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2011-05-18 10:36 |
出售、供应Silicon Sensor光电二极管
德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商,具有很强的研发和制造能力,提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管,在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 "b[5]Y{
U wBzC5T%, Silicon Sensor公司成立于1991年,总部位于柏林,并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部,目前有超过300名雇员。 l0]
EX>"E Q\)F;: | 顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 ,Q,^3*HX9} *I'yH8Fcn [attachment=33694][attachment=33698][attachment=33695][attachment=33697] !W0v >p PIN光电二极管 8fb'yjIC 型号 特性 特性参数 应用领域 'S~5"6r PIN2 紫外/蓝光增强 光谱范围200~1100nm 紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 \9d$@V PIN5 高速 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 Q&&@v4L PIN5t 高速、低压应用 上升沿时间<5ns 脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 WHI`/FM PIN6 低暗电流 暗电流<1nA 脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 "L1Zi.) PIN6b 蓝光增强(保持低暗电流) 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 z2c6T.1M PIN7 低结电容 结电容和其它款相比小一半以上 高速光测定、医疗设备 H"KCK6 PIN Q 红外1064nm优化 红外响应强 高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 P4?glh q#
5uf a PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 23?rEhKe Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Rise time (ns) &~!Wym Chip Package Size (mm) Area (mm²) 5 V 410 nm | 5 V | 50 Ω _U0f=m 500981 PS1-2 LCC6.1 1.0 x 1.0 1 0.01 50 /bEAK- $cR{o# 501103 PS1-2 TO52 1.0 x 1.0 1 0.01 50 Ie^l~Gb :LTN!jj 500041 PC10-2 TO5 Ø 3.57 10 1 300 KG@8RtHsQ F"<vaqT2 501261 PS100-2 BNC 10 x 10 100 10 2000 2%>FR4a C7vxw-o|&p 500047 PS100-2 CERpin 10 x 10 100 10 2000 uMv1O{ j4b4!^fV 501231 PS13-2 TO5 3.5 x 3.5 13 1 400 &R siVBA S$k&vc(0 501232 PS33-2 TO8 5.7 x 5.7 33 2 800 RyN s6 fatf*}eln 500046 PC5-2 TO5 Ø 2,52 5 0.3 150 `kr?j:g uocGbi:V'; 500045 PC50-2 BNC Ø 7.98 50 5 1000 l]cFqLp W l16`9 501230 PS7-2 TO5 2.66 x 2.66 7 0.4 200 cFv8 Od x :7IIvP 雪崩二极管(APD) 4sM.C9W APD型号 特征 特性参数 应用领域 }i2V.tVB- APD8 高速、高增益 上升沿时间ps量级 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 '!$%> ||S APD9 近红外波段增强 近红外响应增强 激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 ,
dp0;nkr APD10 1064nm波段增强 1064nm波段响应增强 1064nm光追踪、测距、荧光探测 Nluoqoac APD11 蓝光增强 蓝光波段响应增强 分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 f X)#=c|5 APD12 红光增强 蓝光响应强,暗电流<0.5nA 激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 SB7c.H, y?0nI<}}HK APD系列-8 高速/高增益 b[7]F Order number Type No. Active Area Dark current (nA) Breakdown voltage (V) Rise time (ns) v3qA":(w+( Chip Package Size (mm) Area (mm²) M = 100 M = 100 80;(Gt@<" 501810 AD100-8 LCC6.1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 =mGez )T5\ `"~%bS 501811 AD100-8 LCC6.1f Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* max. 0,18 ??T#QQ akT6^cP^ 500011 AD100-8 TO52S1 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 Z6pUZ[j, |)81Lz 501171 AD100-8 TO52S3 Ø 0,1 0,008 0,05 80 - 200* <0,180 m4g$N) i LAscb 501078 AD230-8 LCC6.1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 JCaOK2XT; :Yks|VJ1 501079 AD230-8 LCC6.1f Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* typ. 0,18 j=J/x:w_e N&pCx& 500019 AD230-8 TO52S1 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 %IRi1EmN8 '\GbmD^F 500022 AD230-8 TO52S3 Ø 0,23 0,04 0,3 80 - 200* 0,18 Dxxm="FQZ
Z<phcqEi8 501077 AD500-8 LCC6.1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 UDni]P!E *,m; 501076 AD500-8 LCC6.1f Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* typ. 0,35 ERt{H3eCcJ =ruao'A 500030 AD500-8 TO52S1 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 ^H'\"9;7 h}EPnC} 500305 AD500-8 TO52S2 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 Lk$B{2^n +{UcspqM 500155 AD500-8 TO52S3 Ø 0,5 0,2 0,5 80 - 200* 0,35 rD>f|kA?L hzRYec( 500947 AD800-8 TO52S1 Ø 0,8 0,5 2 80 - 240* 0,7 h@h! ,; Yuc> fFA 501117 AD1100-8 TO52S1 Ø 1,13 1 4 - 6 80 - 240* 1 J")#I91 &I406Z f7y 500160 AD5000-8 TO8i Ø 5 19,63 60 80 - 200* 3 `#gie$B{ 'eX ' 500015 AD1900-8 TO5i Ø 1,95 3 15 80 - 200* 1,4 9E6R0D} +U.I( 83F 501194 AD3000-8 TO5i Ø 3 7,07 30 80 - 200* 2
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