| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) *c 0\<BI
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严格的 OPC 和源优化 T| /B}srm
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 h
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可检测性 n#NE.ap$&,
印刷适性 ~ s C< V
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) VSxls
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双重图案 ]tu:V,q
MPn
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 S~Z`?qHWh
光刻冻结 光刻蚀刻 &3o[^_Ti
侧壁间隔物 !,I530eh7
晶圆形貌效应 N9[2k.oBH
非平面光阻 tW=,o&C=
首次接触时的潜在特征 #VLO6
@S-p[u
相移掩模版 09r0Rb
P+h p'YK1
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ;'|Mt)\
相位缺陷 1z#0CX}Y/H
湿法蚀刻/双沟槽 TqZ&X| G
无铬相光刻 [h3 y8O
衰减相移掩模版
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脱保护收缩的 NTD a9w1Z4
SEM 诱导收缩 u`Sg' ro
EUV 和 DUV 的随机效应 iJr 1w&GL$
PEB 扩散效应 #U=}Pv~wM
表面抑制 h/AL `$
温度效应 :J'ibb1
侧壁分析 xpzQ"'be
内外角偏差分析 lwh VP$q}
拉回 h|DKD.
最高亏损 4)IRm2G
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薄膜堆叠分析 E2
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BARC 优化 R24ZjbKL
多层镜反射率 _BA2^C':c{
抵抗厚度效应
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