| 82851981 |
2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 rZ)7(0BBs
aT+w6{%Z
Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 "zz b`T[8
'i : lV'
顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 [ wnaF|h
SG1AYUs
V
[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] M;NIcM
PIN光电二极管 ?A24h !7
型号 特性 特性参数 应用领域 "q!*RO'a
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 :zvAlt' q=
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 IS`ADDU[S
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 c/ :k|x
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 a;nYR5f
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 y+V>,W)r7
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 Y7 K2@257
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 \PFj w9s
la4%Vqwgu
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 qn,fx6v4
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) "` %UC#
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω e p Dp*
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 ?^^TR/
CC 'N"Xb
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 <b\8<mTr
.7:ecFKk
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 f^F"e'1
(H:A|L w
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 84i0h$ZZo
4L4u<
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 ]scr@e
a<>cbP
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 9C7HL;MF
Dkh=(+> <
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 w>}n1N c$G
~r'ApeI9
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 }w2Et
;B(16&l=q
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 wuX H'
@ +)T"5_Y[
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 "Vp :Sq9y
; XlCd[J<
雪崩二极管（APD） qSD3]Dv"
APD型号 特征 特性参数 应用领域 Ir*{IVvej
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 ER@RWV 2
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 St>
E\tXp
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 Ml{4)%~Y7f
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 Cy B4ap J
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 5B8fz;l= B
{0AlQ6.@>
APD系列-8 高速/高增益 #e[r0f?U
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) aSJD'u4w.a
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 _F^ NX %
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 5lM 3In@
:<0lC j
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 cS@p`A7Tpo
Bs>S2]
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 ~DB:/VSmu
]@}hyM[D;
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 5$X 8|Ve
se} $/Y}t
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 zzh7 "M3Qn
F&3 :]1
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 }jFRuT;35
"-AFWW Ktx
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 /oGaA@#+
v:>sS_^
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 osLEH?iKW
V%C'@m(/SZ
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 ; vWJOvM2
+Mn(s36f2
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 k)8*d{ *
,:V[H8 ?
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 IF<T{/MA
Ys?0hd<cn
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 0Jd>V
|S]fs9
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 iV\*7
DiZv sc
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 T8W^qrx.v
)oM%
N
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 km`";gUp>
at2)%V)
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 r/0AM}[!*j
Y;d qrA>@
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 uBC#4cX`D*
y`/:E<fVk
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
|
|