hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 p#qla'  
极紫外光刻 (EUV)   %
J-:%i
 
严格的 OPC 和源优化 0p[k7W u  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 7*{l\^ism;  
可检测性 :%9R&p:'ar  
印刷适性 
41=H&G&  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) G9-ETj}  
双重图案   ?ch?q~e)  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 dH5*%  
光刻冻结 光刻蚀刻 MR,I`9Pe  
侧壁间隔物 423%K$710  
晶圆形貌效应 .lj5pmD  
非平面光阻 ]8wm1_qV  
首次接触时的潜在特征   4A"nm6  
相移掩模版 kwaZn~  
p,k1*|j  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 F|6"-*[RS  
相位缺陷 l?"^2in.  
湿法蚀刻/双沟槽 6 8n ;#-X  
无铬相光刻 93D
}0kp  
衰减相移掩模版 &8f/6dq
 
脱保护收缩的 NTD qJs_ahy(  
SEM 诱导收缩 @ NDcO,]  
EUV 和 DUV 的随机效应 :0(^^6Q\  
PEB 扩散效应 U"|1@W#  
表面抑制 DjaXJ?'  
温度效应 @TW:6v`  
侧壁分析 zQ:nL*X'Z"  
内外角偏差分析 H(K!{k  
拉回 *YH!L{y  
最高亏损 8J&9}@y  
^!exH(g  
薄膜堆叠分析 \nP79F0%2  
hd9~Zw]V  
BARC 优化 3/usgw1  
多层镜反射率 6d8)]  
抵抗厚度效应