光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。HindsInstruments公司的PEM光弹调制器可以在20~100kHz范围内改变光束的偏振状态。光弹调制器的作用就像一个“动态波片”，可以使快轴和慢轴之间的折射率差进行周期性的变化。通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，光弹调制器还可以是光在左旋，右旋两种状态之间进行转化。

PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。
光学特征
l  大通光孔径（15到30mm，标准）
l  超大接受角度范围（+/-20°）
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ）
l  高损伤阈值
l  可精确控制相位延迟

0sca4G0{ 光学头规格
Jc&y9] 型号	';Zi@f" 材料	r%:+$aIt 频率	相位延迟范围		&F STpBu 通光孔径
Jc&y9] 型号	';Zi@f" 材料	r%:+$aIt 频率	ivDGZI9 1/4 波长	t58e(dgi 1/2波长	&F STpBu 通光孔径
b306&ZVEk I/FS50	)q7UxzE+ Fused Silica	`Qr%+OD 50 kHz	MUfG?r\t 170nm - 2μm	mKo C.J 170nm-1μm	!aO` AC=5u 16mm
b4^`DHRu6 I/FS20	;qHOOT Fused Silica	7qTE('zt 20 kHz	hW!)w 170nm - 2μm	pvmC$n^zc 170nm-1μm	0d8%T<=J 22mm
<! )** I/CF50	(=~&+z Calcium Fluoride	!uQPc 50kHz	.9Y)AtJTS 130nm - 2μm	B,,D7cQC 130nm-1μm	Sb~MQ_ 16mm
k'0Pi6 II/FS20A	Q0EiEX) Fused Silica	UTXSeNP 20kHz	Kq i4hK 170nm - 2μm	Um&(&?Xf 170nm-1μm	!%$`Eq)M^7 56mm
EkziAON II/FS20B	E Cyyl Fused Silica	M(/r%-D 20kHz	ai0XL}!+ 1.6μm- 2.6μm	r Tz$^a}/ 800nm-2.5μm	E*+{t~ 56mm
_a1x\,R\|DB II/FS42A	rtc9wu Fused Silica	=UV`.d2[ 42kHz	JQ"U4GVp 170nm- 2μm	>,td(= : 170nm- 1μm	fkac_X$7 27mm
eUg~)m5G II/FS42B	i[ mEi\| Fused Silica	~?(N 42kHz	R=jI?p 1.6μm- 2.6μm	yj\Nkh 800nm-2.5μm	fk&8]tK4 27mm
MG.` r{5 II/FS47A	p\|! Fused Silica	L*:jXmUM_~ 47kHz	0\eIQp 170nm-2μm	<~WsD)=$ 170nm-1μm	\|j7,Mu+ 24mm
AB4(+S*LA II/FS47B	d QqK^# Fused Silica	&G-!qxe 47kHz	sIy^m}02 1.6μm-2.6μm	pS:4CNI{ 800nm-2.5μm	ml+; Rmvb 24mm
RNe^; B II/FS84	cI4K+ Fused Silica	qw^uPs7Uw 84kHz	Fx2bwut.K 800nm-2.5μm	R#I0\|;q4\|p 400nm-2.5μm	\pVXimam 13mm
<_-hRbS II/IS42B	r8xv#r1 Fused Silica	*+#8mA( 42kHz	j-lfMEa$o 1.6μm-3.5μm	WHj'dodS 800nm-2.5μm	oaIi2=Tf 27mm
T:=lz:}I II/IS84	(^Y~/ Fused Silica	j3{D^\|0bP 84kHz	0"pAN[=K@ 800nm-3.5μm	fR(d 400nm-1.8μm	tg<EY!WY 27mm
N(Fp0 II/CF57	T[g[&K1Y Calcium Fluoride	SMpH._VFeE 57kHz	pu2tY7Ja 2μm - 8.5μm	vzim<;i 1μm - 5.5μm	^rifRY-,yO 23mm
YTUZoW2 II/ZS37	iT2B'QI=< Zinc Selenide	~T1XLu 37kHz	)-a'{W/t 2μm - 18μm	%H]ptH5 1μm - 9μm	+%ee8\|\ 19mm
n[lJLm^(_C II/ZS50	R#%(5-Zu#R Zinc Selenide	P\1L7%*lU 50 kHz	]&lY%"U$i 2μm - 18μm	&m-PC(W+ 1μm - 10μm	2AT5 14mm
b4[bL2J$h1 II/SI40	MygfT[_ Silicon	Vex{.Vh," 40kHz	@~^5l FIR - THz	:bwjJ}F FIR - THz	S[PE$tYT#t 36mm
\hDlTp} II/SI50	M l Jo`d Silicon	`d5%.N 50 kHz	A%KDiIA FIR - THz	F8jd'OR FIR - THz	%A1o.{H 29mm

如需任何进一步信息，请联系上海昊量光电设备有限公司

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