1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 :ujpLIjvVG

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

\|(Mxbprz 晶体	tiE\|%jOzt Δn@1064	JJ7A` ; 匹配类型	\Q(a`6U 切割角度	P O 5Wi 备注 & 适用
OPDT:e86Y= KTP	bf0,3~G,P ≈0.080	V~[b`&F NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	e}1Q+h\ θ=90°φ=0°	uR :EH.K 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
u+r!;-0i LBO	V%s7*`U ≈0.042	#p@GhI!6 NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	RW+u5Y θ=90°	9Z!n!o7D 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
Or.u*!od& BBO	OU/}cu ≈0.122	$ mE*= 角度匹配 Ⅰ 类	G~8BND[." θ=22.8°	G9^`cTvv'8 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
t&?{+?p: 9 DKDP	Hs'~)T ≈0.034	mdEJ'];AH 温控 NCPM	e' o2PW 90°	=yZq]g6Q 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

,M.}Qak^ 晶体	#4O4,F>e Δn@532	vvv'!\'# 匹配类型	u_$4xNmQ 切割	H5x7)1Ir\| 说明
} 7 o! LBO	4T(d9y ≈0.046	^#<L!yo^ NCPM 温控	B4RrUA32 90°	mG\QF0h 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
/S]RP>cQ BBO	MSQ^ovph ≈0.138	\|qn2b= 角度匹配	q7Hf7^a θ≈42°	F]yB= 科研小功率 355，走离大、量产不用
!2KQi=Ng KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	hz4?ku	1OMXg=Y	=WT$\KYGv	c EYHB1*cT

三、532nm→266nm FHG 四倍频

*uyP+f2O 晶体	][S q^5` Δn@532	tJ6@Ot 匹配方式	HKrENk 切角	^7spXfSAd 应用
^1.*NG8 BBO	E)$>t}$ ≈0.138	mp8GHV Ⅰ 类角度匹配	[ @eA o> θ=47.7°	g4h{dFb\|_ 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
(NvjX})eh CLBO	x8rg/y ≈0.092	;bB#Pg Ⅰ 类角度匹配	9-c3@>v θ=61.7°	Y.Zd_,qy 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
RhE~Rwbx LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	L5FOlzn	1p.c6[9-	eT".psRiC	fwz:k]vk

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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