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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 u\= 05N6G  
3e47UquZ  
HRrR"b9:  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： ?U[6X| 1  
, V,Q(!$F  
(*=>YE'V{  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 WagL8BpLx  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） HeO&p@  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） Yy 0" G  
    高损伤阈值 3c7i8b$  
    可精确控制相位延迟 O cPgw/ I  
S)wP];]`K  
o<txm?+N  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 %4F\#" A  
@1&"S7@}u  
~av#r=x  
vnVT0)Lel  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 &+A78I   
rNo/H<J%+j  
64mD%URT  
8>LDo"<  
应用举例： C'y2!Q /"  
!sEhjJV^7  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf L(cKyg[R  
hcRe,}wJ  
"4Q_F3?_`  
;|oft-y  
@_$$'XA7  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： b=\chCRJJ  
6__!M  
^'M^0'_"v  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 nw+^@|4  
\}W3\To_  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 CueC![pj  
$N}t)iA  
PN 8#T:E  
&Wb"/Hn2  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 4%8den,|  
ezY^T  
Gos# =H  
eD2eDxN2  
TABLE 1 yvzH}$!]  
   *s" OqTM]x  
   0%[IG$u)|  
EmrkaV-?k  
SPECTRAL REGION 73 .+0x  
SERIES ^,^MW  
MATERIAL 0L8fpGJ  
! }e75=x  
Vacuum UV, UV 9$e$L~I#u  
I FvPWS!H  
Lithium Fluoride X<Cf y  
JrLh=0i9  
Vacuum UV to mid-IR hLuv  
I,II F <6(Hw#>  
Calcium Fluoride !vJ$$o6#  
d_pIB@J  
Vacuum UV to near-IR /ILd|j(e  
I,II Gds(.]_  
Fused Silica %dW ;P[0  
B|"i`{>  
Mid-visible to mid-IR uI?Z_  
II o/V T"cT  
Zinc Selenide ,vf#e= Z  
b=2:\F  
Near- to mid-IR lkJxb~S  
II Nr$78] o9  
Silicon <7rj,O1=  
TB.>?*<n]  
P/1YN  
#;^UW  
3~3tjhw;]9  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 9oGcbD4*  
;Bz| hB{  
m3pDFI  
2AhfQ%Y=  
9d/- +j'  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 |X A0F\  
&uO-h  
Y %bb-|\W  
m{RXt  
=gR/ t@Ld  
hR7uAk_?  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） u1y>7,Z6W  
e<1Ewml(]  
|36%B7H  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 9XDSL[[  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 gM;m{gXYK  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 s6!&4=ZA  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 bK0(c1*a[e  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH 3'0vLi  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 e>e${\ =,  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds ^ }5KM87  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 80Fa i  
)mwwceN  
z Gg)R  
rm3/R<  
基本指标 sPW :[  
<^5$))r  
BRY/[QRqZ  
Model ><"|>(y  
Optical Material yeta)@nH  
Nominal aBaiXv/*  
\ Xh C  
Frequency ~<K,P   
Retardation Range O-UA2?N@j  
Useful zT&"rcT">  
)=K8mt0qob  
Aperture1 1DAU *^-  
ETU-6qFtO  
Quarter Wave Ieq_XF]U  
Half Wave JS m7-p|E  
Qu'#~#L`  
I/FS50 /"A=Yf  
Fused Silica Z>y6[o  
50 kHz l%mp49<  
170nm - 2μm }qp)VF  
170nm - 1μm mUP!jTF  
16mm x!s=Nola  
wI 7gHp  
I/FS20 |gxPuAXa)  
Fused Silica ~PyS;L}  
20 KHz 'Y ,2CN  
170nm - 2μm fCY??su*   
170nm - 1μm \l3z <\  
22mm nTGf   
3D@3jyo:  
I/CF50 *74/I>i  
Calcium Fluoride %?+Lkj&  
50 kHz xqg4b{  
130nm - 2μm s Adb0 A  
130nm - 1μm .Y7Kd+)s)L  
16mm -lfDoNRhQ  
2eRk_j]  
II/FS20A q~aj" GD  
Fused Silica @.k^ 8hc  
20 kHz yId1J  
170nm - 2μm 7O|`\&RY R  
170nm - 1μm L{IMZ+IB2|  
56mm D[]0/+,  
5K?/-0yG  
II/FS20B <uFj5.  
Fused Silica _0^>^he  
20 kHz ->;2CcpHB  
1.6μm - 2.6μm K0vS  
800nm - 2.5μm )n9,?F#l  
56mm a"O;DYh  
;q%z\gA  
II/FS42A W58?t6! =  
Fused Silica Xe: ^<$z  
42 kHz vc3r [mT  
170nm - 2μm FhBV.,bU,m  
170nm - 1μm ,:K{  
27mm 5Zhl@v,L%  
eTgtt-;VR  
II/FS42B }JQy&V%  
Fused Silica vY.VFEP/  
42 kHz =6\^F i  
1.6μm - 2.6μm b=sY%(2s  
800nm - 2.5μm +{;wOQ.  
27mm *a|575e< z  
`w4'DB-R)  
II/FS47A G"(aoy, co  
Fused Silica ^A\(M%*F  
47 kHz AH'3 5Kf)  
170nm - 2μm K7{B !kX4k  
170nm - 1μm LTA0WgzR)  
24mm g<^A(zM  
$f+I#uJ  
*a8<cf  
^gyI-S(;  
II/FS47B !^NZp%Yd  
Fused Silica =tA;JB  
47 kHz QH7 GEj]  
1.6μm - 2.6μm `h :!^"G  
800nm - 2.5μm yXEI%2~)  
24mm &'Nzw2  
6M_ W(  
II/FS84 EAWBgOO8iC  
Fused Silica &ZFHWI(P  
84 kHz !or_CJ8%  
800nm - 2.5μm %c]N-  
400nm - 2.5μm PC255  
13mm 6v%ePFul  
Us# /#-hJ  
II/IS42B p NQ7uy  
Fused Silica mv,a>Cvs[  
42 kHz up8d3  
1.6μm - 3.5μm ?5};ONjN  
800nm - 2.5μm WH7UJCQ  
27mm %`]!atH  
>6WZSw/Hq  
II/IS84 H!"TS-s`  
Fused Silica Ie _{P&J  
84 kHz k}}'f A  
800nm - 3.5μm Q*'OY~  
400nm - 1.8μm C}jrx^u>  
27mm #^aa&*<D_  
.ej+?QYwC  
II/CF57 i+T5 (P$  
Calcium Fluoride _):@C:6  
57 kHz j5/|1N  
2μm - 8.5μm !OPHS^L  
1μm - 5.5μm O/(vimx.#F  
23mm l(F\5Ys  
>X:!Y[N  
II/ZS37 2Ir*}s2{  
Zinc Selenide c3#eL  
37 kHz *M#L)c;6  
2μm - 18μm F9las#\J  
1μm - 9μm 8D?$@!-  
19mm %{^|Av1Uz  
}1Mf0S  
II/ZS50 '?_~{\9<  
Zinc Selenide }F9#3W&`c  
50 kHz cCx{ ")  
2μm - 18μm _.]mES|  
1μm - 10μm ^k^?>h  
14mm {=gJGP/}_  
.EjR<UU  
II/SI40 [C;Neslo  
Silicon rHOhi|+  
40 kHz fsnZHL}=n  
FIR - THz SG0PQ  
FIR - THz SH8zkAA7u}  
36mm v7#|%  
a{JO8<dlm  
II/SI50 ){eQ.yW  
Silicon xA-?pLt "G  
50 KHz 2_M+o]Z^  
FIR - THz c1y+k vv  
FIR - THz ` ` Yk  
29mm DYgB_Iak  
R(P(G;#j  
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