TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

M !rw!,g   1. 建模任务 %bhFl,tL   1.1 模拟条件 *x.gPG   模拟区域：0~10 u z:@   边界条件：Periodic t3.I ` Z   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） S|BS;VY   单位长度：0.5 +AOpB L '   T"Nnl(cO_   5=.mg6:   1.2堆栈结构 S`[r]msw   \j vS`+   2. 建模过程 bB.Yq3KI   2.1设置模拟条件 p?+;[!:   sO&eV68 [   Mwd.S   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 M3q7{w*bM   N*Xl0m(Q   jx];=IC3tt   2.3创建掩膜并生成多畴结构 *zDL 5 9   }ev+WIERQV   3. 结果分析 Now2ad&   3.1 指向矢分布和透过率 .@f)#2   S)A;!}RK6   ?D=%k8)Y   3.2所有畴的V-T曲线 V5d|Lpm   JU-eoB}m   z-h7v5i"   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 z&A#d

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