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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 }evc]?1( }+ I
8l' Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 \ssuO 2- UZ|y 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 ukvz#hdE .|x0du| [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] }MuXN<DDb PIN光电二极管 SAly~(r?/ 型号 特性 特性参数 应用领域 (47jop0RDQ PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 ^J\)cw PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 p;X[_h PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 +xFtGF) PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 -&@[]/ PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 E8#y9q PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 >p2v"X X PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 e7pN9tXGf t[)z/[m PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 (Q#ArMMORI Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) $(#o)r>_R Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω `[57U,v 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 S3btx9y{ # |w,^tV 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 /.7x[Yc w.^k':," 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 ur9 -F^$ YWd:Ok0 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 B=|yjA'Fg QO%>RG 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 _mA[^G=gY y)Ip\.KV\ 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 i|.!*/qF QF!K$?EU[ 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 :t^=~xO9 Ho\K
%#u 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 bZ )3{ ^=.|\
YM 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 _S@s Eu1s 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 i&Xr+Zsec" c\]h YKA 雪崩二极管(APD) 9FH=Jp APD型号 特征 特性参数 应用领域 ''v_8sv APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 @*A(#U8p3 APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 @2kt6
W APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 >:KPvq!0 APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 &..'7 APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 Kgk9p`C( "AUY+ LN APD系列-8 高速/高增益 |p.mA-81 Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) sN^R Z0!> Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 @ iao"& 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 9~Q.[ A qhL e[[> 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 EDL<J1% f<0-'fGJd 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 +!.=M8[ > YN<~z- 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 y4P mL ,B!u* 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 L{<E'#@F Ms^,]Q1{ 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 EQu M|4$ix d=H C;T) 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 rs 7R5 F 0^:O:X 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 oNl_r: G t4F 1[P 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 FkKx~I: nyTfTn 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 0o(/%31] !mq+Oz~ 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 w9c j/dNRleab 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 t6s#19g o`h F1*yp 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 %UgyGQeo 611:eLyy&l 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 E]_sl/`{od Y~fds#y0 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 @ ;rU# el- %#0 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 IuB0C!' 5I t+ S+a 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 =,,!a/U v=9:N/sW 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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