| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) h [Sd3 Z*
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严格的 OPC 和源优化 El TB{C>u
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 %qsl<_&
可检测性 *Mg@j;+ 5s
印刷适性 {nM1$
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) .dYv.[?hL
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双重图案 &b>&XMIK
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 @gqZiFM)
光刻冻结 光刻蚀刻 k|>yFc
侧壁间隔物 4cy,'B
晶圆形貌效应 rYV]<[?~7
非平面光阻 )Vy0V=
首次接触时的潜在特征 QiA}0q3]0
AJ}m2EH
相移掩模版 ~u!V_su]GY
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 S;t`C~l\
相位缺陷 ho6hjhS|u
湿法蚀刻/双沟槽 * BrGh
无铬相光刻 }; 7I
衰减相移掩模版 feS$)H9-
脱保护收缩的 NTD {m3#1iV9
SEM 诱导收缩 DO{otn 9<
EUV 和 DUV 的随机效应 0datzEn s`
PEB 扩散效应 ,%A|:T]
表面抑制 T)<^S(5 7
温度效应 o=!_.lDF:
侧壁分析 z.(DDj
内外角偏差分析 ^AI02`c.
拉回 t%e<]2 -8
最高亏损 %H{;wVjK
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薄膜堆叠分析 'y>Y */
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BARC 优化 y5*zyd
多层镜反射率 n(V{ [
抵抗厚度效应
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