TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

ZykrQ\q9   1. 建模任务 ahIE;Y\j'   1.1 模拟条件 J=WB6zi   模拟区域：0~10 XQ;I,\m   边界条件：Periodic H/cTJ9zz   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） E'dX)J9e$/   单位长度：0.5 V7<eQ0;m   oh}^?p   Y_H/3?b%   1.2堆栈结构 `<vxG4=62\   4~u9B/v   2. 建模过程 K84 &sSi   2.1设置模拟条件 9Vh _[^bR   ()|3   C|e+0aW   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 INNAYQ   VuWib+fT   T1~)^qQ   2.3创建掩膜并生成多畴结构 d/j@_3'   79ZxqvB\   3. 结果分析 9Q[>.):   3.1 指向矢分布和透过率 xdF guV8   O~'FR[J   6Y?`=kAp   3.2所有畴的V-T曲线 cf*zejbw   5+L8\V9;   A@ VaaX   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 :W X0,-Gn

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