TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

esnq/   1. 建模任务 *l+Dbm,u   1.1 模拟条件 *|dr-e_j   模拟区域：0~10 /v+)#[]>   边界条件：Periodic W/ Q*NB   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） gk%@& TB/   单位长度：0.5 1Q>nS[   >UaQ7CRo   V3t#kv   1.2堆栈结构 =otO@22Np   =,(TP   2. 建模过程 ~x9]?T   2.1设置模拟条件 }<0N)dpT   VWE>w|'   (6S'wb   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 aE`d[dSG   z~ C8JY:   \c:$eF   2.3创建掩膜并生成多畴结构 RPW46l34   c;$4}U4   3. 结果分析 06S R74   3.1 指向矢分布和透过率 f_jhQ..g<g   *i]?J   LTTMa-]Yy   3.2所有畴的V-T曲线 ;KlYiu   m$W>~    -BSdrP|   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 Cf2 WBX$

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