TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

LsotgQ8    1. 建模任务 4O Zy&,   1.1 模拟条件 }`@?X"r   模拟区域：0~10 = P8~n2V   边界条件：Periodic 9_` 3IJ   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） fsb=8>}63}   单位长度：0.5 |x[$3R1@   0JOju$Bl,   <lX:eR1   1.2堆栈结构 @>9A$w$H|a   Q~CpP9%   2. 建模过程 .hnF]_QQ   2.1设置模拟条件 Kk56/(_S   $ACe\R/%   { N@Y<=+:   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 K/ A ? ]y   :Q#H(\26r   n%8#?GC`   2.3创建掩膜并生成多畴结构 ees^O{ 8   A9.;>8!u   3. 结果分析 E-[:. &   3.1 指向矢分布和透过率 BfEx'C   i&B?4J)   .k|-Ks|d|   3.2所有畴的V-T曲线 j?d!}v   dR%q1Y&`   )uuwwz   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 EsNk<Ra

I[a%a!QO

} pSt@3o,