先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 yQ[u3tI
[attachment=134179] ~A >oO-0K 目录 r_2btpL^ 序 XxOn3i 前言 <t}? $1 第1章 绪论1 qrDcL>Hrn 1.1 光刻机和光刻成像1 V0NVGRQ 1.1.1 光刻机简史1 _01Px a2. 1.1.2 光刻成像及其性能指标2 =_QkH!vI 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 ~@fR[sg< 1.2 传统分辨率增强技术7 .#!mDlY; 1.2.1 离轴照明7 =kFuJ
x)f 1.2.2 相移掩模8 CW0UMPE5 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 MsjnRX:c3u 1.2.4 偏振照明9 se,Z#H 1.3 计算光刻技术11 ZvH{wt
1.3.1 光刻成像模型11 wj%wp[KA$ 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 kxo.v |)8 1.3.3 先进计算光刻算法16 K^H>~`C= 参考文献18 ,F:=(21 第2章 矢量计算光刻技术24 V^En8 2.1 矢量光刻成像理论基础24 ;BI)n]L 2.1.1 二维矢量成像模型24 xNgt[fLpS 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 }1>atgq]w 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 3*WS"bt 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 :]c=pH 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 >&hX&,hG 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 ;$;rD0i| 参考文献88 0&$xX!] 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 K-4tdC3 3.1 压缩感知计算光刻技术92 v@_in(dk 3.1.1 压缩感知光源优化技术92 dS$ji#+d$ 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 ./.=Rw 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113 ZQ[~*) 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 p
>aw 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 Z#7U
"G-A 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 vlQ0gsXK 参考文献133 }n95< { 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 p&5S|![\ 4.1 误差对计算光刻的影响137 k7Oy5$## 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 3bts7<K= 4.1.2 波像差对计算光刻的影响138 %6 ]\^ 4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141 +/q0Y`v 4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142 -f.R#J$2 4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145 &<h?''nCy 4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145 k1iLnza% 4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168 GCH[lb>IJv 4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183 wOcg4HlW 4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184 ':sTd^V 4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200 owMmCR 参考文献212 hbnS~sva 第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215 xBWx+My 5.1 多参数协同优化技术基础215 s3< F 5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215 8.2`~'V 5.1.2 多目标函数构建219 H),RA]S 5.1.3 多参数协同优化方法219 ~B]jV$= 5.2 多参数协同优化技术及应用222 F[`vH 5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222 /e<5Np\X 5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227 Ff)@L-Y\K 参考文献231 G>0)I
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