| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 =VPJ
m\*V
核心 6gN>P%n
5"o)^8!>
EL+P,q/b
已修复以下问题： 0DgEOW9H
H;=+ +Dh
aH+n]J]
=)
M<VZISu)dy
如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 G@I/Dy
O0cKmh6 =
未从设计文件中加载错误参数 <Z58"dg.5
`(6g87h
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 H<w r usRg
ds|L'7
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 R#w9%+
p5PTuJ>q
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 'awZ-$#
vhot-rBN
无法在参数 > 性能中输入图层编号 fx `oe
b am*&E%0K
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 WEVV2BJ
$(JB"%S8c
运行表 Wi3St`$
O~=|6 #c
(HD=m, }
以下问题已修复： @ - _lw
_hbTxyj
* M,'F^E2
DgB]y6~KXl
芯片上的上一层并不总是正确选择。 C0. bjFT|
_8eN^oc%
*&A/0]w
3Sclr/t
V11.4.584 0 CFON2I
核心 lhRo+X#G
u/g4s ( a
dB%q`7O
以下问题已修复： $yY\[C
g9K7_T #W
yYri.n
>t Ll|O+
验证站点密钥后，不会立即更新选项。 oGa8#>
sn6:\X<[
V11.4.583 yB~` A >~M
核心 & hri4p/
=i:6&Y~VGq
;\[ el<Y)s
以下问题已修复： U 6M3,"?
U#{^29ik=o
@&
vtY._
'4J];Nj0
目标生成器中没有回反射导数。 G<f "_NT
?.%'[n>P
V11.4.582 <!qv$3/7
核心 IS9}@5`'
@+ (TM5Ub
d5z?QI
以下问题已修复： 1O{x9a5Z?O
g k.c"$2
nC;2wQ6aO
Jfs$VGZP;
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 @ a?^2X^
RHOEyXhOA
V11.4.581 ~=xS\@UY =
核心 !f^'-
pf'-(W+
+> ,4d
以下问题已修复： M* x1{g C/
{Hp*BE
O^W.5Sa R
{vL4 :K
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 vUa&9Y
TDtS^(2A7K
V11.4.580 6)B6c. 5o
核心 q\f Z Q
" \]N OA*
!qjIhZi
以下问题已修复： j(*ZPo>oD
-(Y ( K!n
f 4Yn=D=_
`J(im
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 ee0)%hc1t
wge R%#DW
V11.4.579 L-}6}5[
核心 _ 3l ci
;>z.wol
~)k OO oH
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 WHM|kt
xpb,Nzwt^
=d{B.BP(
fA k]]PU
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 `q nNEJL,
tf5h/:
)zR(e>VX
0 F495'*A
基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 S3G9 /
gq^j-!Q)Q<
`~hB-Z5dI
N`JkEd7TT
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 yi*2^??`
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