首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光电资讯及信息发布 -> 半导体基础,第3版,作者:(P.Y.Yu) (美)M.Cardona [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

cyqdesign 2010-01-30 22:09

半导体基础,第3版,作者:(P.Y.Yu) (美)M.Cardona

半导体基础是一部享誉世界经典图书,作者Peter Y.Yu (于鑫) 是美国加州大学的教授, Manuel Cardona 是德国斯图加特马普所的教授, 他们长期从事半导体物理研究和教学工作, 是半导体领域顶级科学家。 6"djX47j  
半导体科学是一本不断取得令人惊奇进展的一门科学, 是人类社会现代化赖以实现的基础学科。本书从实验和计算两个角度详细地介绍了半导体材料的电子、振动、输运和光学性质, 强调的是对硅及其它四面体结合的半导体材料基本物理性质的理解。该书自1995年推出, 2001年即更新到第3版.,书中包含大量的数据、图表和习题, 它既是半导体物理方面难得的教科书, 同时也是从事半导体研究和器件开发的研究者必备的参考书。本书叙述条理清楚,语言流畅,自写作开始作者就牢记兼顾学生和专业研究人员的需要, 阅读本书对读者来说是一种享受。 *}h#'+  
此书为英文版。 [:BD9V  
[attachment=24318] '>:c:Tewy  
k[Ue}L|  
市场价:¥89.00 pf8M0,AY  
优惠价:¥71.20 为您节省:17.80元 (80折) b4?]/Uy+/  
"xdu h3/~=  
FGey%:p9$  
1.Introduction +bDBc?HZ{$  
1.1 A Survey of Semiconductiors W/@-i|v  
1.2 Growth Techniques 7 .y35y  
Summary J\l'nqS"  
Peirodic Table of“Semiconductor-Forming”Elements 5Y4#aq  
2.Electronic Band Structures UbDpSfub  
2.1 Quantum Mechanics Ys@OgdS@:  
2.2 Translational Symmetry and Brillouin Zones r "uQ|  
2.3 A Pedestrian's Guide to Group Theory :B7dxE9[r  
2.4 Empty Lattice or Nearly Free Electron Energy Bands ,_M  
2.5 Band Structure Calculations by Pseudopotential Methods M* 0zvNg  
2.6 The k·p Method of Band-Structure Calcuations @#QaaR;4  
2.7 Tight-Binding or LCAO Approach to the Band Structure ,^1B"#0{C<  
Problems ?#~km0~F)  
Summary up!54}qy  
3.Vibrational Properties of Semiconductors,and Electron-Phonon Interaction -T=sY/O  
3.1 Phonon Dispersion Curves of Semiconductors OPuty/^!Gw  
3.2 Models for Calculating Phonon Dispersion Curves wx*03(|j;  
3.3 Electron-Phonon Ineratctions Zg&o][T  
Problems SVn $!t  
Summary hX)PdRk#  
4.Electronic Properties of Defects V\nj7Gr:sF  
4.1 Classification of Defects t2LX@Q"  
4.2 Shallow or Hydrogenic Impurities N`J]k B7  
4.3 Deep Centers mW=9WV  
Problmes T f40lv+{  
Summary `$t|O&z  
5.Electrical Transport z'01V8e  
5.1 Quasi-Classical Approach U1;&G  
5.2 Carrier Mobility for a Nondegenerate Electron Gas -, uT8'  
5.3 Modulation Doping ZJ8"5RW  
5.4 High-Field Transport and Hot Carrier Effects S| |OSxZ  
5.5 Magneto-Transport and the Hall Effect /hSEm.<  
Problems Vji:,k=3\  
Summary hem>@Bp'V  
6.Optical Properties Ⅰ 1]a\uq}  
7.Optical Properties Ⅱ P%aNbMg  
8.Photoelectron Spectroscopy {BY(zsl  
9.Effect of Quantum Confinement on Electrons and Phonons in Semiconductors l T#WM]  
Appendix:Pioneer of Semiconductor physics Remember VA5f+c/ %  
References zJ30ZY:  
Subject Index /:@)De(S  
Physical Parameters of Tetrahedral Semiconductors(Inside Front Cover) wx8Qz,Z  
Talbe of Fundamental Physical Constats(Inside Back Cover) *]:J@KGf  
Table fo Units(Inside Back Cover) W3gHz T?{  
wvmcD%   
市场价:¥89.00 c'D NO~H  
优惠价:¥71.20 为您节省:17.80元 (80折) ue1g(;  
查看本帖完整版本: [-- 半导体基础,第3版,作者:(P.Y.Yu) (美)M.Cardona --] [-- top --]

Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计