先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 hJ#xB6
[attachment=134179] pKrN:ExB"\ 目录 #!KE\OI;@5 序 )Z ?Ym.0/ 前言 4l45N6" 第1章 绪论1 _ T):G6C8 1.1 光刻机和光刻成像1 <r`2)[7N 1.1.1 光刻机简史1 8j %Tf; 1.1.2 光刻成像及其性能指标2 ^ tg<K 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 '>ssqBnI 1.2 传统分辨率增强技术7 J@Q7p} 1.2.1 离轴照明7 1sdLDw_)p 1.2.2 相移掩模8 b4ONh% 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 H_X [t* 2 1.2.4 偏振照明9 )vb*Ef 1.3 计算光刻技术11 CxG#"{& 1.3.1 光刻成像模型11 2M'[,Xe 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 &&:YVd
1.3.3 先进计算光刻算法16 hPePB= 参考文献18 4X
|(5q? 第2章 矢量计算光刻技术24 o-OHjFfB 2.1 矢量光刻成像理论基础24 wN-d'-z/rd 2.1.1 二维矢量成像模型24 W_8wed:b 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 B%76rEpvW; 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 =i*;VFc 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 $$5aUI:$~$ 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 #& Rw& 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 b8SHg^} 参考文献88 !F1N~6f 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 ,+xB$e 3.1 压缩感知计算光刻技术92 m?fy^>1
3.1.1 压缩感知光源优化技术92 E:}r5S)4 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 EYEnN 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113 ?D*/*Gk{ 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 g8xQ|px 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 8UyMVY 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 \GZM&Zd 参考文献133 ^xh ; 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 ^ ALly2 4.1 误差对计算光刻的影响137 \BZhf?9U 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 $#S&QHyEe 4.1.2 波像差对计算光刻的影响138 sVv xHkt@ 4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141 72y0/FJ 4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142 [@b&? b~K 4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145 $?<Z!*x 4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145 a8iQ4
4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168 <_tT<5'[$u 4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183 &c:Ad%
z 4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184 r)~ T@'y 4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200 V7P&%oz{C 参考文献212 ;1.,Sn+zO 第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215 >eB\(EP 5.1 多参数协同优化技术基础215 G) 7;; 5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215 M#VE ]J 5.1.2 多目标函数构建219 @EpIh& 5.1.3 多参数协同优化方法219 M)N?qRD 5.2 多参数协同优化技术及应用222 @&:ar 5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222 Vz~nT 5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227 5b[jRj6 参考文献231 I}6\Sv=
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