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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 nb}*IExd  
(S/f!Dk&3  
P,y*H_@k  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： SP][xdN7  
a4HUP*  
ssbvuTr  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 J7:VRf|,?(  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） ZuIr=`"j  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） Y;3DU1MG0  
    高损伤阈值 0ut/ ')[  
    可精确控制相位延迟 ^`ah\L  
,Bh!|H(?L1  
]`%}Q  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 A[QUFk(  
9W3zcL8  
I}JC~=`j  
M0[7>N _  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ~#/NpKHT@A  
WW33ZJ  
-a:+ h\K  
3!_XFV  
应用举例： 5U)Ia>p  
W]E6<y'  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf yPG,+uQ$.  
jOL$kiW0  
Cf@~W)K  
px6[1'|g  
MVdX  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： ,PH;j_  
S?pWxHR]  
'?]B ui  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 1<y(8C6  
^IgxzGD  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 ;&mefaFlWp  
ph*?y  
 ~DYUI#x  
fFu+P<?"  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 R42+^'af  
U .?N  
%j3XoRex><  
tkT:5O6  
TABLE 1 mS)|i+5  
   (+SfDL$m  
   OW}ny  
a<%Ivqni  
SPECTRAL REGION OV<'v%_&  
SERIES /)6+I(H  
MATERIAL a3t[Tk;  
F@ Sw  
Vacuum UV, UV NDsF<2A4  
I \0gU)tVZ  
Lithium Fluoride klkshlk d  
jz CA2N%  
Vacuum UV to mid-IR }<m'Nkz<X  
I,II x-0O3IIE  
Calcium Fluoride %UGXgYDz  
?K5S{qG'O  
Vacuum UV to near-IR D^]g`V*N  
I,II Tj0qq.  
Fused Silica < cNJrer  
| ]#PF*  
Mid-visible to mid-IR -M\ae  
II !2 YvG%t^6  
Zinc Selenide GYp}V0  
gJ \CT'/  
Near- to mid-IR -zn$h$N4  
II ,O`a_b]  
Silicon _.)6~  
CKB~&>xx  
{|!> {  
T#M_2qJ1=  
mKTE%lsH  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 3^!Y9$y1  
w|t}.u  
=Oyn<  
ut SW>  
SM? rss.=  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 ^T>P  
Hl"^E*9x  
(:|g"8mQm  
qcVmt1"  
E\/J& .  
\mp2LICQg  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） >`E (K X  
A,PF#G(  
>6X$iBb0  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 C-2{<$2k  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 ZovF]jf k  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 lf`" (:./  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 dbe\ YE  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH S {d]0  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 |BA&ixHe~C  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds bukdyo;l  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 uO^,N**R#  
lVptA3F  
}.L:(z^L,Y  
 Iz_#wO  
基本指标 .]XBJc  
^n%9Tu  
S UB rFsA  
Model +o3 ZQ9  
Optical Material o;[cApiQ,2  
Nominal F2)\%HR  
mb GL)NI  
Frequency r-e-2y7  
Retardation Range '/U%-/@  
Useful # A#,]XP  
tNf_,]u  
Aperture1 *KYh_i  
]^>RBegJBO  
Quarter Wave tBjMm8lgb  
Half Wave 1lLXu  
N2uTWT>  
I/FS50 oK@_  
Fused Silica UA3!28Y&E3  
50 kHz kNg{  
170nm - 2μm @v~<E?Un  
170nm - 1μm -Pp =)_O  
16mm O5v~wLx9e  
?m bI6fYv  
I/FS20 p)c"xaTP#F  
Fused Silica n2N:rP  
20 KHz 'GF<_3I2l  
170nm - 2μm WR zIK09@  
170nm - 1μm } $oZZKS  
22mm YgLHp/  
y.aeXlc[  
I/CF50 z{ (c-7*  
Calcium Fluoride WqRaD=R->;  
50 kHz L"It0C  
130nm - 2μm fq(3uE]nC  
130nm - 1μm AVO$R\1YR  
16mm ,|^ lqY  
 q^Ui2  
II/FS20A NOQSLT=  
Fused Silica S{S.H?{F  
20 kHz k/m-jm_h  
170nm - 2μm ;~"#aL50fe  
170nm - 1μm 1#V&'A  
56mm f-5}`)`.+  
? oQ_qleuo  
II/FS20B !{S HlS  
Fused Silica BDcA_= ^R&  
20 kHz !=p^@N7  
1.6μm - 2.6μm CuA A)Bj  
800nm - 2.5μm ."h>I @MH  
56mm EMw biGV  
"%dok@v  
II/FS42A I,7n-G_'  
Fused Silica t }>"nr0  
42 kHz Stk'|-z  
170nm - 2μm 9;L50q>s  
170nm - 1μm osPrr QoH  
27mm /9<62F@zJ"  
9V?:!%J  
II/FS42B nD!5I@D  
Fused Silica Lb0BmR%0  
42 kHz +<7a$/L?4  
1.6μm - 2.6μm OcZ8:`=%  
800nm - 2.5μm v0W/7?D  
27mm m ol|E={si  
~Aoo\fN_U  
II/FS47A 9~6~[z  
Fused Silica Sz0CP1WB  
47 kHz Qe4"a*l-r  
170nm - 2μm GU]_Z!3  
170nm - 1μm ='vkd=`Si  
24mm /u pDbP.O  
>OW>^%\!1  
!--A"  
la*c/*  
II/FS47B ds<q"S {p  
Fused Silica hC2_Yr>N%  
47 kHz `dm}|$X|  
1.6μm - 2.6μm PJ'.s  
800nm - 2.5μm #RVN 7-x  
24mm DS>qth  
4qmaL+Q  
II/FS84 O_[]+5.TX  
Fused Silica !/6KQdF  
84 kHz '/Ag3R  
800nm - 2.5μm FW,@.CX  
400nm - 2.5μm ehr,+GX  
13mm {+x;J4  
S#f}mb0,  
II/IS42B . J.| S4D  
Fused Silica O>Ao#_*hOb  
42 kHz K91.-k3)$  
1.6μm - 3.5μm 4kdQ h]  
800nm - 2.5μm XE.Y?{,R$  
27mm G&v. cF#Y'  
pb=yQ}.  
II/IS84 YMIX|bj6Y  
Fused Silica jjU("b=  
84 kHz $+Zj)V(  
800nm - 3.5μm *pKj6x  
400nm - 1.8μm UWW_[dJr   
27mm YRs32vVz  
DgRA\[c  
II/CF57 B4ky%gF4  
Calcium Fluoride ui4*vjd  
57 kHz X)k+BJ  
2μm - 8.5μm N[8y+2SZ  
1μm - 5.5μm p'`pO"EO  
23mm <o.?T*Q9  
Sp^jC Xu  
II/ZS37 z\r|5Z  
Zinc Selenide Hsi<!g.  
37 kHz # vBS7ba  
2μm - 18μm Gw0MDV&[  
1μm - 9μm ;'xd8Jf  
19mm BHEZ<K[U   
8 !+eq5S3  
II/ZS50 &W:R#/|  
Zinc Selenide g xf|L>=  
50 kHz 7(< z=F  
2μm - 18μm { 0 vHgi  
1μm - 10μm ? bnhx  
14mm 7l|D!`BS  
>5+]~[S  
II/SI40 2$%E:J+2:$  
Silicon Y~ ( <H e?  
40 kHz FQGh+.U  
FIR - THz EABy<i  
FIR - THz nlaeo"]  
36mm =x3ZQA  
9;k!dM  
II/SI50 ! fSM6Vo  
Silicon E2a00i/9Y  
50 KHz D?< R5zp  
FIR - THz 2E d  
FIR - THz 2h^9lrQcQG  
29mm _aLml9f W  
Nq=r404  
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