hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 kEM5eY  
极紫外光刻 (EUV)   YpFh_Zr[  
严格的 OPC 和源优化 6%mFiX  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 AZmABl  
可检测性 1|za>N6[yu  
印刷适性 ,gR9~k,  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) >L#HE  
双重图案   MPMa  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 bK)gB!  
光刻冻结 光刻蚀刻 oGzZ.K3 A  
侧壁间隔物 FFTh}>>  
晶圆形貌效应 ]jUxL=]r  
非平面光阻 |[k/%  
首次接触时的潜在特征   wIW]uo/=  
相移掩模版 3{mu77  
c'=p4Fcm  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 `+~@VZ3m  
相位缺陷 @"jV^2oY1  
湿法蚀刻/双沟槽 g-c\;  
无铬相光刻 yqpb_h9  
衰减相移掩模版 yNk9KK)  
脱保护收缩的 NTD
fP41B  
SEM 诱导收缩 *D: wwJ  
EUV 和 DUV 的随机效应 C0\A  
PEB 扩散效应 aqTMOWyeu  
表面抑制 I'URPj:t  
温度效应 7o$4ov;T  
侧壁分析 ,UFr??ZKm  
内外角偏差分析 pN+lC[C  
拉回 @_&@M~ u  
最高亏损 y//yLrs;  
D`=hP(y^  
薄膜堆叠分析 Ybr&z7# 2  
lGa'Y  
BARC 优化 mlgw0   
多层镜反射率 .bh>_ W_h  
抵抗厚度效应