| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) Z`>m
1SG^X-(GM/
严格的 OPC 和源优化 T&->xe f=
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 i'z (`"
可检测性 7w.9PNhy
印刷适性 w~>tpkUB
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) SA{5A 1
/|8/C40aY
双重图案 bdHHOpXM
8b< ' jft
光刻蚀刻 光刻蚀刻 HAAU2A9B2
光刻冻结 光刻蚀刻 s ?|Hw|j
侧壁间隔物 $j"BHpN
晶圆形貌效应 z)%]# QO
非平面光阻 Ag} P
首次接触时的潜在特征 =gHUY&sPu8
SzyaVBD3
相移掩模版 ! rff/0/x"
yE|hA2G?0
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 )F4BVPI
相位缺陷 F_~A8 y
湿法蚀刻/双沟槽 KdC'#$
无铬相光刻 e,T^8_>
衰减相移掩模版 y':65NMda
脱保护收缩的 NTD mj&$+z M>
SEM 诱导收缩 c1 Hp
EUV 和 DUV 的随机效应 CM;B{*En
PEB 扩散效应 W ntolYd
表面抑制 V:2{LR<R8
温度效应 K$5mDScoJ
侧壁分析 i)7B :uA
内外角偏差分析 a6 w'.]m
拉回 >`I%^+ z
最高亏损 L4v26*P
ov,[F< GT
薄膜堆叠分析 \12y,fOJ
f*Yr*yC
BARC 优化 ~;0W
+
多层镜反射率 O8/r-?4.
抵抗厚度效应
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