chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
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#:[d_ 未从设计文件中加载错误参数 Re>AsnA[ 2+z1h^)W 多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 =-_)$GOI' cv2]* 当设计具有厚层时,冻结活动图不起作用 n=q=zn; QIQfI05 误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 T.kyV| .;9jdGBf 无法在参数 > 性能中输入图层编号 S.{fDcM I"-dTa 在从外部来源导入设计期间,改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 ]bm=LA |XRImeF'd 运行表 >)Ioo$B #b'N}2'p#V +td<{4oq8 以下问题已修复: G8eD7%{b:) v9=}S\=Cd r4u z} jl{ D?^Y`G$. 芯片上的上一层并不总是正确选择。 zN%97q_ Y6A;AmM8 <?YA,"~ e'34Pw!m V11.4.584 Di> rO038 核心 }k7_'p&yk qNxB{0(D \7Qb229? 以下问题已修复: ?1peF47Z A?8\Y{FQ R(G\wqHUT3 eCWPhB6l 验证站点密钥后,不会立即更新选项。 :'}@Al9=> z<B CLP V11.4.583 M(enRs3`O 核心 G(/DtY] GKZN}bOm\ :_xh(W+2< 以下问题已修复: */(I[p -R0/o7 s9O2k}] T p<s1'" 目标生成器中没有回反射导数。 e4\dpvL Q =#I9- V11.4.582 @pFj9[N 核心 r8[T&z@_ sZg6@s= X:EEPGE 以下问题已修复: };b1aha G Qs9OC9X1 \S ."?!U MzkkcQLK 当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时,该标注不会显示在绘图上。此外,如果选择了表,则 s 极化列为空。 gmP9j)V6 [/|zH'j: V11.4.581 G-u]L7t&1 核心 @0NJ{ eKG2*CV ? mv:neh 以下问题已修复: O=}g4c </[: 9Cl hH>``gK D-&an@ Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 C&<~f#lB 3@<zg1.9- V11.4.580 )OP){/ 核心 #_JYh? r.yK, @Jn!0Y1_3 以下问题已修复: @S^ASDuQU7 nh.32q] &7>zURv HrM$NRhu 在 Stack 中,在某些情况下,第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 [k<1`z3 2C=Q8ayvX V11.4.579 -_N)E ))G 核心 :"1|AJo) =9wy/c$ 6'vbT~S! 添加了尝试替代路径到简单,Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题,这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径,因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加,因为必须执行更多的功绩图计算,因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径",请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 [?0d~Q(R# !t#F/C vB'>[jvA| mtAE 边缘过滤器工具已经增强,现在它找到了更广泛的材料设计。 A7Po 3n%Q ";SiL{Z U7h(`b
9+=gke 基底n,k & T 工具已经增强,因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 }baR5v ?)D^~/
A H`9Uf) (p#0)C 各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括:事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度:数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如,如果在入射角度框中输入"0/15/30",则选择绘图时,将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 }<a^</s tq1CwzRX
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