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12511895 2011-12-31 21:11

MGF2冲氧镀膜好还是不冲氧镀膜好啊？

小弟想知道MGF2冲氧镀好还是不冲氧镀好啊！能说说它好在那里和不好在那里！谢谢！
kouyang3232 2012-01-05 19:53
不充吧，充了不就变成氧化镁了 hf[IEK  
yixin008 2012-01-06 21:10
氟化镁比较稳定的，不充养的。
yzhuang 2012-02-05 15:03
绝对不要充氧，一个是MgF2本身就很稳定，还一个是充氧了真空度下降影响镀膜品质。
12511895 2012-02-05 18:17
哦！！！ Z_!9iA:X  
dede 2012-02-12 18:08
膜层会不牢！
r58001105 2012-02-28 17:58
基本上MGF2充氧會破壞他的特性,充氧後會鍍膜不穩定
wh_f 2012-03-04 21:37
有道理啊，学习了
dede 2012-03-04 22:50
SiO2一般是不充氧吗？
dede 2012-03-04 22:51
SiO2需要IAD吗？ r6<ArX$Yl  
zyg1693 2012-03-05 20:19
你试试比较一下不就明白了。 Z^C!RSQ  
chenhui8080 2012-03-05 20:39
学习了顶顶
漂亮的树 2012-07-13 10:29
一般情况下都不需要充氧吧
jiangguang 2012-07-14 17:24
没见过充氧的 如果你需要MGO可以冲啊 不过会有很多影响 你镀出来曲线可能跟设计的不一样了
冰雨8788 2012-07-25 10:12
不能充氧，充氧就变成氧化镁了，氧化镁的熔沸点较高，易发生喷溅！
xiaohuilee 2012-08-24 11:18
SIO2可以充也可以不充O2  IAD可用也可不用 其折射率非常稳定
hnhhhtx 2012-08-26 15:44
SIO2是要充氧的，但不能充太多，否则会对真空影响很大
hnhhhtx 2012-08-26 15:45
SiO2需要IAD
280870377 2012-10-18 09:48
不要充O2，充了材料的性质就变了，变化之后的材料特性很难掌握的。
lyz781128 2012-10-20 11:37
氟化物不用充氧 ，又不是氧化物。
飞2012 2012-12-17 15:08
不要充氧
dyfdudu 2012-12-28 13:32
不用充，充氧只用在镀氧化物时防止失氧，如二氧化钛，充氧能抑制一氧化钛的生成。
城市老虎 2012-12-30 19:41
不能。 qugPs(uQ  
  氟化物，充氧气变MgO了
陶月天 2013-01-24 08:47
一看您就没接触过镀膜，没听说谁做MGF2时候还要充氧气！！！ '{1W)X  
a060103112 2013-02-27 11:39
dede:SiO2需要IAD吗？ xN":2qy#T  
 (2012-03-04 22:51)  ]!S)O|_D[  
XiZ Zo  
膜层多的话，要，否则不要
luffy17520 2013-03-31 16:56
不能充氧吧
chen1858 2013-04-01 21:28
学习了，感谢
ken_jinyan1 2013-04-02 11:54
我这里有个问题，MGF2不充氧是没错的。那能不能在100℃以下，开离子源（充氩气）镀？ K]=>F  
怎么光驰的人说MGF2不能用离子源呢？
luffy17520 2013-04-12 21:35
ken_jinyan1:我这里有个问题，MGF2不充氧是没错的。那能不能在100℃以下，开离子源（充氩气）镀？ ->25$5#  
怎么光驰的人说MGF2不能用离子源呢？(2013-04-02 11:54)嬀/color] TF3q?0  
:/[ZgreN6  
还是不用离子源比较好
aegeon 2013-04-16 23:14
SiO2需要IAD吗
chienmin 2013-04-17 23:14
沒看過MgF2製程充氧的～不需要充氧氣
ken_jinyan1 2013-04-23 15:46
100度，镀MGF2，不用离子源，结合力是个问题
ken_jinyan1 2013-04-25 12:19
MGF2 低温镀膜不知道牢固度怎样，昨天做的实验MGF2单层，温度90度， vl(v1[pU  
离子源冲氩气，测量结果，膜层变厚， TOOLING变大了。 p. ~jo  
>!p K94  
个人感觉，使用离子源后膜层致密了，膜层应该变薄，和我想的正相反。
louyc 2013-05-21 09:32
一般不用充氧气呀
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