| shizi19 |
2011-03-29 09:50 |
光学镀膜机OTFC-900
1. 背景知识 9Uekvs=r=M
光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高太阳能电池的效率和稳定性。 h_3E)jc
2. 设备能力 pa E[rS\
OTFC-900型自动高精度光学薄膜镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。 E e% %d
\aUC(K~o\;
1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米 By",rD- r
2） 排气性能 o&)8o5
粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内 u mH40rX+
极限真空：低于5.0E-5Pa ep)n_!$OH"
恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa dhf!o0'1M
漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec x,@B(9No
3） 基板加熱特性 Ma']?Rb`
最大设定温度: 350℃ ;~ $'2f~U
加热40分钟以内，能到达300℃ s.QwSbw-g
温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后) @&3EJ1
4） 电子枪/电源(JEOL制) i0kak`x0
电子枪（BS-60050EBS）： Q }K"24`=
(10kW，270°偏转) m{cGK` /\
电压 -4～-10kV(连续可变) CMG&7(MR
5） 坩埚 *:LK8U
环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu /1V xc 6
15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu $)ij N^hV
6） 离子源 o ! Ieb
离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤 6"5A%{ J
a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm） 8hz^% vm
栅网尺寸：10cm "W7K"=X
最大射频功率：600W（13.56MHz） Ls$D$/:q?
束電圧：100V～1500V U} e!Wjrc
最大束電流：500mA mCsMqDH
离子流密度分布：±10%以内 (pCrmyB
加速电压：100V～1000V RYQR(v
标准导入气体量：氧气或氩气 M 2>Vj/
b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af) tGh~!|P
最大射频功率：150W（13.56MHz） P%:wAYz1^O
最大中和電流：1500mA 6azGhxh
标准导入气体量：氩气 i$:*Pb3mV
7） 光学膜厚监控 'qb E=
反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A） nn:.nU|I
波長范围：350～1100nm L~rBAIdD
波長精度：<±1nm p; 59?
波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处 m '|b GV
波长再现性：±0.25 nm ]}-7_n#cC
安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm） ^T;*M_
8） 水晶膜厚监控 iohop(LZ
控制仪: XTC/3 （Inficon制） kHghPn?8]
水晶开始频率：6.0MHz 0w \z LU
频率变化测定分解能：±0.028Hz ~ Ei $nV
测定时间间隔：0.25秒 o WrKM
vv3*
j&I
3. 标准工艺 h-#6av :
1) ITO Pw7]r<Q
2)太阳电池减反膜 Yq0 | J
iwZPpl ";
3)高反膜 <EB+1GFuI
@uqd.Q
4)截止滤光片 ? Wr+Q
nzuX&bSw
5)UV-IRCUT 1 MP~dRZ$
j^j1
o/$}
5．操作手册 nA-.mWD_C
1) 目的 H1pO!>M
在真空系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。 QuF :p
2) 使用范围 Xtq_y'I
可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等 c)TPM/>(p
3) 注意事项 dUeN*Nq&(,
1.开机前检查水电气是否正常 E"\<s3
2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖 dh`K`b4I
3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却 q1 $N>;&
4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤 ]_ mb 7X>
4) 准备工作 ';w#w<yaI
1.基片清洗 UN;H+gNnN
2.补充源材料 -[4 T
3.清理真空室 Xy|So|/bKd
5) 操作步骤 P_dCR
1、开机 6@h/*WElG
1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气 =\&;Fi]
1.2 打开总电源 6"L cJ%o
1.3 打开UPS电源 =1FRFZI!j
1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开 b(eNmu
机，进行冷泵再生过程。 )0. kv2o.
2、放样 U8s2|G;K
2.1 清理真空室 $B 2J
T9
2.2 补充源材料 fIx+IL s
2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片 9N#_( uwt
2.4 放入样品 ~RW+ GTe
2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出 >a!/QMh
2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空 Z,
zWuE3
3、熔源与蒸发镀膜 u:6Ic)7'
3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入软件操作界面 |sJ[0 z
3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序 q TRsZz@
3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序 9 tU] `f
3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾 mDA:nx%5<
3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER :;RMo2Tl
DC、ION SOURCE CONTROLLER开关 @ wGPqg
3.6 打开气体流量控制仪 LiC*@W
3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与 2.`\
3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间 7X`g,b!
4、取样 <prk8jSWV
4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执 ^H p; .f.
行充气过程 'C b6Y#6
4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样， j nkR}wAA
清理真空室，进入到下一个循环。 I13y6= d
5、关机 %^) fmu
5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机 2 prU
5.2 关闭UPS，总电源 @+&LYy72
5.3 关闭水、气
|
|