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2026-03-02 08:03 |
TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
1. 建模任务 *+2_!=4V 1.1 模拟条件 a1/+C$
oB 模拟区域:0~10 9=}[~V n 边界条件:Periodic uOy/c 8` 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) <t*<SdAq>` 单位长度:0.5 \ym^~ Q| ysl#Rwt/2 z@pa;_ 1.2堆栈结构 );6f8H@G $!y^t$u$@ 2. 建模过程 o0S8ki 2.1设置模拟条件 1
A0BM /c 7z[| l^B4.1rT 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 vyB{35p$ 3S2Alx!6 jYFmL_{ 2.3创建掩膜并生成多畴结构 -)3+/4Q( ^FBu|eAkE 3. 结果分析 '5[(QM5Gi& 3.1 指向矢分布和透过率 N:k>V4oE e84%Y8,0 dv3u<X M~ 3.2所有畴的V-T曲线 sPeTW*HeR RWo7_X O OdY9g2y#m 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 W*CRxGyZCl
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