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cyqdesign 2010-01-31 21:48

半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 (,|,j(=]  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 Bx?3E^!T  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 6!<I'M'[e  
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p Cz6[*kC  
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Preface xvii X=)V<2WO  
CHAPTER 1 %|-N{>wKy  
The Crystal Structure of Solids sx,$W3zI'G  
1.0 Preview 1 %>|FJ  
1.1 Semiconductor Materials 2 `4"8@>D  
1.2 Types of Solids 3 T4eJ:u*;  
1.3 Space Lattices 4 bWe2z~dP  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 SB62(#YR  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 E0Wc8m"  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices ^C>kmo3J  
1.3.4 The Diamond Structure 13 :5YIoC  
1.4 Atomic Bonding 15 {cK<iQJ  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 }M07-qIX{  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 t@%w:*&  
1.5.2 Impurities in Solids 18 i<uU_g'M  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 @6 he!wW  
1.6.1 Growth from a Melt 20 V?mP7  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 4I4m4^  
1.7 Device Fabrication Techniques: K@.5   
Oxidation 23 sY ]J!"  
1.8 Summary 25 .:S/x{~  
Problems 27 :.:^\Q0  
CHAPTER 2 %4~"$kE  
Theory of Solids 31 AL]gK)R  
2.0 Preview 31 ^y5A\nz&  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 LU3pCM{  
2.1.1 Energy Quanta 32 DV5hTw0  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 LuS@Kf8N+  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 t{k:H4  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 6H#: rM  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 F`D$bE;|  
2.2.3 Periodic Table 40 *|rdR2R!  
2.3 Energy-Band Theory 41 mxlh\'b  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 J;4x$BI  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 XYcZ;Z9:  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 Qz(D1>5I?  
2.3.4 Effective Mass 49 $QJ3~mG2  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 0R?1|YnB  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 -P]O t>%S  
2,4 Density of States Function 55 r)<A YX]J  
2.5 Statistical Mechanics 57 tP'v;$)9F  
2.5.1 Statistical Laws 57 u>>|ZPe  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function **q8vhJM  
and the Fermi Energy 58 vC]X>P5Px  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 kowS| c#  
2.6 Summary 64 '|C%X7  
Problems 65 J 6 ~Sr  
CHAPTER 3 !LK xZ"  
The Semiconductor in Equilibrium 70 E\iK_'#  
3.0 Preview 70 2Zu9? L ,I  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 l*ltS(?  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 1RAkqw<E  
3.1.2 The no and Po Equations 74 #Xg;E3BM  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 N*gJu  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 .@H:P  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 gT}H B.  
3.2.1 Qualitative Description 83 N{Sp-J>  
3.2.2 Ionization Energy 86 Dk  `&tr  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ^".OMS"!  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 Du_5iuMh  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 tZ]gVgZg  
…… %&L1 3:  
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