| 阿秋 |
2008-04-03 20:59 |
使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題
Dear各位大大................. P` `hw=L
'l}3Iua6qk
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... s ,}<5N]U
5bAXa2Vt
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ }+B7C2_\
X}!_p& WI
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ `SG70/
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 7q?Yd AUz
*K)v&}uw
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 jTqba:q @
l:ED_ env:
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 EW!$D
Brl6r8LGi
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 s%:fB(
a~%ej.)l
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 Y[H_?f=;%
<|8 l ;
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 oaKf{$vg
X1-s,[ j'
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 \w:u&6,0O
1_t Dp& UO
8.模擬光源假設條件： 9j 8t<5s
ZMe| fn
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 V ;6M[ic}
Z^|C~lp;n
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 "VeUOdNA>
1^ ;h:,e6
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? d3$<|mG$
|
|