| 82851981 |
2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 Ml_Hq>\U
"; 1@f"kw
Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 6VUs:iO1j5
"QD> m7
顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 r[?GO"ej5
}7no n
[attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] BP4xXdG
PIN光电二极管 kEgpF{"%n
型号 特性 特性参数 应用领域 rp9?p%
PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 :V3z`}Rl
PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 F f{,zfN+3
PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 l1bkhA b
PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 xKR\w !+Z'
PIN6b 蓝光增强（保持低暗电流） 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 AH{#R D
PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 l-Be5?|{_
PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 " uli~ {IU
;,8 )%[
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 [rkw k\m*
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) WNY:H H
Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω y2 W|,=Vd
500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 /#WvC;B
@( bg#
501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 wz '=
=t^jl b
500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 8.,d`~
oXjoQ
501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 ?7>"ZGDe>
h ;@c%Vm
500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 C}#$wge
wn^#`s!]U
501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 @R-11wP)M
[~ PR\qm
501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 :YQI1 q[6
z&cM8w:
500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 6Df*wi!jI
k".kbwcaF
500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 @@j:z;^|
X p] jF^5
501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 B0U(B\~Y
cZJ5L>ox
雪崩二极管（APD） []v$QR&u#v
APD型号 特征 特性参数 应用领域 8>@J W]
APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 lb$_$+@Vr
APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 nK32or3
APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 55 '
APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 U
shIQh
APD12 红光增强 蓝光响应强，暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 -)Bvx>8fq-
T/A2Y+@N;
APD系列-8 高速/高增益 _p>F43%p
Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) IU<lF) PF$
Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 dQ:F 5|p
501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 m}u)C&2>
k 3H0$1
501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 GGnlkp& E
.X qeO@z
500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 6I: 6+n
WW.@&#S5
501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 Ui!l3_O
51JB,}dGH}
501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 y=c={Qz@vn
}tw+8YWkz
501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 lP*n%Pn )
P3 `$4p?
500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 B2oKvgw
^D5Jqh)
500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 xL1Li]fM!'
}NoP(&ebz*
501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 3<Zp+rD
d|oO2 yzWv
501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 `vMhrn
x&*f5Y9hCi
500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 /2zan}
Cdib{y<ji
500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 0Dna+V/jI
yhYF "~CM
500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 j Qzl!f1c3
Nf^<pT [*
500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 E(j# R"
'prHXzi(h
501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 $:%E<j 4Dn
;xe.0j0h
500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 I-Z|FKh_C
OtoM
500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 k 'PvTWR
+^lB"OcOX@
501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
|
|