| 小欣 |
2010-02-01 17:51 |
晶体二极管的特性、参数和测试方法
一、二极管的特性 1";~"p2( D{4
Y:O&J 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: ;zOZu~Q|' #2MwmIeA 1.正向特性 dKMuo'H'% YW'Y=* 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 lu{}j4 P*LcWrK 2.反向特性 '0=U+Egp l-Xxv 二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 $wN .~"T 7]^Cg;EtM: 3.击穿特性 s R~&S)) |-R::gm 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 -@73" w/ *H$nydQ:
K4rr.f6 图1、二极管的伏安特性曲线 4H,DG`[Mo _+. t7q^ z=xHk|+' 4、频率特性 #[si.rv-> \uYUX~}i" 由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 9@j~1G%^ ^U =`Rx 二、二极管的简易测试方法 \xdt|:8 WLpn,8qsY 二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 dnx}c4P V?"^Ff3m! 表 二极管简易测试方法 vW_A.iI"e ^Y&Cm.w
Cam}:'a/` ^4[\-L8Lpq 三、二极管的主要参数 S ~_% w(yU\
N 1.正向电流IF ,VZ&Gc ^AM_A>HnG 在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 b'OO~>86 EK'&S=] 2.正向电压降VF e%P;Jj476 ky#6M?
\ 二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 $i1A470C *"5a5.`%, 3.最大整流电流(平均值)IOM @v'D9 ? EH:1Z*|Z{\ 在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 =oTYwU 7L]?)2= 4.反向击穿电压VB |x4yPYBL t[maUy_A 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 KFhn}C3
i D7.P 5.正向反向峰值电压VRM [E^X=+Jnz $O>@(K 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 vraU&ze\1 >SJ$41"E 6.反向电流IR GW#kaqC1 Z:hrrq9 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 &>jkfG AN>`M?EQ 7.结电容C P~<93 rrWk&;? 结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 ##_Za6/n M;Rw]M 8.最高工作频率fm gdK/:%u3 "6dbRo5% 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
|
|