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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) ,&t+D-s<f
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严格的 OPC 和源优化 2a$. S " ?
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 s :U:Dv
可检测性 nj[TTnd Jt
印刷适性 uks75W!}U
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) D|LO!,=b
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双重图案 7=l~fKu
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 ;>J!$B?,
光刻冻结 光刻蚀刻 } e[ E
侧壁间隔物 P>7Xbm,VP
晶圆形貌效应 n1f8jS+'}
非平面光阻 \zO. #H
首次接触时的潜在特征 &BVHQ7[
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相移掩模版 ]at$ohS
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 fq7#rZCxX
相位缺陷 CY1WT
湿法蚀刻/双沟槽 E=s h^Q(A
无铬相光刻 uBm"Xkxe|w
衰减相移掩模版 ]&*POri&
脱保护收缩的 NTD Ds`e-X)O;\
SEM 诱导收缩 ZoG @"vr2
EUV 和 DUV 的随机效应 #I/P9)4
PEB 扩散效应 Qd} n4KF\
表面抑制 6>vR5 pn
温度效应 U%q)T61
侧壁分析 #dauXUKH
内外角偏差分析 7H6Ts8^S
拉回
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最高亏损 m%HT)`>bg
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薄膜堆叠分析 [?]N
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BARC 优化 RHF"$6EAFG
多层镜反射率
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抵抗厚度效应
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