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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 F.{{gpI Y-2IAJHS8 Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 mzw`{Oy>L kN7JZ12 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 UWU(6J|Fk eTg8I/)%B [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] di.yh3N$ PIN光电二极管 a8 X}r. 型号 特性 特性参数 应用领域 d}D%%noIu PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 MoAie|MKe PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测
NOY`1i PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 h/oRWl0r PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 M3XG s|gw PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 U
?iw PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 w8=&rzr8 PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 s!k7Wwj ))T@U?r PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 5(wmy-x\ Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) x[?N[>uw Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω ;R5@]Hg6q 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 EdL2t`` 5D]3I=kj 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 ATQw=w
3W 0Q7teXRM 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 7e NLs
F
u> 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 (Q5rOrA" u+/Uc:XK) 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 5)5$h]Nz> BiY-u/bH9a 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 'FNnFm n!aA< 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 R$XHjb) }VU^ 8D 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 7xF)\um "D\>oFu 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 O]4v\~@-j r` B(ucE 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 sX@}4[)<& 1Clid\T,o 雪崩二极管(APD) ?rm3Iac0S APD型号 特征 特性参数 应用领域 Ln'y 3~@ APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 /0Jf/-}ovn APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 g6
H}a APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 &\>=4)HB; APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 zq6)jHfq. APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 *{_N*p\{ T,a71"c APD系列-8 高速/高增益 t[e]AU[} Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) <x8I<K Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 nt&"?
/s 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 M(^_/1Z H#S`m 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 85x34nT .5" s[(S 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 8J#U=qYei
Vp7d 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 xfF;u9$; GE8.{P 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 T@Bu Fr`]< sYq:2Wn>8Q 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 hgj ]Jr D6dliU?k 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 ZEp>~dn; y7t'I.E[+ 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 &^UT PNz]L 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 zviTGhA EI9;J-c 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 iT;Ld $!{f pO/vD~C> 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 LOgFi%!6: }4g$aTc 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 $bDaZGy YV8PybThc 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 yH(3 m# ?KB]
/gT^ 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 RWRqu }a d8uDSy 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 !4a#);`G p"FWAC! 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 A0>r]<y dVPY07P 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 r#A*{4wz Qgf\"s 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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