性,例如横向和纵向场光模式,反射和光传输谱,表面-PL光谱等,通过修改无损耗材料PL参数,考虑其腔效应,阈值电流或V(E)CSEL结构操作特性。Simulase也允许将实验结果与和理论值进行简单的比较,潜能微观主体模型的突破性特点已在大量的同行评议期刊中有证明。 %]iE(!>3oy h!4jl0oX] [attachment=52871] g/_j"Nn O&vE 5%x [attachment=52872] #ts;s\! P-2 5]- SimuLase™提供: rd\:. aZBS!X 正确的基本输入,在开启任何可信赖设备时,需要设定其初始输入点,这个数据可以很容易地导入到其他商业软件工具中,作进一步调研; ))xyaYIZkk 易操作的GUI,可以确定很多结构的基本特性,而不需要任何实验反馈; tpQ?E<O {OBV+}# 实验验证模型,在过去的二十年间,实验证实的模型已经在同行评审期刊上发布了五十多篇文章; $T-Pl57 mcgkNED 即便您不是微观行业的专家,也可以充分利用这个工具的优势。SimuLase™在自动设计结构时,可以显示所有参数,并充分利用微观模型的fit-parameter优势,允许更改计算参数或使用简化的模型。 BnwYyh %c`P`~sp SimuLase™工具: m&&Y=2 W81dLeTZg SimuLase_Designer™ i7#PYt f?P>P23 SimuLase_Analyzer™是SimuLase的用户界面(GUI),允许显示和分析SimuLase建立结构的增益分布数据,或从NLCSTR中购买作为咨询协议的一部分。 O3];1ud r}%2;!T SimuLase™允许: ,%!E-gr _=*ph0nu 在不关闭任何信息的情况下,自己设置GainDatabases; a|u&N:v7B uNoP8U%* 用集成的SimuLase_Analyzer™分析数据; ]@G$L,3 <Z:Fnp 以前所未有的精度和易用性设计、分析和优化设备; `rQDX<? !8ch&cr)o+ 你可以在这里下载一个免费的SimuLase™试用版以及它的使用手册或快速入门指南。 $6Az\Iu * =|Vm69 SimuLase™对下列材料组是有现成的: "u=U@1 ^ Xpp%j AlInGaAsP,包括: GaAs, AlAs, InAs, GaP, AlP, InP, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, InxGa1-xP, GaAsxP1-x, InAsxP1-x, AlxGa1-xP, InxGa1-xAsyP1-y, AlxGa1-xAsyP1-y, In1-x(AlyGa1-y)xP 7LZA!3 3{"M N= (x, y在0.0和1.0之间). g6V>_| Ak=|wY{ AlInGaNAs, (dillute Nitride) 包括:GaAs, AlAs, InAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, GaNzAs1-z, InxGa1-xNzAs1-z '}pe$= 7~H.\4HB (x, y在0.0 和 1.0之间,z 在0.0和0.2之间). t,4'\nv*
"'zVwU 即将推出: l
NhX)D^t A!bH0=<I AlInGaN. 5<=ktA48[ bayDdR4T 所有的版本包含金属层(现在是Ti, Cr和Au)和介电层 (目前是Si3N4, Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2,和Y2O3). 其它金属和膜层在索取时可以纳入进来(不需要额外费用)。你可以订购SimuLase™之前提到的材料组以外的材料或自定义的混合物。
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