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cyqdesign 2010-01-31 21:48

半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 (V=lK6WQm  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 9m6w.:S  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 7d4R tdI  
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Preface xvii cL1cBWd  
CHAPTER 1 9MXauTKI  
The Crystal Structure of Solids M6X f}>  
1.0 Preview 1 E&K8hY%5  
1.1 Semiconductor Materials 2 ' GW@P  
1.2 Types of Solids 3 Hpsg[d)!  
1.3 Space Lattices 4 {'r*Jb0  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 41C=O@9m  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 *i$+i  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices ;G\rhk  
1.3.4 The Diamond Structure 13 qmL!"ZRLF  
1.4 Atomic Bonding 15 xMuy[)b  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 7NXT.E~2  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 dG)A-qbV  
1.5.2 Impurities in Solids 18 3}T&|@*  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 zzW^ AvR  
1.6.1 Growth from a Melt 20 9X*q^u  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 z$YOV"N  
1.7 Device Fabrication Techniques: +b{h*WWdj  
Oxidation 23 { _ 1q`5o  
1.8 Summary 25 &<>A  
Problems 27 oNEU?+  
CHAPTER 2 c dGl[dQ/  
Theory of Solids 31 "thu@~aC  
2.0 Preview 31 twN(]w}Ps|  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 68_UQ.  
2.1.1 Energy Quanta 32 |w>DZG!}1-  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 S%T1na^x  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 hB^"GYZ  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 9B%"7MVn  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 jgO{DNe(=  
2.2.3 Periodic Table 40 :#|77b0  
2.3 Energy-Band Theory 41 iL\\JuY  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 k~hL8ZT[  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 )1i)I?m  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 %%3ugD5i!  
2.3.4 Effective Mass 49 f~U|flL^  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 '%~zu]f'  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 #/1Bam6  
2,4 Density of States Function 55 `kz_ q/K  
2.5 Statistical Mechanics 57 kO9yei  
2.5.1 Statistical Laws 57 ^1nf|Xj [  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function J$P]>By5:  
and the Fermi Energy 58 d6n6= [*  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 ]v#T'<Nl  
2.6 Summary 64 >AfJxdd1  
Problems 65 5&xvY.!27V  
CHAPTER 3 {&4qknPd%  
The Semiconductor in Equilibrium 70 K:{Q~+   
3.0 Preview 70 x Dr^&rC  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 ~/Ry=8   
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 hQ\]vp7V  
3.1.2 The no and Po Equations 74 [AGm%o=)  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 ~KNxAxyVi  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 D0-e,)G}V,  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 iy4JI,-W  
3.2.1 Qualitative Description 83 ew0 )  
3.2.2 Ionization Energy 86 vTP_vsdeG  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 mR{0*<  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 Gmc"3L  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 LnL<WI*Pq  
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