| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) /6q/`vx@
/r uf1?\,R
严格的 OPC 和源优化 rmabm\QY
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 8 m1zL[.8g
可检测性 x.^vWka(
印刷适性 |wLQ)y*
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) LqUvEq
z9'0&G L
双重图案 <GNOT" z
N Dg]s2T
光刻蚀刻 光刻蚀刻 X~DXx/9
光刻冻结 光刻蚀刻 z9+94<J
侧壁间隔物 &(rd{j/*
晶圆形貌效应 H9>&"=".
非平面光阻 ?+|tPjg $
首次接触时的潜在特征 OK)0no=OAK
xg^fM @#m
相移掩模版 -$0S#/)Z
ZGbZu
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 i b&qH_r/
相位缺陷 A;|DQR()
湿法蚀刻/双沟槽 .lFSFJ ??
无铬相光刻 =
]@xXVf/
衰减相移掩模版 ua[\npz5
脱保护收缩的 NTD /,>.${,;u
SEM 诱导收缩 ]OrFW4tiE
EUV 和 DUV 的随机效应 nB]Q^~jX
PEB 扩散效应 8;'n. SC{
表面抑制 f2u2Ns0Ym
温度效应 {+[gf:Ev
侧壁分析 IW1\vfe
内外角偏差分析 .Ep3~9TBW
拉回 !K 9(OX2;
最高亏损 )aC+qhh
6~8
RFf"
薄膜堆叠分析 2G-?
P"4l@
E+)Go-rS(
BARC 优化 oTfbx+i/G
多层镜反射率 -Fdi,\e
抵抗厚度效应
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