hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 cO+`8`kv  
极紫外光刻 (EUV)   iR=aYT~  
严格的 OPC 和源优化 _$lQK{@rY  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 k&;L(D  
可检测性 R;ug+N  
印刷适性 2DQC)Pe+z  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) a'~y'6  
双重图案   m$: a|'mS  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 A|-\C$  
光刻冻结 光刻蚀刻 aN3{\^  
侧壁间隔物 #8|NZ6x,  
晶圆形貌效应 jX,~iZ_B  
非平面光阻 0g)mf6}o  
首次接触时的潜在特征   VlNzm  
相移掩模版 Agf!6kh  
GTe9@d  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 b)@x@3"O  
相位缺陷 l<6/ADuS  
湿法蚀刻/双沟槽 Uij$ eBN  
无铬相光刻 (*gpa:Sc  
衰减相移掩模版 m%3Kq%?O  
脱保护收缩的 NTD F,:VL*.5kJ  
SEM 诱导收缩 "YZ`g}sG  
EUV 和 DUV 的随机效应 9]\vw  
PEB 扩散效应 s1q d/  
表面抑制 =)bc/309  
温度效应 n-_w0Y  
侧壁分析 \_'pUp22  
内外角偏差分析 \/Y<.#?_  
拉回 c6|&?}F  
最高亏损 .&dcJh*O+  
S3fBZIPp  
薄膜堆叠分析 t|lv6-Hy9  
WGn1pW  
BARC 优化 R4;6Oi)  
多层镜反射率 D bJ(N h  
抵抗厚度效应