1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 Rqwzh@}

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

rc+C?)S 晶体	1B),A~Ip Δn@1064	;8!Z5H 匹配类型	G-9iowS/A 切割角度	ARcv;H 5 备注 & 适用
VMoSLFp^R KTP	BpX6aAx ≈0.080	%\|G"-%_E NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	>]o}}KF? θ=90°φ=0°	M#\|dIbns H 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
cA6lge<{~ LBO	)%!XSsY.N\| ≈0.042	-hC,e/+ NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	Ra*e5 θ=90°	x `V;Y]7' 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
Z\|RY2P>E BBO	f\|u#2!7 ≈0.122	> iE!m 角度匹配 Ⅰ 类	P{Q=mEQ θ=22.8°	9&RFO$WH 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
i#%aTRKHd6 DKDP	EyY.KxCB ≈0.034	NBb6T V}j 温控 NCPM	czlFr\|O; 90°	i-yy/y-N 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

RpLE 02U 晶体	?eV4SH Δn@532	<AJ97MLcc 匹配类型	;-UmY}MU 切割	qY 4#V k 说明
ktDC/8 LBO	+l=r#JF ≈0.046	bI\|2@HV2 NCPM 温控	1~$);US 90°	#97h6m? 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
?WE BBO	)E+'*e{cK ≈0.138	] }f9JNf$ 角度匹配	mDZ*E!B θ≈42°	,^icPQSwc 科研小功率 355，走离大、量产不用
/ g 2b KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	y^o@"IYu3	%4HRW;IU	J*9$;	%Qk/_ R1

三、532nm→266nm FHG 四倍频

pKi&[ 晶体	y!]CJigpZ Δn@532	iX3HtIBj' 匹配方式	3P;>XGCxZ 切角	sUE?v9 应用
C!7>1I~5 BBO	]r_;dYa ≈0.138	}`+B=h-dW Ⅰ 类角度匹配	D-N8<:cA θ=47.7°	U4G`ZKv(! 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
TwgrRtj' CLBO	XkyKBg- ≈0.092	$/nY5[ Ⅰ 类角度匹配	\|`Z6n θ=61.7°	d\|4}obCt 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
2h%z ("3/ LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	~Ch+5A;	2U-3Q]/I}	@Vu(XG	8mQmi`

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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