hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 IdRdW{o  
极紫外光刻 (EUV)   e}cnX`B  
严格的 OPC 和源优化 EZ(^~k=I  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 @#b0T:+v'  
可检测性 [~k]{[NJ  
印刷适性 vU/ D7  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) P-JfV7(O8  
双重图案   jlKGXD)Q[  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 9g?xlue#?  
光刻冻结 光刻蚀刻 ZAg;q#z j  
侧壁间隔物 L]2<&%N2  
晶圆形貌效应 5y_"  
非平面光阻 0%)5.=6  
首次接触时的潜在特征   !Zwf 397  
相移掩模版 ^ZQCIS-R  
+~|AT+|iI  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 .Tm- g#  
相位缺陷 iIU( C.I  
湿法蚀刻/双沟槽 voRfjsS~  
无铬相光刻 i@<~"~>]7  
衰减相移掩模版 uJ'9R`E ]1  
脱保护收缩的 NTD G79C {|c\  
SEM 诱导收缩 hZNEv|  
EUV 和 DUV 的随机效应 + >sci  
PEB 扩散效应 TIRHT`"i  
表面抑制 zw:/!MS  
温度效应 WhUa^  
侧壁分析 i1/}XV  
内外角偏差分析 .9\Cy4_qSd  
拉回 z=?0)e(H,  
最高亏损 W<gD6+=8  
u"F;OT\>g  
薄膜堆叠分析 x9`ZO<L$  
,eELRzjl  
BARC 优化 cy:;)E>/  
多层镜反射率 owMuT^x?  
抵抗厚度效应