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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 >&DNxw  
zrazFI0G  
RXWS,rF  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： L\/YS;Y  
6~y7A<[^  
M hJ;)(  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 $/XR/  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） ?D]qw4J  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） lBcRt)_O7  
    高损伤阈值 TkjPa};R  
    可精确控制相位延迟 ?:1)=I<A4  
Q"QL#<N  
"YQ%j+  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 W*D].|  
@ZFU< e$!  
$ix*xm. 4m  
`ek On@T0  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 _!'sj=n]q  
$KGpcl  
*d/,Y-tl  
{I~[a#^  
应用举例： J"W+9sI0  
j6.'7f5M<H  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf B$kp\yL  
4}t&AW4  
M!E#T-)  
eVx &S a  
4t;m^Iv  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列：  cojbuo  
c-, 6k  
sJ(q.FRM'  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 .wv!;  
zMI0W&P M  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 !s:v UY58  
. 7EZB  
^68BxYUoD\  
6opu bI<  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 Q8sCI An{  
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/^>yDG T,0  
gc6T`O-_;  
TABLE 1 ie+746tFW  
   w}jH,Ew  
   /Dn  
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SPECTRAL REGION ^-'t`mRl]d  
SERIES RZ:i60  
MATERIAL 3M&IMf,/@  
k-M-=VvA  
Vacuum UV, UV dqvgyyq  
I 95G*i;E  
Lithium Fluoride }nW)+  
cLD-,v;c  
Vacuum UV to mid-IR /rqaUC)A  
I,II =>7\s}QZ  
Calcium Fluoride XS'0fq a  
.C2.j[>  
Vacuum UV to near-IR +yYv"J  
I,II /N>bEr4w  
Fused Silica F ;m1I+;  
&$ ?i  
Mid-visible to mid-IR Y_) aoRjB  
II q;kN+NK64  
Zinc Selenide K)!?np{km  
CbA2?(1o1  
Near- to mid-IR sO!YM5v8  
II 32f lOi:  
Silicon @zJhJ'~ Sl  
]o(&J7Z6-  
FB0y  
_S(]/d(c  
gr/o!NC  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 :K3nJ1G&  
p5KM(N6f  
3psCV=/z  
<Dr*^GX>?  
V+()`>44  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 $UZ4,S?V  
042sjt  
ezt_ct/Z  
jG3}V3|.  
R; X8%'   
 +McKyEa  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） I [J0r  
%^l77 :O  
}[u9vZL  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 s q_N!  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 0 mWfR8h0  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 N>OF tP  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 H7e/6t<x  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH sBuVm<H  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 F*QD\sG:  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds }0#cdw#gH  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 VZ*Q|  
6qK0G$>  
U4_ <  
!}()mrIlP  
基本指标 qVFz-!6b  
_c|>m4+X  
XbJ=lH  
Model q4$R?q:^  
Optical Material  ]D7z&h  
Nominal i&^?p|eKa  
G{ rUqo  
Frequency %Hu Qc^  
Retardation Range ??rx\*,C</  
Useful >R?EJ;h  
}[PbA4l.g  
Aperture1 lC6#EU;  
d8g3hyI5\  
Quarter Wave #kX=$Bzk  
Half Wave o(~>a  
}0uSm%,"  
I/FS50 : H<u@%  
Fused Silica [^W4%S  
50 kHz g~%=[1  
170nm - 2μm :Qu!0tY  
170nm - 1μm U<eVLfSij  
16mm {R[lsdH(X  
B[-%A!3 F  
I/FS20 dH!k {3bL  
Fused Silica b]mRn{r?  
20 KHz =[`wyQe`_  
170nm - 2μm "Q+'lA[}  
170nm - 1μm /U)w:B+p/g  
22mm 6(oGU4  
f9D7T|J?10  
I/CF50 mCtuyGY  
Calcium Fluoride <l5{!g  
50 kHz f+s'.z%  
130nm - 2μm )G ,LG0"-  
130nm - 1μm G4s!q1H  
16mm W #qM$  
X8bo?0  
II/FS20A YFLWkdqAY  
Fused Silica {Y'DUt5j  
20 kHz +F 6KGK[  
170nm - 2μm 8&ZUkDGkJ  
170nm - 1μm s Xl7  
56mm *ARro Ndr  
d"5:/Mo  
II/FS20B d[rxmEXht  
Fused Silica xzMa[D4(  
20 kHz "=| yM~V  
1.6μm - 2.6μm e7/J:n$  
800nm - 2.5μm -.g5|B  
56mm 1WcT>_$  
&66G  
II/FS42A ClVMZ  
Fused Silica H:9( XW  
42 kHz fdd3H[  
170nm - 2μm 0,m*W?^31  
170nm - 1μm 3=dGz^Zdv:  
27mm %)l2dK&9"j  
yYdXAenQ  
II/FS42B Ko''G5+  
Fused Silica )l30~5u<J  
42 kHz V%y kHo  
1.6μm - 2.6μm  IO>Cyo  
800nm - 2.5μm kf-ZE$S4  
27mm K~,,xsy,G&  
2HQ'iEu$  
II/FS47A P). @o.xl  
Fused Silica B7 }-g"p$/  
47 kHz FAE>N-brQ  
170nm - 2μm 1 ,D2][  
170nm - 1μm {Fb)Z"8]  
24mm (: ZOoL  
pb E`Eq  
_7$j>xX  
|nD2k,S<?  
II/FS47B o{UwUMw5`  
Fused Silica lrq !}\aX  
47 kHz zq4mT;rqz  
1.6μm - 2.6μm T| 4c\  
800nm - 2.5μm yg\A&0I  
24mm zy$hDy0  
p2&KGt X'  
II/FS84 u0XGtu$4  
Fused Silica y62;&{?m  
84 kHz fEQ<L!'  
800nm - 2.5μm 6Mk@,\1  
400nm - 2.5μm >r]# 77d  
13mm um3 M4>K  
1uXtBk6  
II/IS42B &nz1[,  
Fused Silica N.-Ryj&9  
42 kHz sL&u%7>Re  
1.6μm - 3.5μm Tm3$|+}$f  
800nm - 2.5μm 7ky(g'  
27mm *^.b}K%  
E>'pMw  
II/IS84 &LL81u6=S  
Fused Silica  6f1;4Jfp  
84 kHz o Y.JK  
800nm - 3.5μm 3tLh{S?uJ  
400nm - 1.8μm C|!E' 8Rw  
27mm }#E4t3  
n:<avl@o<  
II/CF57 NqF-[G<  
Calcium Fluoride ,Y!T!o} 1  
57 kHz F=P|vYL&&  
2μm - 8.5μm #Wc)wL-Tg  
1μm - 5.5μm b<5:7C9z  
23mm ) Fm  
}qlz^s  
II/ZS37 ;H\,w /E9  
Zinc Selenide >eUAHmXQ|  
37 kHz xc*ys-Nv  
2μm - 18μm ^R<= }  
1μm - 9μm Ak}l6{ ..  
19mm BAKfs/N  
wk5a &  
II/ZS50 f%@Y XGf  
Zinc Selenide y|lP.N/  
50 kHz 6Jj)[ R\5=  
2μm - 18μm np>*O}r*  
1μm - 10μm ZcdS?Z2k  
14mm ~RMOEH.o  
;\&7smE[  
II/SI40 BO[A1'>  
Silicon Qu;AU/Q<([  
40 kHz |Xu7cCh$me  
FIR - THz `$#64UZ>U1  
FIR - THz iySmNI  
36mm G3OQbqn  
T%]: tDa  
II/SI50 (wA|lK3  
Silicon 94lmsE  
50 KHz W&p-Z"=)  
FIR - THz { aB_t%`w  
FIR - THz qBwqxxTc  
29mm 0 /H1INve  
Y5npz^i  
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