| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 CKwrE ]h
核心 MT9c:7}[&
qXPjxTg{[
d 1VNTB
已修复以下问题： Lsv[@Rl
"Opk:;.
}Pd S?[R
, tJ%t#
如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 mpfc2>6Il.
"\M16N
未从设计文件中加载错误参数 8?#4<4Ql8
Q`k=VSUk
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 ov&4&v
VL= . JwK
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 _ 1jd{? kt
B@g 0QgA
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 6Y hd [I3
6U[`CGL66
无法在参数 > 性能中输入图层编号 /.{4
KW5
h.CbOI%Q
在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 9a} rE
IGz92&y
运行表 6v p\ ~J
1vKc>+9
; mH O#
以下问题已修复： tUouO0_l
1xN6V-qk
6\>S%S2:
tSX<^VER7
芯片上的上一层并不总是正确选择。 :{@&5KQ8)
x_Zi^ ]
3aIP^I1
Ay\=&4dv
V11.4.584 PqV9k,5f
核心 v5 STe`
HE
GMwRJG
LV|ZZ.d h
以下问题已修复： ^uB9EP*P
rMRM*`Q2
)yvI {
cojtQ D 6
验证站点密钥后，不会立即更新选项。 K=,nX7Z5
+vOlA#t%Z
V11.4.583 Yd]y`J?#
核心 q =sEtH=
s b"z=4
I&JVY8'
以下问题已修复： A9Cq(L_H
y+b4s Ff
{A 2EGUmF2
$|+q9 o\
目标生成器中没有回反射导数。 _'pow&w~
2d: <P !B
V11.4.582 %:i; eUKR
核心 E"d \N-I
~aKM+KmtPH
)~/;Xl#b-
以下问题已修复： i rj{Or^k
b=nQi./f
6mcxp+lm|
!RX\">z
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 Ay?KE{Qs '
hM}rf6B
V11.4.581 8!8 yA
核心 {O FbU
R^8L^8EL
(-k`|X"
以下问题已修复： X !=E1TL
}:JE*D|
Axb,{X[6g
zxN,ys
Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 :cDhqBMNr`
yCznRd}J
V11.4.580 hf5yTs
核心 b{T". @ b
PL+r*M%ll
[C1 .*Q+l
以下问题已修复： b6KO_s:'g
`re9-HM
5/U|oZM"
Hn~=O8/2
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 b.=bgRV2{x
lw/zgR#|
V11.4.579 06hzCWm#
核心 5R^e
y3!r;>2k=
-n Bb - y
添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 <*D{uMw
D,cGW,2Nv
LJ^n6 m|_
_<;;CI3w
边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 -TIr bYS`
:exgdm;N
sZ~q|}D-
2t9JiH
基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 4k }3^.#
k7o49Y(#
VD=}GY33=
cvoE4&m!
各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 '. Ww*N
*,C[yg1P
|
|
