| chenenlin |
2020-10-25 15:53 |
V11.4.585 k NUNh[
核心 E vD g{M}
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已修复以下问题： }vX/55
(0 S;eM&
k{+ Gv}Y
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如果材料没有用于内部传输的条目，则使用该材料打开设计将始终尝试打开设计的存档。 D{iPsH6};5
x /?w1
未从设计文件中加载错误参数 |\h< !xR
!u%XvxJwDb
多次单击"反向工程"中的"调整"按钮将启动对相同数据的多次调整。现在一次只执行一个调整。 !MD uj
S(5&%}QFQ
当设计具有厚层时，冻结活动图不起作用 q<Wz9lDMNR
R"{oj]d;$F
误差计算没有正确设置用于事件介质或基材的活性材料。 C,dRd EB>
/8s>JPXKH[
无法在参数 > 性能中输入图层编号 YR0.m%U,
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在从外部来源导入设计期间，改进了外部设计中材料与数据库中材料的匹配。 x@,B))WlGr
1(m[L=H5>
运行表 2[Bw+<YA`
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Ap(1h#m
j{H,{x
以下问题已修复： .Gnzu"lod
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ey) 8q.5
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芯片上的上一层并不总是正确选择。 Y-:dPc{
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V11.4.584 S1d{! ` 3
核心 pq<2:F:Kl
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P#ot$@1v
以下问题已修复： iK e68kx
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验证站点密钥后，不会立即更新选项。 ~mu) Cw
oh^QW`#(
V11.4.583 GF^ ?#Jh
核心 }#QYZ nR
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以下问题已修复： ">"B
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^WmP,Xf#
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目标生成器中没有回反射导数。 K._*
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V11.4.582 iP+3)
核心 \tZZn~ex
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以下问题已修复： h(3ko
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KeE)9e
jp P'{mc
b;Uqyc
当仅为斜角图选择p 极化且选择了事件角度标签时，该标注不会显示在绘图上。此外，如果选择了表，则 s 极化列为空。 qr_:zXsob_
. z&,d&E
V11.4.581 cr<ty"3\
核心 $ jgEB+
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Vo:Gp
以下问题已修复： yOXL19d@p_
$g!~T!p=
rk .tLk
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Optimac 参数对话框中未显示图层的最大数。 W<s5rM x
9a lM C
V11.4.580 R`!'c(V
核心 Mg76v<mv<
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e!JC5Al7
以下问题已修复： |\_d^U &`
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>pq= .)X}
w.6 Gp;O
在 Stack 中，在某些情况下，第二个垂直轴图例中的射点角度未正确显示。 RYem(%jq
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V11.4.579 :bV1M5
核心 25CO_
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添加了尝试替代路径到简单，Optimac合成和针合成。大多数优化方法在从起点移动到改进的解决方案时选择单个路径。对于更困难的问题，这可能不是最好的途径。尝试"备用路径"会导致优化器根据下一次迭代中的潜在结果选择不同的路径。由于优化器不知道将走哪条路径，因此必须考虑每个可能路径的下一次迭代。这会导致运行时增加，因为必须执行更多的功绩图计算，因此该技术将导致迭代速度的减慢。要使用"尝试备用路径"，请检查"简单"或"Optimac"或"针"合成的参数窗体中的选项。 &['cZ/bM
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边缘过滤器工具已经增强，现在它找到了更广泛的材料设计。 $MB /j6 #j
T.kQ] h2ZG
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基底n，k & T 工具已经增强，因此现在也可以接受抑制二表面反射的单面反射测量。 Y] "_}
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各种绘图参数现在可以指定多个值。其中包括：事件角度、计算波长、温度偏移、带宽和锥角。使用不是以下之一的分隔符指定多个角度：数字、+、-、E、e、周期、逗号。例如，如果在入射角度框中输入"0/15/30"，则选择绘图时，将绘制三个角度的曲线。表仅使用列表中的第一个角度。 {3{cU#\QA
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