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昊量光电 2012-08-23 10:15

光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 s]pNT1,  
?&D.b$  
o|APsQE  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： 7.tIf <^$P  
K(AZD&D  
;NF:98  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 bb}Fu/S  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） K$wxiGg8P  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） ]VaMulb4  
    高损伤阈值 5nXmaj  
    可精确控制相位延迟 y\=^pla  
SNC)cq+{  
~!P&LZ  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 p@eW*tE  
QsBC[7<jd-  
P1&Irwb`  
x$z>.4  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 _adW>-wQ!d  
+o]J0Gu  
Zd]ua_)I%[  
~ E n'X4  
应用举例： ft$!u-`  
Q"K`~QF"  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf ;P^}2i[q>[  
0 *]ZC'pm  
N7!(4|14  
A#gy[.Bb  
l)f 2T@bHl  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： /k KVIlO  
.ZupsS9l  
+&.39q !  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 NCVhWD21|  
<CWOx&hr  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 $49;\pBZl  
4$+/7I \  
{[bB$~7Eu  
s14 ot80)  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 VDlP,Mm*  
UYGO|lkEU  
]+Z,HY@;-  
cA~bH 6  
TABLE 1 MC1&X'  
   B;t{IYhq{  
   f.:0T&%G  
Fnuheb'&m  
SPECTRAL REGION dvLL~VP  
SERIES gR wRhA/  
MATERIAL s6!! ty;Y  
C|RC9b  
Vacuum UV, UV |Ew&.fgz  
I :H/Rhx=  
Lithium Fluoride j rg B56LL  
{(Ba  
Vacuum UV to mid-IR Y ^5RM  
I,II T+>W(w i  
Calcium Fluoride R#Z m[S  
JykNEMB#  
Vacuum UV to near-IR HBZtg  
I,II _xM3c&VeG  
Fused Silica LAuaowE\v  
@eP(j@(^  
Mid-visible to mid-IR D 1(9/;9  
II 0QBK(_O`  
Zinc Selenide [jTZxH<  
c LfPSA  
Near- to mid-IR ]:Pkh./  
II !*}E  
Silicon #yOeL3|b'  
FLQ^J3A,I  
?}No'E1!I  
 @4>?Y=#  
`&J=3x  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 `eKFs0M.  
k>#-NPU$  
~zFwSF  
=g)SZK  
UZo[]$"Q`  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 $S U<KNMZ  
Hqb-)8 ~  
tY60~@YO&  
&7KX`%K"D  
pZ 7KWk4  
hne}G._b  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） -uB*E1|Q  
=j8g6#'u  
3# idXc  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 j^D/ ,SW  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 JiGS[tR  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 Pk:b:(4  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 D\  P-|}  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH -_f-j  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 fAD {sg  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds W1[C/dDc  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 avd`7eH2  
@Dd3mWKq  
`91?^T;\F  
U)SQ3*j2D  
基本指标 &izk$~  
_:G>bU/^  
z*WQ=l2  
Model xS_tB)C  
Optical Material gO bP  
Nominal Fb^,%K:  
|q 0iX2W  
Frequency 1fV\84m^  
Retardation Range 8%;]]{(B  
Useful NZuylQ)0  
#wF6WxiG  
Aperture1 )>!y7/3  
sl*&.F,v=  
Quarter Wave ~ \ Udl  
Half Wave f1I/aRV:+  
8-)@q|  
I/FS50 $lF\FC  
Fused Silica kQ.3J.Q5  
50 kHz |k)Nf+(}W  
170nm - 2μm La si)e=$<  
170nm - 1μm nk+9 J#Gs  
16mm I_ na^s h*  
'l._00yu  
I/FS20 -7m7.>/M  
Fused Silica 5I0j>{U&  
20 KHz 6{2 9cX.  
170nm - 2μm zl$z>z)  
170nm - 1μm 9j$J}=y  
22mm :Q>{Y  
ptTp63+  
I/CF50 )IGx3+I ,  
Calcium Fluoride \`YV)"y" ~  
50 kHz Bmi9U   
130nm - 2μm k; vhQ=  
130nm - 1μm qa5 T(:8  
16mm Ryi% }!  
d0-T\\U  
II/FS20A vFsl]|<;8  
Fused Silica rq^VOK|L  
20 kHz [K`d?&  
170nm - 2μm ,kE"M1W  
170nm - 1μm Bk~%  
56mm "ax"k0  
+'9eo%3O  
II/FS20B D<xDj#Z~1  
Fused Silica \yY2 mr  
20 kHz .q9i10C  
1.6μm - 2.6μm IHj9n>c)[  
800nm - 2.5μm =%9j8wHX  
56mm i}Cy q  
,%,.c^-  
II/FS42A Yx<wYzD  
Fused Silica 2-gI@8NPI  
42 kHz 8\CmM\R  
170nm - 2μm "$|ne[b2  
170nm - 1μm f=nVK4DuZ  
27mm oCuKmK8  
Z_[jah  
II/FS42B K?acRi  
Fused Silica n}4Lq^$  
42 kHz A{a`%FAV  
1.6μm - 2.6μm 4AuJ1Z  
800nm - 2.5μm &BQ%df<y\  
27mm +zSdP2s  
|BA<> WE  
II/FS47A z|i2M8  
Fused Silica C07U.nzh  
47 kHz $rz'Ybs  
170nm - 2μm VseeU;q  
170nm - 1μm d]QCk &XU  
24mm O@? *5  
+v"%@lC};  
y7Y g$)sL  
[Xo}CU  
II/FS47B !gFUC<4bu  
Fused Silica KZ/ 2#`  
47 kHz ?\![W5uuXG  
1.6μm - 2.6μm kS$m$ D  
800nm - 2.5μm %Dm:|><V$b  
24mm  g=x1}nm  
f)!7/+9>  
II/FS84 W1p5F\ wt  
Fused Silica 5 _ a-nWQ  
84 kHz ?FwjbG<  
800nm - 2.5μm ,{u'7p  
400nm - 2.5μm t'L#8MJ  
13mm 2Jc9}|,  
5mB'\xGO2  
II/IS42B \P7y&`|  
Fused Silica -[.A6W  
42 kHz ?<-ins  
1.6μm - 3.5μm lF.yQ  
800nm - 2.5μm d]w%zo,yr  
27mm K44j-Ypb  
Q!"W)tD  
II/IS84 Ld3!2g2y7&  
Fused Silica B5fF\N^  
84 kHz >PMLjXK  
800nm - 3.5μm 5RhP^:i@C  
400nm - 1.8μm <.B^\X$  
27mm [u}2xsSx  
w00Ba^W  
II/CF57 ;#Pc^Yzc1  
Calcium Fluoride mY !LGN  
57 kHz O\KSPy7YQ  
2μm - 8.5μm Q XV8][  
1μm - 5.5μm _4#&!b6  
23mm 2rJeON  
, 1` -u$  
II/ZS37 I`8jJpGA  
Zinc Selenide B!zqvShF  
37 kHz O)Mf/P'  
2μm - 18μm ^NPbD<~Lb  
1μm - 9μm 7O.{g  
19mm  _F9O4Q4  
f:|O);nM  
II/ZS50 }MV=I$S2U  
Zinc Selenide =FtJa3mHK  
50 kHz "ZLujpZcG  
2μm - 18μm dT*8I0\+  
1μm - 10μm N"wp2w  
14mm %:WM]dc  
;_hL  
II/SI40 Oe[qfsdW  
Silicon ~ GW8|tw  
40 kHz &9F(uk=X  
FIR - THz >hbT'Or@  
FIR - THz cXo^.u  
36mm ,Y3wXmG  
ie%_-  
II/SI50 n%YG)5;  
Silicon :u$+lq  
50 KHz Lc:DJA  
FIR - THz ST[+k  
FIR - THz C5^eD^[c  
29mm }th^l*g  
r06M.r   
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