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小欣 2010-02-01 17:51

晶体二极管的特性、参数和测试方法

一、二极管的特性 1";~"p2(  
D{4 Y:O&J  
二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ;zOZu~Q|'  
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1.正向特性 dKMuo'H'%  
YW'Y=*  
另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 lu{}j4  
P*LcWrK  
2.反向特性 '0=U+Egp  
l-Xxv  
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 $wN.~"T  
7]^Cg;EtM:  
3.击穿特性 s R~&S))  
| -R::gm  
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 -@73"w/  
*H$nydQ:  
K4rr.f6  
图1、二极管的伏安特性曲线 4H,DG`[Mo  
_+. t7q^  
z=xHk|+'  
4、频率特性 #[si.rv->  
\uYUX~}i"  
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 9@j~1G%^  
^U =`Rx  
二、二极管的简易测试方法 \xdt|:8  
WLpn,8qsY  
二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 dnx}c4P  
V?"^Ff3m!  
表 二极管简易测试方法 vW_A.iI"e  
^Y&Cm.w  
Cam}:'a/`  
^4[\-L8Lpq  
三、二极管的主要参数 S ~_%  
w(yU\ N  
1.正向电流IF ,VZ&Gc  
^AM_A>HnG  
在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 b'OO~>86  
EK'&S=]  
2.正向电压降VF e%P;Jj476  
ky#6M? \  
二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 $i1A470C  
*"5a5.`%,  
3.最大整流电流(平均值)IOM @v'D9 ?  
EH:1Z*|Z{\  
在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 =oTYwU  
7L]?)2=  
4.反向击穿电压VB |x4yPYBL  
t[maUy _A  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 KFhn}C3 i  
D7. P  
5.正向反向峰值电压VRM [E^X=+Jnz  
$O>@(K  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 vraU&ze\1  
>SJ$41"E  
6.反向电流IR GW#kaqC1  
Z:hrrq9  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 &>jkfG  
AN>`M?EQ  
7.结电容C P~<93  
rrWk&;?  
结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 ##_Za6/n  
M;Rw]M  
8.最高工作频率fm gdK/:%u3  
"6d bRo5%  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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