TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

RhwqAok|lj   1. 建模任务 d&[Ct0!++u   1.1 模拟条件 ^w]N#%k\H   模拟区域：0~10 N zrHWVD   边界条件：Periodic 1 EE4N\   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） 1eQfc{[g   单位长度：0.5 u\- WArntc   aY`qbJy   H'2& 3v   1.2堆栈结构 o[Ojl.r<   8 KDF*%7'   2. 建模过程 zgre&BV0q   2.1设置模拟条件 ^na8d's:   c%|K x   0zJT_H+   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 ^3~+|A98M   8{DZew /   j"G1D-S:   2.3创建掩膜并生成多畴结构 %#5\^4$z|N   n1 k2<BU4b   3. 结果分析 Kf=6l#J7   3.1 指向矢分布和透过率 Y:o\qr!Y   a^:on?:9   3JhT   3.2所有畴的V-T曲线 3PRg/vD3   %{M_\Ae#   x<&2`=   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 VN3"$@-POK

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