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2025-10-29 08:13 |
表面和光栅区域的通道配置
摘要 w&hgJ rE;*MqYt& VirtualLab Fusion为表面和(光栅)区域提供了灵活的通道配置。通过调整通道配置,可以轻松实现所需的建模方案。我们以一个具有两个表面的光波导为例来演示通道的配置。通过不同的设置,我们展示了所产生的光路。此外,我们在波导面上添加光栅区域,并演示了区域的配置,以及这些区域的光栅参数。 *%7 [{Loz IP7j)SM!
ynvU$}w ~' g&!UaJ[#9 建模任务 x:\+{- &YGd!Q 如何调整表面上的通道和可能的光栅区域,以及如何用这些设置来控制模型。 G|Rsj{2' N9tH0
VdjS\VYe, U<gMgA 表面通道 X0Y1I}gD <{GpAf8- 初始化 ?1*Ka - 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导,厚度为5mm。 V
zuW]" Y#S<:,/sb?
xHq"1Vs= FkY}6 表面通道 y$|%K3 >h1 3i@`r 初始化 XLb
lVi@ - 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导,厚度为5mm。 5.5<.") - 为了更好地说明问题,为波导定义一个独立的Y轴旋转30°。
4~xKW2*`K -0r0M)
$s+/OgG4H CuC1s> `-fWNHs 表面通道 7aRtw:PQn pFgpAxl 通道定义 <}t~^E, - 每个表面有四个可能的通道,至少要激活一个通道进行追迹。 WD#
96V - 可以为每个表面单独定义通道。 i0Ejo;dB - 通道的不同设置会导致不同的建模方案。 86Hg?!<i. ve($l"T
vZ,DJ//U, 7]W6\Z 表面通道 #(swVo:+E %jk7JDvl
fh_+M"Y0` Lh%z2 5t 表面通道 }py)EI,U WX
.Ax$fT
'&hz*yk S&/,+x'c| 区域通道 |j$r@ ]QKo>7%[ 表面上的区域 T5nBvSVv' -可以在表面上定义单个区域,并单独定义其光学特性,包括通道设置。 p0*qv"lA z^lcc7
(xpt_]Q!H )X
|[jP 区域通道 G0#<SJ,) Ov8^6O 区域定义 ]1hyv m3 -在第一面建立一个长方形区域。 F+o4f3N -设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm,中心沿x方向为-3.6 mm。 OQW%nF9~ ')N[)&&Q{
F>Pr`T?> a-e_ q 区域通道 "s-3226kj aVB/CoM9 区域定义 #[f]-c(! -在第一面建立一个长方形区域。 yFoPCA86y -设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm,中心沿x方向为-3.6 mm。 |RjAp.pm -将此区域定义为具有单一透射系数T0 = 50%的光栅,和单一反射系数R0 = 50%的光栅,这就构成了一个半反射镜。 }1fi# -在这里,我们只使用零次衍射阶,这与通常的透射或折射引起的反射是相同的。 n%|og^\0 Y5c,O>T5Y
5{/uHscwLa Q":,oZ2 区域通道 QPX&P{!g 区域定义 [)+wke9 - 按照与表面相同的规则,为这个区域设置通道。 6VUs:iO1j5 "QD>m7
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Xde (}g4}A@x 带有光栅的区域通道 Ez8k.]q u |kY}G3/ 区域定义 Vv54;Js9 - 可以在给定区域上定义一个衍射光栅。 OZc4 -5 J>l?HK
}!Y=SP1e '-U&S 带有光栅的区域通道 7}:+Yx 8`<e\g7- 区域定义 =oBlUE -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 fB80&G9 -我们在第二表面上增加一个矩形区域(侧长2.25mm),沿x方向以-8.2mm为中心。 ]_BH"ng} 2HUw^ *3
Y-UXr8 {E; bT|3z 带有光栅的区域通道 @Jx1n Q^ +4$][3. 区域定义 mC0_rN^Aj -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 WBD?|Ss -我们在第二表面上增加一个矩形区域(侧长2.25mm),沿x方向以-8.2mm为中心。 f8
BZk h -定义一个2微米周期的理想光栅,指定的衍射系数为: }DQTy.d;P T0=10% Ngj&1Ta&[ T+1=60% +h@.P B^`~ T+2=10% X n8&&w" ollsB3]]
]1FLG*sB MuJP.]5>` 带有光栅的区域通道 JK`$/l|7 &wAVO_s 区域定义 Q 0G5<:wc -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 2eHVl.C5 -我们在第二表面上增加一个矩形区域(侧长2.25mm),沿x方向以8.2mm为中心。 @DIEENiM -定义一个2微米周期的理想光栅,指定的衍射系数为: eTFep^[ T0=10% O6/:J#X% T+1=60% j+fib} 8} T+2=10% s7afj t iO&*WIbg
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