hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 uQ{=o]sy  
极紫外光刻 (EUV)   {d| |q<.
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严格的 OPC 和源优化 Kp8fh-4_  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 %_>Tcm=  
可检测性 xC<R:"Mn  
印刷适性 x
cHen/4X  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) "]v uD  
双重图案   iwvt%7  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 -&@]M>r@  
光刻冻结 光刻蚀刻 Cy`26[E$S  
侧壁间隔物 *U M!(  
晶圆形貌效应 +eU`H[iu  
非平面光阻 +yGY785b  
首次接触时的潜在特征   a|U}Ammr  
相移掩模版 y7>iz6N  
:=y0'f V(@  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 l`DtiJ?$$0  
相位缺陷 'c#IMlv  
湿法蚀刻/双沟槽 pG(Fz0b{  
无铬相光刻 it~Z|$  
衰减相移掩模版 expxp#S  
脱保护收缩的 NTD j]>=1Rd0b(  
SEM 诱导收缩 J`W-]3S#  
EUV 和 DUV 的随机效应 e]>/H8  
PEB 扩散效应 ,`yyR:F  
表面抑制 5qC:yI  
温度效应 f?Z|>3.2  
侧壁分析 sA3UeTf  
内外角偏差分析 z*RSMfRW  
拉回 c!mG1lwD.  
最高亏损 <8f(eP\*F  
>'N!dM.+9  
薄膜堆叠分析 s_xV-C#q@  
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v~!H\q  
BARC 优化 m*`cuSU|o  
多层镜反射率 lw s(/a*c  
抵抗厚度效应