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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 fg1 zT~  
xjX5PQu  
ss2:8up 99  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： ]CL70+[^9  
Kc{wv/6}T  
(?3( =+t  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 ]JM9 ^F  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） "M*\,IH  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 0bd.ess  
    高损伤阈值 >ab=LDoM  
    可精确控制相位延迟 Je*gMq:D  
{"y 6l  
3~S~)quwP  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 5y~[2jB:  
DuFlN1Z  
L`p[Dq.  
JEd/j zR(  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ;}PL/L$L6;  
7)]G"m{  
9(I4x]`  
#QB`'2)vw  
应用举例： C/$IF M<  
%$}iM<  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf C^~iz in  
]Lh\[@#1f  
8_ LDS  
>ylVES/V  
9PBmBP ~  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： HvngjP{>  
{%$=^XO  
>w'6ZDA*X  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 Tv KX8m"  
GQQ!3LwP\O  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 dvf*w:5K!  
4H:WpW*r  
~E\CAZ  
R}]FIu  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 a"zoDD/  
v 7R&9kU{  
ubQ(O uM"  
(o|E@d  
TABLE 1 (AS%P?  
   `l}-S |a  
   oMVwId f  
l1??b  
SPECTRAL REGION o?3R HP47  
SERIES ^/+sl-6/F  
MATERIAL 3,[2-obmi  
7PMZt$n  
Vacuum UV, UV )0Lq>6j9  
I U!5@$Fu  
Lithium Fluoride ymzm x$o=  
:U 9R 1^}A  
Vacuum UV to mid-IR |); >wV"  
I,II = `^jz}  
Calcium Fluoride t'J fiGM  
!2Orklzd1  
Vacuum UV to near-IR kpdFb7>|  
I,II {G}HZv%S U  
Fused Silica |^F-.Z  
Y!L jy [/  
Mid-visible to mid-IR =%3nKSg  
II @2mP  
Zinc Selenide 5-OvPTY`M  
cC4T3]4l'  
Near- to mid-IR CytpL`&^]  
II B4}XK =)  
Silicon cabN<a l  
=(ZGaZ}  
3\{Sf /#  
&Yg/ 08*  
nR7\ o(!  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 j1ZFsTFMWp  
1 XG-O  
:m d3@r']  
U]|q4!WE  
ca =e_sg  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 OL rD4 e  
z'lNO| nU  
e@OA>  
zqh{=&Tjx  
c #kV+n<  
G)&'8W F5o  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） {Fi@|'  
z(3"\ ^T  
ju]]|  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 %U GlAyj  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 -Q6pV<i  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 yr>bL"!CA  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 H#inr^Xa  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH GcR`{ 3hO  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 Q$1K{14I  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds O@iW?9C+  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 Rs`a@ Fn  
&r%*_pX  
0?SLRz8  
er0D5f R  
基本指标 %7msAvbk  
H |UL5<:]D  
l,.?-|Poa  
Model _m],(J=,z  
Optical Material m]\zt  
Nominal kA__*b}8UK  
{ah=i8$  
Frequency cO,V8#H  
Retardation Range A+I&.\QAR  
Useful C8EC?fSQ  
vLuQe0l{  
Aperture1 ,:4DN&<  
Eap/7U1Q  
Quarter Wave 6;cY!  
Half Wave s&hA  
Jv <$AI  
I/FS50 6 ]Oxx{|}  
Fused Silica V:BX"$ J1  
50 kHz rxj@NwAno  
170nm - 2μm nKB&|!  
170nm - 1μm _-]!;0E IV  
16mm YM`pNtQ  
@b\ S.  
I/FS20 5 xDN&su  
Fused Silica cTd;p>:>m  
20 KHz vt@Us\fI  
170nm - 2μm ]"Y%M'  
170nm - 1μm Eqbe$o`dd  
22mm -'[(Uzj  
k0_$M{@Y  
I/CF50 P4j8`}&/  
Calcium Fluoride M J,ZXJXs  
50 kHz 3g [j%`k  
130nm - 2μm vo ;F;  
130nm - 1μm lhoq3A  
16mm tx5T^K7[  
;{f??G  
II/FS20A P5>5ps"iU  
Fused Silica ^ Wfgwmh  
20 kHz qmA2bw]  
170nm - 2μm oD#>8Aws  
170nm - 1μm Zknewv*sS4  
56mm !I5~))E  
1N9< d,  
II/FS20B rN1U.FRe/  
Fused Silica yd ND$@; Z  
20 kHz q|o |/O-{  
1.6μm - 2.6μm "6N~2q,SW  
800nm - 2.5μm pzq; vMr  
56mm y168K[p  
x}&a{;  
II/FS42A J+b!6t}mZn  
Fused Silica T5S g2a1&  
42 kHz a-5HIY5  
170nm - 2μm g[s\~MF@s  
170nm - 1μm Ji6`-~ k  
27mm <s/<b*T ^  
p x|>v8  
II/FS42B !ml_S)  
Fused Silica 'Z.OF5|eGT  
42 kHz ')5L_$  
1.6μm - 2.6μm R+E_#lP_$  
800nm - 2.5μm cc41b*ci$  
27mm Kr/h`RM  
C~{NKMeC/m  
II/FS47A 5, -pBep<  
Fused Silica _7lt(f[S  
47 kHz Wk`bb!P_  
170nm - 2μm U.RW4df%E  
170nm - 1μm C[xJU6z  
24mm `u#;MUg  
l*K I  
X_u@D;$  
v`S2M  
II/FS47B rToaGQh  
Fused Silica Dc.n-ipv$  
47 kHz d $fvg8^  
1.6μm - 2.6μm ?aFr8i:)M  
800nm - 2.5μm jVad)2D  
24mm 'u(=eJ@1  
<E>7>ZL  
II/FS84 >-5td=:Z  
Fused Silica -,QKTxwo>  
84 kHz \ fK47oV  
800nm - 2.5μm ZD5I5  
400nm - 2.5μm d"B@c;dD  
13mm 3s`V)aXP  
5^i.;>(b  
II/IS42B <.,RBo  
Fused Silica @up&q  
42 kHz =U4f}W;  
1.6μm - 3.5μm /Jxq 3D)v  
800nm - 2.5μm %cH8;5U40  
27mm WI1T?.Gc   
U~uwm/h  
II/IS84 C-llq`(d  
Fused Silica bz{^h'  
84 kHz LH=d[3Y  
800nm - 3.5μm h6u2j p(+  
400nm - 1.8μm dqqnCXYuW  
27mm (n=9c%w  
=X%!YZk p  
II/CF57 X=v~^8M7%  
Calcium Fluoride i@P 9EU  
57 kHz tm(v~L%$>]  
2μm - 8.5μm ?gLR<d_  
1μm - 5.5μm UT3bd,,  
23mm j~Q}F|i8  
"\}b!gl$8  
II/ZS37 7\mDBG  
Zinc Selenide <57g{e0I  
37 kHz }>2t&+v+  
2μm - 18μm XZ.7c{B<  
1μm - 9μm C<_ Urnmn  
19mm (O$}(Tn  
-Q6(+(7_|  
II/ZS50 (tepmcf  
Zinc Selenide 'gCJ[ce  
50 kHz :<L5sp  
2μm - 18μm 5XDgs|8  
1μm - 10μm pvlDjj}  
14mm /K7Bae5h  
lM>.@:  
II/SI40 PPEq6}  
Silicon 14mf}"z\  
40 kHz Zr=ib  
FIR - THz {$;2 HbM(  
FIR - THz )X/*($SuA  
36mm Cl,9yU)1n  
w4UD/zO  
II/SI50 0!pJ5q ,A  
Silicon 4Rx~s7l  
50 KHz iQqqs`K  
FIR - THz yE#g5V&  
FIR - THz >Iuzk1'S  
29mm :vpl+)n  
I?B,sl_w  
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