| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
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9GB PKf:O >A}0Ho |QMA@Mx 如果材料没有用于内部传输的条目,则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 lY'N4x7n 8IGt4UF&? 未从设计文件中加载错误参数 Z\? E3j >(3\kiYS 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 nY_?Jq ^Ga&}- 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 r:&|vP ONX8}Ob~ 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 *Zbuq8> T_;]fPajjD 无法在参数 > 性能中输入图层编号 ,9of(T(~ qZk:mlYd 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 mfom=-q3k :%X Ls, 运行表 Rc[ 0aj: Br5o7(AE W5pb;74| 以下问题已修复: ?=Db@97 9}P"^N O1P=#l iYX 0CAa^Q^w 芯片上的上一层并不总是正确选择。 !HK^AwNY mdbp8,O p_2pU)% "y;bsZBd" V11.4.584 '#\1uXM1U? 核心 1S:|3W E
D"!n-Hq Ev9> @~^ 以下问题已修复: aFj.i8+ q%/uQT? 4Ysb5m)u u0o'K9.r 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 pyZ9OA!PD =!b6FjsiG V11.4.583 G64Fx*` 核心 v;EQ, NL BR5BJX J
CGC 以下问题已修复: =L-I-e97@ </"4 zD| qu|i;WZE S :bC[} 目标生成器中没有回反射导数。 T7*wS#z)h Vw{*P2v) V11.4.582 ,'fxIO 核心 \2C`<h$fN 'gMfN 2 QTZwx 以下问题已修复: tt_o$D~kg /+]s.V. jXg s)J(/ 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 b1#dz] J([s5:.[ V11.4.581 /=?x{(B> 核心 ]< l6s i[jJafAcN g"VMeW^ 以下问题已修复: R`8@@} cre;P5^E |*5 =_vF W_|0y4QOo Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 `)iY}Iu -Z-f1.Dm5 V11.4.580 YZf6| 核心 dihjpI_ Sjj>#}U 21X`h3+= 以下问题已修复: {Ro2ouQ!V dUrElXbXd 'dG%oDHX]P 9pn>-1NJ 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 <xpph
t< o G*5f V11.4.579 :ue:QSt(u 核心 '@|_OmcY }Db[ 4 (IqZ@->nw 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 {P%9 IY'=DePd f"G- ?Ea;J0V 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 >^Q&nkB"B Z%zj";C
G v4,h&JLt 5@IB39 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 H(c72]@Vg GE;e]Jkjn }"vW4 {R<Ea
@LV+ 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 =uk0@hy9b T3UMCqc=
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