| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) j +Ro?
(b +o$C
严格的 OPC 和源优化 l/56;f\IA
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 2z9N/ SyN
可检测性 +e&Q<q!,q
印刷适性 (o1o);AO
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ccgV-'IG9
lt#3&@<v
双重图案 G[J z(/yNH
R5fZ }C7
光刻蚀刻 光刻蚀刻 29f4[V X
光刻冻结 光刻蚀刻 /mnV$+BE
侧壁间隔物 nT@FS t
晶圆形貌效应 gHVD,Jr
非平面光阻 6jz~q~ I
首次接触时的潜在特征 8lF:70wia
u(4o#m
相移掩模版 MG74,D.f
[<VyH.
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ='fN
xabB
相位缺陷 5h p)Z7
湿法蚀刻/双沟槽 +$B#] ,
无铬相光刻 9H D 5A$
衰减相移掩模版 +aRHMH
脱保护收缩的 NTD r[AqA
SEM 诱导收缩 i{k v$ir!
EUV 和 DUV 的随机效应 QE`u~
PEB 扩散效应 PfJfa/#pA
表面抑制 Bz I (
温度效应 L7s
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侧壁分析 VPOp#;"%
内外角偏差分析 @;>Xy!G
拉回 4m6%HV8{}[
最高亏损 iayxN5,
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薄膜堆叠分析 Ve t<,;T e
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BARC 优化 J24H}^~na
多层镜反射率 (0zYS_m A
抵抗厚度效应
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