先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 BGOuDKz9C
[attachment=134179] i=i(%yQ% 目录 KNS.Nw7 序 2"Ecd 前言 (@%gS[] 第1章 绪论1 .q
`Hjmg< 1.1 光刻机和光刻成像1 4SlADvGl 1.1.1 光刻机简史1 Cnbz=z 1.1.2 光刻成像及其性能指标2 ^aH\7J@Y 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 R_sr?V|" 1.2 传统分辨率增强技术7 7B!xT2{T 1.2.1 离轴照明7 JHz
[ 7 1.2.2 相移掩模8 ebT:/wu,2 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 &d"G/6 1.2.4 偏振照明9 7w'wjX- 1.3 计算光刻技术11 <_3b1VhZ 1.3.1 光刻成像模型11 ;.TRWn# 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 {B[=?6tQ 1.3.3 先进计算光刻算法16 _59huC. 参考文献18 7g%E`3)" 第2章 矢量计算光刻技术24 D@Vt^_ 2.1 矢量光刻成像理论基础24 MC<PM6w 2.1.1 二维矢量成像模型24 K{[%7AM 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 }
\XfH 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 8ELCs<xI 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 AQ_|: 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 0URji~?|x 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 H`0|tepz 参考文献88 gREzZ+([ 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 Qk,I^1w?7 3.1 压缩感知计算光刻技术92 CaL\fZ 3.1.1 压缩感知光源优化技术92 .7l&1C)i 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 O+]Ifm [ 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113 oZ!m 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 a>GyO&+Dkg 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 E;+O($bA 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 dHv68*^\' 参考文献133 8$0rR55 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 _i20|v 4.1 误差对计算光刻的影响137 Kjs.L!W 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 %`&2+\` 4.1.2 波像差对计算光刻的影响138 X{\F;Cb* 4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141 _Em. 4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142 c.>oe*+ 4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145 YbTxn="_ 4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145 @>W(1mRi 4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168 +f@U6Vv 4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183 {
S3ZeN,kZ 4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184 rvXWcu -" 4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200 (Q.waI 参考文献212 ?TU }~} 第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215 bO'Sgc[] 5.1 多参数协同优化技术基础215 <8d^^0 5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215 8]M_z:F7F 5.1.2 多目标函数构建219 QA5QweL 5.1.3 多参数协同优化方法219 2JJ"O|Ibz 5.2 多参数协同优化技术及应用222 3td)'} 5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222 M;p
em< 5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227 %we u 1f 参考文献231 &!/}Qp
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