hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 Q;aZpi-E"  
极紫外光刻 (EUV)   E0)v;yRcw  
严格的 OPC 和源优化 ,YkQJ$  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 8|d[45*q  
可检测性 j ^_G  
印刷适性 pM#:OlqC  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) "jeJV,%  
双重图案   K/%aoTO}  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 H<NYm#a"  
光刻冻结 光刻蚀刻 %< W1y  
侧壁间隔物 Kjf#uU.7  
晶圆形貌效应 RisrU  
非平面光阻 cA/2,i  
首次接触时的潜在特征   c89RuI `B~  
相移掩模版 s#d# *pgzh  
*g=*}
2  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 Q]|+Y0y}X  
相位缺陷 VS}Vl  
湿法蚀刻/双沟槽 g:2/!tujL  
无铬相光刻 Aga7X@fV(  
衰减相移掩模版 _aDx('  
脱保护收缩的 NTD u@
gYEx}  
SEM 诱导收缩 Y/$SriC_+'  
EUV 和 DUV 的随机效应 J@Orrz2q#  
PEB 扩散效应 +6;OB@  
表面抑制 ,]cd%w9  
温度效应 R 7{rY  
侧壁分析 $K,aLcu  
内外角偏差分析 yqBu7E$X  
拉回 Jz|(B_U  
最高亏损 DX!$k[  
CY7REF  
薄膜堆叠分析 | 'z)RFqj  
=k8
A7P  
BARC 优化 ~}M{[6!  
多层镜反射率 d@l;dos),  
抵抗厚度效应