| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) /tJJ2 =%l
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严格的 OPC 和源优化 PZf^r
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 fHb0pp\[.
可检测性 [j eZZB
印刷适性 J ;i/X;^
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ^B1Q";#
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双重图案 K
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 n$ axqvG
光刻冻结 光刻蚀刻 "DjD"?/b
侧壁间隔物 en O5XsIc
晶圆形貌效应 \H*"UgS
非平面光阻 v / G,
首次接触时的潜在特征 jQj`GnN|
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相移掩模版 kR TT
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 )C<c{m jk(
相位缺陷 L@ql)Lc);
湿法蚀刻/双沟槽 ORA +>
无铬相光刻 Q Apil
衰减相移掩模版
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脱保护收缩的 NTD B7fURL
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SEM 诱导收缩 3!Gnc0%c
EUV 和 DUV 的随机效应 wx>BNlT@?
PEB 扩散效应 b_|`jHes
表面抑制 `CUTb*{`
温度效应 J3oH ^
侧壁分析 -Z-|49I/mN
内外角偏差分析 &+xNR2";
拉回 {Ymn_
最高亏损 {q p
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薄膜堆叠分析 0AZ Vc
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BARC 优化 nkG1&wiX
多层镜反射率 jRm v~]
抵抗厚度效应
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