讯技光电SimuLase(TM)半导体建模软件
SimuLase™是第一款允许用户在最新半导体中建模的软件工具，这是一个潜能全微观主体模型，允许确定/预测必要的电光特性，如增益/吸收折射率，自发辐射（发光图像），由于辐射导致的载波损耗和Auger损耗等，删除fir-parameter后可以达到前所有未有的精度。 EM j;2!
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基于微观计算属性的工具也可以计算宏观特性，例如横向和纵向场光模式，反射和光传输谱，表面-PL光谱等，通过修改无损耗材料PL参数，考虑其腔效应，阈值电流或V(E)CSEL结构操作特性。Simulase也允许将实验结果与和理论值进行简单的比较，潜能微观主体模型的突破性特点已在大量的同行评议期刊中有证明。 #E7AmmqD%
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SimuLase™提供： R*pC.QiB~
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正确的基本输入，在开启任何可信赖设备时，需要设定其初始输入点，这个数据可以很容易地导入到其他商业软件工具中，作进一步调研； B~o-l*
易操作的GUI，可以确定很多结构的基本特性，而不需要任何实验反馈； Cr ? 4Ng w
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实验验证模型，在过去的二十年间，实验证实的模型已经在同行评审期刊上发布了五十多篇文章； {MdLX.ycc)
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即便您不是微观行业的专家，也可以充分利用这个工具的优势。SimuLase™在自动设计结构时，可以显示所有参数，并充分利用微观模型的fit-parameter优势，允许更改计算参数或使用简化的模型。 csZ c|kDI
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SimuLase™工具： kJ:F *34e=
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SimuLase_Analyzer™是SimuLase的用户界面（GUI），允许显示和分析SimuLase建立结构的增益分布数据，或从NLCSTR中购买作为咨询协议的一部分。 TCKu,}s
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SimuLase™允许： =}!Mf'
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在不关闭任何信息的情况下，自己设置GainDatabases； e$) 300 o
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用集成的SimuLase_Analyzer™分析数据； 266oTER]v:
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以前所未有的精度和易用性设计、分析和优化设备； m ^~ S
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你可以在这里下载一个免费的SimuLase™试用版以及它的使用手册或快速入门指南。 0U/,aHvhP
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SimuLase™对下列材料组是有现成的： siDh="{s
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AlInGaAsP，包括： GaAs, AlAs, InAs, GaP, AlP, InP, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, InxGa1-xP, GaAsxP1-x, InAsxP1-x, AlxGa1-xP, InxGa1-xAsyP1-y, AlxGa1-xAsyP1-y, In1-x(AlyGa1-y)xP u6u=2
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(x, y在0.0和1.0之间). _,74)l1
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AlInGaNAs, (dillute Nitride) 包括：GaAs, AlAs, InAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, GaNzAs1-z, InxGa1-xNzAs1-z G9P!_72
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(x, y在0.0 和 1.0之间，z 在0.0和0.2之间). TJ8E"t*)
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即将推出： [%A 4]QzWh
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所有的版本包含金属层(现在是Ti, Cr和Au)和介电层 (目前是Si3N4, Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2,和Y2O3). 其它金属和膜层在索取时可以纳入进来(不需要额外费用)。你可以订购SimuLase™之前提到的材料组以外的材料或自定义的混合物。
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