先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 wSXVyg{
[attachment=134179] 4_=Ja2v8;` 目录 &"E
lm 序 {7"0,2 Hb? 前言 <M+R\SH- 第1章 绪论1 +pmu2}E.3 1.1 光刻机和光刻成像1 [0@`wZ 1.1.1 光刻机简史1 \=e8%.#@J 1.1.2 光刻成像及其性能指标2 .zj0Jy8N 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 WNX5iwm 1.2 传统分辨率增强技术7 /@oLe[Mz$ 1.2.1 离轴照明7 /DFV$+9 1.2.2 相移掩模8 ig#r4nQ= 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 {E_{JB~` 1.2.4 偏振照明9 963aW*r 1.3 计算光刻技术11 DDd/DAkCX 1.3.1 光刻成像模型11 5f7zk 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 DtxE@, 1.3.3 先进计算光刻算法16 kdrod [S 参考文献18 p.K*UP 第2章 矢量计算光刻技术24 nvq3* 2.1 矢量光刻成像理论基础24 _^S]g mE 2.1.1 二维矢量成像模型24 I["j=r 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 Qyh/ed/ 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 F2I 5qC/ 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 gX @`X 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 PGn);Baq 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 nHOr AD|& 参考文献88 6z,Dyy]tl 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 y-aRXF=W 3.1 压缩感知计算光刻技术92 %5'6Tj 3.1.1 压缩感知光源优化技术92 <^R{U&Z@ 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 'S4)?Z 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113 TpfZ>d2 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 |`O5Xs1{B 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 U>qHn'M 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 4vZ4/#(x 参考文献133 YV'pVO'_+ 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 |`rJJFA 4.1 误差对计算光刻的影响137 ~W#sTrK 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 .K8w8X/3 4.1.2 波像差对计算光刻的影响138 )]6hy9< 4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141 ,XKCz ]8V 4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142 G-um`/ <% 4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145 l&(l$@t 4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145 @tUoD>f 4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168 n.6T
OF 4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183 'xK.UI 4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184
m]Y;c_DO: 4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200 s}5+3f$f 参考文献212 _'0
@%P% 第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215 7
h=QW5 5.1 多参数协同优化技术基础215 - xm{&0e) 5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215 q3e8#R)l 5.1.2 多目标函数构建219 XVVD 0^ Q 5.1.3 多参数协同优化方法219 {=:#S+^ER 5.2 多参数协同优化技术及应用222 wD\ZOn_J 5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222 Yg|lq9gD 5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227 3\$wdUFr 参考文献231 %CnxjtTo
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